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IGBT série HB2 à grille en tranchée à champ limité (FS) STGWA50HP65FB2
La série HB2 d'IGBT 650 V de STMicroelectronics constitue une évolution de la structure à grille en tranchée à champ limité (FS) propriétaire avancée
La série HB2 d'IGBT 650 V de STMicroelectronics constitue une évolution de la structure à grille en tranchée à champ limité (FS) propriétaire avancée. Les performances de la série HB2 sont optimisées en termes de conduction, grâce à un meilleur comportement VCE(sat) à faibles valeurs de courant, ainsi qu'en termes d'énergie de commutation réduite. Une diode utilisée uniquement à des fins de protection est conditionnée conjointement en configuration antiparallèle avec l'IGBT. Il en résulte un produit spécialement conçu pour optimiser le rendement d'une large gamme d'applications rapides.
Fonctionnalités
- Température de jonction maximale : TJ = +175°C
- Faible VCE(sat) = 1,65 V (typ.) à IC = 20 A
- Diode de protection conditionnée conjointement
- Courant de queue réduit
- Distribution stricte des paramètres
- Faible résistance thermique
- Coefficient de température positif VCE(sat)
STGWA50HP65FB2 Trench Gate Field Stop HB2 Series IGBTs
| Image | Référence fabricant | Description | Courant - Impulsion collecteur (Icm) | Vce(on) (max.) à Vge, Ic | Quantité disponible | Prix | Afficher les détails | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | STGWA20HP65FB2 | IGBT TRENCH FS 650V 40A TO247 | 60 A | 2,1V à 15V, 20A | 570 - Immédiatement | $5.13 | Afficher les détails |
| | STGWA50HP65FB2 | IGBT TRENCH FS 650V 86A TO247 | 150 A | 2V à 15V, 50A | 407 - Immédiatement | $5.90 | Afficher les détails |
Date de publication : 2020-07-20
