Name: CDBDSC5650-G
Brand: Comchip Technology
SKU: 641-CDBDSC5650-GTR-ND
Price: 4.96 CAD
Availability: InStock

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CDBDSC5650-G
Numéro de produit DigiKey	641-CDBDSC5650-GTR-ND - Bande et bobine 641-CDBDSC5650-GCT-ND - Bande coupée (CT) 641-CDBDSC5650-GDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Comchip Technology
Numéro de produit du fabricant	CDBDSC5650-G
Description	DIODE SIL CARB 650V 21.5A DPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Diode 650 V 21,5A Montage en surface DPAK
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Diodes Redresseurs Diodes simples	Temps de recouvrement inverse (trr) 0 ns
Fabricant Comchip Technology	Courant - Fuite inverse à Vr 100 µA @ 650 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité à Vr, F 424pF à 0V, 1MHz
Statut du composant Actif	Type de montage Montage en surface
Technologies SiC (Silicon Carbide) Schottky	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Tension - CC inverse (Vr) (max.) 650 V	Boîtier fournisseur DPAK
Courant - Moyen redressé (Io) 21,5A	Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 175°C
Tension - Directe (Vf) (max.) à If 1.7 V @ 5 A	Numéro de produit de base CDBDSC5650
Vitesse Temps de récupération nul > 500mA (Io)

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CDBDSC5650-G