Name: DMG9926USD-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG9926USD-13DITR-ND
Price: 1.1 CAD
Availability: InStock

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DMG9926USD-13
Numéro de produit DigiKey	DMG9926USD-13DITR-ND - Bande et bobine DMG9926USD-13DICT-ND - Bande coupée (CT) DMG9926USD-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMG9926USD-13
Description	MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SO
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 20V 8A 1,3W Montage en surface 8-SO
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N (double)
Fonction FET	Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	8A
Rds On (max.) à Id, Vgs	24mohms à 8,2A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	900mV à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	8,8nC à 4,5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	867pF à 15V
Puissance - Max.	1,3W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Boîtier fournisseur	8-SO
Numéro de produit de base	DMG9926