MOSFET à superjonction de 650 V à canal N

Les MOSFET à canal N de 650 V de PANJIT sont optimisés pour permettre une conception aisée et efficace des circuits de conversion de puissance dans des dispositifs tels que les convertisseurs CA/CC et CC/CC. Les MOSFET à superjonction (SJ) de PANJIT nécessitent moins d'efforts de conception de la part des ingénieurs de conception de systèmes grâce à des performances de commutation appropriées et à une faible valeur R_DS(ON), ce qui conduit à un format de système plus compact avec une faible dissipation de chaleur.

Les MOSFET à superjonction de PANJIT offrent d'excellentes performances en matière de robustesse dv/dt des diodes de substrat. La grande robustesse de ces diodes de substrat permet d'améliorer la fiabilité des systèmes qui les utilisent dans le cadre de leur fonctionnement global, comme les convertisseurs LLC et les convertisseurs à pont complet déphasés (PSFB). Les performances sont optimisées avec un recouvrement rapide Q_rr/T_rr, une commutation à haute vitesse et une faible résistance à l'état passant R_DS(ON) de 60 mΩ à 180 mΩ. Disponibles dans différents boîtiers, notamment TO-252AA, ITO-220AB-F, TO-220AB-L, TO-247AD-3LD et TOLLK, ces dispositifs sont destinés aux applications d'alimentation pour les serveurs, les télécommunications et le secteur industriel. Ces produits sont conformes à la norme CEI 61249 et à la directive européenne RoHS 2.0 relative aux composés de moulage écologiques.