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Fiche technique
Canal P 60 V 8 A (Ta), 78 A (Tc) 2,1W (Ta), 187W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
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AOB411L

Numéro de produit DigiKey
AOB411L-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
AOB411L
Description
MOSFET P-CH 60V 8A/78A TO263
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
20 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal P 60 V 8 A (Ta), 78 A (Tc) 2,1W (Ta), 187W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
2,5V à 250µA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
100 nC @ 10 V
Conditionnement
Bande et bobine
Vgs (max.)
±20V
Statut du composant
Actif
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
6400 pF @ 30 V
Type de FET
Dissipation de puissance (max.)
2,1W (Ta), 187W (Tc)
Technologies
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)
60 V
Type de montage
Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Boîtier
Rds On (max.) à Id, Vgs
16,5mohms à 20A, 10V
Numéro de produit de base
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (2)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
NP50P06KDG-E1-AYRenesas Electronics Corporation1 882559-NP50P06KDG-E1-AYCT-ND5,94000 $Similaire
SUM55P06-19L-E3Vishay Siliconix0SUM55P06-19L-E3CT-ND5,99000 $Similaire
Disponible sur commande
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Tous les prix sont en CAD
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
8001,83456 $1 467,65 $
1 6001,70604 $2 729,66 $
2 4001,64059 $3 937,42 $
4 0001,56708 $6 268,32 $
5 6001,54585 $8 656,76 $
Conditionnement standard du fabricant