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Fiche technique

Équivalent paramétrique


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Fiche technique
MOSFET - Matrices 30V 680mA (Ta) 480mW (Ta) Montage en surface SOT-563
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DMN32D0LVQ-13

Numéro de produit DigiKey
31-DMN32D0LVQ-13TR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
DMN32D0LVQ-13
Description
MOSFET 2N-CH 30V 0.68A SOT563
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
40 semaines
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 30V 680mA (Ta) 480mW (Ta) Montage en surface SOT-563
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
0,62nC à 4,5V
Fabricant
Diodes Incorporated
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
44,8pF à 15V
Conditionnement
Bande et bobine
Puissance - Max.
480mW (Ta)
Statut du composant
Actif
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Grade
Automobile
Configuration
2 canaux N (double)
Qualification
AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss)
30V
Type de montage
Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
680mA (Ta)
Boîtier
SOT-563, SOT-666
Rds On (max.) à Id, Vgs
1,2ohms à 100mA, 4V
Boîtier fournisseur
SOT-563
Vgs(th) (max.) à Id
1,2V à 250µA
Numéro de produit de base
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (3)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
DMN32D0LV-13Diodes Incorporated031-DMN32D0LV-13TR-ND0,05917 $Équivalent paramétrique
DMN32D0LV-7Diodes Incorporated20 44531-DMN32D0LV-7CT-ND0,39000 $Équivalent paramétrique
DMN32D0LVQ-7Diodes Incorporated3 00031-DMN32D0LVQ-7CT-ND0,61000 $Équivalent paramétrique
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Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
10 0000,10142 $1 014,20 $
20 0000,09478 $1 895,60 $
Conditionnement standard du fabricant