MOSFET de puissance série STripFET F7

Les MOSFET basse tension série STripFET F7 de ST utilisent une structure de grille en tranchée améliorée permettant de réduire la résistance à l'état passant du dispositif tout en réduisant également la charge de grille et les capacités internes pour une commutation plus rapide et plus efficace. Leur excellent facteur de mérite (FoM) et haute robustesse aux avalanches permettent de simplifier les conceptions et de réduire la taille et le coût des équipements, tout en augmentant la fiabilité dans les applications telles que les télécommunications, les systèmes informatiques, les onduleurs solaires, l'automatisation industrielle et l'automobile.

Par rapport aux séries STripFET F4 et F3 précédentes, la nouvelle série F7 présente une résistance à l'état passant beaucoup plus faible par rapport à la surface de la puce. Ceci permet de simplifier les exigences des concepteurs en matière de conceptions haute puissance en réduisant le nombre de dispositifs en parallèle.

MOSFET de puissance STripFET F7 80 V en boîtier H2PAK pour conceptions de commande moteur à fort courant avec une résistance à l'état passant de 1,7 mΩ et une tenue en courant atteignant 200 A.

Augmentez l'efficacité de votre prochaine conception de commande moteur à fort courant avec les derniers MOSFET de puissance STripFET F7 80 V de ST assemblés en boîtier H2PAK à 2 et 6 broches à fort courant (jusqu'à 200 A) et faible résistance thermique. Ils combinent une très faible résistance à l'état passant (1,7 mΩ) avec une commutation optimisée afin de répondre à des exigences de rendement strictes et d'offrir d'excellentes performances EMI et une haute robustesse aux avalanches pour des conceptions robustes (STH270N8F7-2 et STH270N8F7-6).

Fonctionnalités et avantages

• L'une des résistances R_DS(ON) les plus faibles du marché
• R_DS(ON) x Q_g minimum pour rendement système accru et conceptions plus compactes
• Rapport C_rss/C_iss très faible pour immunité EMI
• Haute robustesse aux avalanches