Texas Instruments

Amplificateur opérationnel TLV521

Texas Instruments présente l'amplificateur opérationnel à entrée CMOS 350 nA nanopuissance simple à E/S R/R TLV521, destiné aux systèmes sensibles aux coûts

Image de l'amplificateur opérationnel TLV521 de Texas InstrumentsL'amplificateur opérationnel nanopuissance 350 nA TLV521 de Texas Instruments offre des performances de prix optimales dans la gamme nanopuissance d'amplificateurs opérationnels de TI. Le TLV521 présente un étage d'entrée CMOS soigneusement conçu permettant une très faible valeur IBIAS de 1 pA, et réduisant ainsi les erreurs IBIAS et IOS qui pourraient autrement affecter les applications sensibles, comme les situations de détection de charge, de résistance mégaohmique et de photodiodes haute impédance. De plus, une protection EMI intégrée réduit la sensibilité aux signaux RF indésirables depuis des sources telles que des téléphones portables et des lecteurs RFID.

Le TLV521 est disponible en boîtier SC70 à 5 broches et fonctionne de -40°C à +125°C.

Fonctionnalités
(Pour VS = 3,3 V, typ., sauf indication contraire)
  • Courant d'alimentation ultrafaible
    • 350 nA typique, 500 nA maximum
  • Vaste plage de tensions de fonctionnement : 1,7 V à 5,5 V
  • Faible TCVOS de 1,5 µV/°C
  • VOS : 3 mV (max.)
  • Courant de polarisation d'entrée : 1 pA
  • PSRR : 100 dB
  • TRMC : 90 dB
  • Gain en boucle ouverte : 110 dB
  • Produit gain-bande passante : 6 kHz
  • Vitesse de balayage : 2,5 V/ms
  • Tension de bruit en entrée à f = 100 Hz 300 nV/√Hz
  • Plage de températures : -40ºC à +125ºC
  • Entrée et sortie rail-à-rail

TLV521 Operational Amplifier

ImageRéférence fabricantDescriptionVitesse de balayageProduit gain-bande passanteCourant - Polarisation d'entréeQuantité disponiblePrixAfficher les détails
IC CMOS 1 CIRCUIT SC70-5TLV521DCKTIC CMOS 1 CIRCUIT SC70-50,0025V/µs6 kHz1 pA5630 - Immédiatement$1.65Afficher les détails
IC CMOS 1 CIRCUIT SC70-5TLV521DCKRIC CMOS 1 CIRCUIT SC70-50,0025V/µs6 kHz1 pA11592 - Immédiatement$1.34Afficher les détails
Date de publication : 2016-09-01

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