Émetteurs-récepteurs de bus à alimentation double 8 bits

Les dispositifs SN74AXC8T245 de Texas Instruments sont des émetteurs-récepteurs de bus non inverseurs 8 bits permettant de résoudre les problèmes de non correspondance de niveau de tension entre les dispositifs fonctionnant aux derniers nœuds de tension (0,7 V, 0,8 V et 0,9 V) et les dispositifs fonctionnant aux nœuds de tension standard de l'industrie (1,8 V, 2,5 V, 3,3 V) et vice versa.

Les dispositifs fonctionnent avec deux rails d'alimentation indépendants (V_CCA et V_CCB) de seulement 0,65 V. Les broches de données A1 à A8 sont conçues pour suivre V_CCA, qui accepte toute tension d'alimentation de 0,65 V à 3,6 V. Les broches de données B1 à B8 sont conçues pour suivre V_CCB, qui accepte toute tension d'alimentation de 0,65 V à 3,6 V.

Les dispositifs SN74AXC8T245 sont conçus pour la communication asynchrone entre les bus de données. Les dispositifs transmettent des données du bus A au bus B ou du bus B au bus A, en fonction du niveau logique des entrées de contrôle de direction (DIR1 et DIR2). L'entrée d'activation de sortie (OE) est utilisée pour désactiver les sorties, afin que les bus soient effectivement isolés.

Les dispositifs SN74AXC8T245 sont conçus pour que les broches de commande (DIR et OE) soient référencées à V_CCA.

Ces dispositifs sont entièrement spécifiés pour les applications de mise hors tension partielle utilisant I_off. Les circuits I_off désactivent les sorties lorsque le dispositif est mis hors tension, bloquant un retour de courant dans les dispositifs pour éviter de les endommager.

La fonctionnalité d'isolement V_CC garantit que si l'alimentation d'entrée V_CC est inférieure à 100 mV, toutes les sorties du dispositif de décalage de niveau sont désactivées et placées dans un état haute impédance.

Afin de garantir l'état haute impédance des E/S du dispositif de décalage de niveau lors de la mise sous ou hors tension, OE doit être liée à V_CCA via une résistance d'excursion haute ; la valeur minimum de la résistance est déterminée par la capacité d'absorption de courant du circuit d'attaque.