Diode TVS DF2B6M4BSL

La diode DF2B6M4BSL de Toshiba est une diode TVS ultrafaible capacité pour les antennes haute fréquence. La diode protège les semi-conducteurs et autres composants électroniques contre l'électricité statique et le bruit tout en supprimant la détérioration du signal.

Les composants électroniques des antennes haute fréquence utilisées dans les radiocommunications comme le Wi-Fi® doivent être protégés en supprimant la distorsion harmonique élevée. La diode DF2B6M4BSL offre une capacité totale de 0,15 pF (max.). Cette diode TVS utilise une capacité ultrafaible pour supprimer la distorsion harmonique élevée et réduire l'électricité statique et le bruit qui peuvent nuire aux performances de réception de l'antenne.

La diode DF2B6M4BSL peut être utilisée à la place des suppresseurs DES parfois utilisés dans les antennes haute fréquence, offrant ainsi de meilleures performances de protection et une tension d'électricité statique plus faible.

Outre l'amélioration de la fiabilité des antennes haute fréquence, la diode DF2B6M4BSL convient également à la protection DES des lignes de signaux.

Fonctionnalités

• Faible capacité totale : C_t = 0,12 pF (typ.) / 0,15 pF (max) à VR = 0 V, f = 1 MHz
• Caractéristiques de faible distorsion harmonique :
  • f = 2,4 GHz, conditions d'entrée de 20 dBm
  • 2e harmonique : -65,5 dBm (référence)
  • 3e harmonique : -54,4 dBm (référence)
  • f = 5,0 GHz, conditions d'entrée 20 dBm
  • 2e harmonique : -64,7 dBm (référence)
  • 3e harmonique : -55,5 dBm (référence)
• Faible tension V_PEAK : V_CL-max-peak = 215 V (référence) à une entrée de +8 kV selon CEI61000-4-2 (contact)

Applications

• Protection DES dans les antennes haute fréquence et les lignes de signaux haute vitesse des équipements électroniques, tels que les dispositifs IoT et mobiles