Vishay / Siliconix

MOSFET à canal N SiR638DP de 40 V

Le MOSFET à canal N SiR638DP de 40 V de Vishay présente un fort courant et une faible résistance RDS(ON)

Image du MOSFET à canal N SiR638DP de 40 V de VishayLe dispositif SiR638DP de Vishay offre la meilleure combinaison de résistance à l'état passant RDS(ON) et de capacité de sortie (Coss) pour une réduction des pertes de puissance du système. Il est doté d'un boîtier PowerPAK SO-8 robuste avec un courant nominal de 100 A CC. Le boîtier PowerPAK SO-8 utilise la même empreinte et le même brochage que le boîtier SO-8 standard. Cela permet de remplacer directement tout boîtier standard SO-8 par le PowerPAK. En tant que boîtier sans sorties, le PowerPAK SO-8 utilise l'intégralité de l'empreinte SO-8, libérant ainsi l'espace normalement occupé par les sorties, ce qui lui permet de contenir une puce plus grande qu'un boîtier SO-8 standard.

Fonctionnalités
  • MOSFET de puissance TrenchFET Gén. IV
  • Entièrement soumis à des tests Rg et UIS
  • Le rapport Qgd/Qgs < 1 optimise les caractéristiques de commutation
Applications
  • Redressement synchrone
  • Joints toriques
  • Haute densité de puissance CC/CC
  • Veff. et CC/CC embarqués
  • Onduleurs CC/CA
  • Commutateurs de charge

SiR638DP N-Channel 40 V MOSFET

ImageRéférence fabricantDescriptionTension drain-source (Vdss)Quantité disponiblePrixAfficher les détails
MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8SIR638DP-T1-GE3MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-840 V6095 - Immédiatement$3.55Afficher les détails
Date de publication : 2016-10-10

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