eSMP® MicroSMP DO-219AD

Avec une petite empreinte de 0,65 mm x 2,5 mm x 1,3 mm, les redresseurs Schottky MicroSMP de Vishay sont conçus pour fournir un redressement secondaire et des fonctions de diode de roue libre pour des convertisseurs CC/CC et CA/CC miniatures ; protection de polarité et volant pour les convertisseurs de puissance miniatures et les équipements électroniques portables tels que les appareils photo numériques, les lecteurs MP3, les systèmes de navigation, les GPS et les téléphones portables ; et protection de polarité des lignes électriques et des lignes de signaux pour les systèmes automobiles et industriels.

Les dispositifs TVS MicroSMP sont optimisés pour la protection des lignes de signaux et électriques pour les microprocesseurs, les circuits intégrés de traitement des signaux et les circuits logiques ; et pour la régulation de tension haute puissance pour les circuits de tension d'entrée non sensibles dans l'électronique automobile et industrielle. Ces dispositifs sont supérieurs à tous les produits TVS précédents en types de boîtiers similaires, en combinant une protection transitoire DES avec une capacité de blocage de surtension supérieure.

Présentant une faible chute de tension directe, les six redresseurs Schottky sont caractérisés jusqu'à 1 A à une température de broche de 110°C, tandis que les deux suppresseurs de tension offrent un courant d'impulsion de crête de 100 W à forme d'onde de 10/1000 µs. Tous les dispositifs offrent une haute tenue en courant de pointe direct de 25 A pour une impulsion de 8,3 ms. La faible résistance thermique jonction-à-broche de 30°C/W pour les redresseurs Schottky et de 20°C/W pour les dispositifs TVS offre une fiabilité améliorée et une durée de vie opérationnelle plus longue.

Le boîtier MicroSMP monopuce à montage en surface des dispositifs présente des pastilles à souder qui sont compatibles avec d'autres dispositifs CMS, et aucune modification n'est donc nécessaire pour la configuration du circuit imprimé lors de l'utilisation en tant que mises à niveau hautes performances vers des dispositifs existants.