Les produits standard d'onsemi placent la barre plus haut

Les produits standard d'onsemi offrent des solutions compactes et à haut rendement pour les secteurs de l'automobile, de l'industrie et de l'électronique grand public. Le portefeuille de produits d'onsemi associe des circuits intégrés à des composants discrets tels que des transistors, des diodes, des régulateurs LDO, des amplificateurs, des circuits logiques, de la mémoire EEPROM et des dispositifs de protection afin d'aider les ingénieurs à simplifier leurs conceptions, à améliorer les interfaces et à accroître la fiabilité.

Avec plus de 6000 références déclinées dans plus de 170 boîtiers, y compris des options ultraminiatures et des innovations inédites dans le secteur, onsemi permet un développement plus rapide et un approvisionnement simplifié grâce à des modules interopérables pris en charge par la plateforme Treo. Il s'agit d'une plateforme technologique unifiée qui intègre une détection intelligente et une alimentation électrique. Cette adaptabilité profite à un large éventail d'industries et d'applications.

  • Logique
  • EEPROM
  • LDO
  • Amplificateurs
  • Isolement
  • Transistors
  • Protection
  • Diodes

Logique

Portefeuille : onsemi occupe la deuxième place dans le secteur des dispositifs logiques. Notre vaste gamme de produits nous positionne comme un fournisseur unique, offrant une qualité optimale dans toutes les catégories.

Performances à haute vitesse : Prise en charge de débits de données jusqu'à 140 Mbps, permettant une transmission rapide et fiable des données pour les applications exigeantes et performantes.

Plage de tensions flexible : Fonctionnant entre 0,9 V et 18 V, nos dispositifs s'adaptent facilement à différents niveaux d'alimentation, ce qui est idéal pour les applications allant du secteur automobile au secteur industriel.

Intégration système : Les translateurs de niveau assurent une conversion rapide et fiable des signaux entre différents domaines de tension, contribuant ainsi à maintenir le rendement et les performances du système.

Logique standard

  • 0,9 V à 18 Vcc​
  • Minigate/Multigate

Translateur de tension

  • Bidirectionnel​/unidirectionnel
  • Détection automatique
  • 1/2/4/8 canaux

Interface

  • Expanseurs d'E/S I2C
  • Translateur I2C/I3C

Commutateurs

  • Commutateur analogique
  • Commutateurs de bus haute vitesse
Découvrez ici les produits logiques d'onsemi

Produits phares

NL5X4002DR2G

NL5X4002DR2G

Translateur de niveau de tension bidirectionnel, 1 circuit, 2 canaux, 24 Mbps, boîtier 8-SOIC

NL3X5004MU2TAG-Q

NL3X5004MU2TAG-Q

Translateur de niveau de tension bidirectionnel, 1 circuit, 4 canaux, 140 Mbps, boîtier 12-UQFN (1,7x2)

NC7WZ14P6X

NC7WZ14P6X

Circuit intégré inverseur à bascule de Schmitt, 2 canaux, boîtier SC-88 (SC-70-6)

EEPROM

Fiabilité : jusqu'à 4 millions de cycles d'écriture et une conservation des données pendant 200 ans garantissent une fiabilité à long terme pour le stockage critique.

Large plage de températures : Les classifications de qualité automobile (0°C–150°C) et industrielle (-40°C–125°C) sont idéales pour les environnements difficiles.

Garantie EEPROM : La conservation fiable des données à long terme est essentielle, en particulier dans des conditions extrêmes où la précision est primordiale.

Produits standard d'onsemi : Reconnus pour leur leadership, leur qualité et leur capacité de production à grand volume.

Logique standard

  • 12 VVO
  • Élimination des translateurs

Automobile

  • Température élevée (150°C)
  • Cycles AM weRe

Vaste portefeuille

  • 2 Ko - 1 Mo
  • Interfaces SPI et I2C
  • Différents boîtiers
Découvrez ici les produits EEPROM d'onsemi

Produits phares

N24C256X-1CBT5G

N24C256X-1CBT5G

Circuit intégré de mémoire EEPROM de 256 kb, I2C, 1 MHz, 450 ns en boîtier 4-WLCSP (1x1)

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CAT24C256WI-GT3

CAT24C256WI-GT3

Circuit intégré de mémoire EEPROM de 256 kb, I2C, 1 MHz, 500 ns en boîtier 8-SOIC

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CAT24C512WI-GT3

CAT24C512WI-GT3

Circuit intégré de mémoire EEPROM de 512 kb, I2C, 1 MHz, 900 ns en boîtier 8-SOIC

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LDO

Performances : Des capacités de pointe conçues pour les applications exigeantes.

Fiabilité et durabilité : Conçus pour une durée de vie prolongée dans les environnements industriels et automobiles.

Support de conception flexible : Des ressources telles que les schémas fonctionnels permettent de concevoir des systèmes innovants à l'aide de solutions complètes d'onsemi.

Configurations polyvalentes : Sortie réglable jusqu'à 37 V et plusieurs options de boîtiers.

Qualité automobile : Qualification AEC-Q100 avec assistance dédiée aux applications.

Haute température

  • Température de jonction de fonctionnement plus élevée, conçue pour ces températures de fonctionnement plus élevées
  • Transistors spécialement conçus pour ces températures de fonctionnement plus élevées
  • Température de fonctionnement Tj = 150°C ; Tj = Ta +25°C pour une valeur Pd élevée ; Tj = Ta + Pd * Rɵja

Faible tension VDO et faible courant de repos (QI)

  • Rendement amélioré
  • Chute de tension plus faible et précision accrue

Faible tension VDO et faible courant de repos (QI)

  • Température élevée (150°C)
  • Cycles AM weRe
Découvrez ici les produits LDO d'onsemi

Produits phares

NCP737ADN330R2G

NCP737ADN330R2G

Circuit intégré de régulateur de tension linéaire, 1 sortie fixe positive, 100 mA, boîtier 8-MSOP

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NCV4264-2CST50T3G

NCV4264-2CST50T3G

Circuit intégré de régulateur de tension linéaire, 1 sortie fixe positive, 100 mA, boîtier SOT-223 (TO-261)

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NCV47701PDAJR2G

NCV47701PDAJR2G

Circuit intégré de régulateur de tension linéaire, 1 sortie réglable positive, 350 mA, boîtier 8-SOIC

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Amplificateurs

Amplificateurs de détection : Essentiels pour les solutions de puissance (SiC, IGBT, MOSFET), avec des options généralistes à haute précision, prenant en charge 1 V à 80 V.

Rapidité et précision : Performances fiables pour la gestion de l'alimentation et la protection contre les pannes.

Intégrité du signal : Les amplificateurs de précision maintiennent une sortie précise, préservant la qualité du signal et minimisant la distorsion.

Amplificateurs standard

  • Bande passante et gain élevés
  • Rail-à-rail

Précision

  • Faible dérive/Vos
  • Ajustement et dérive nulle
  • Faible bruit

Détection de courant

  • Haute tension
  • Dérive nulle
  • Bidirectionnel/unidirectionnel

Basse consommation et faible comp.

  • Faible courant de repos
  • Faible décalage d'entrée
  • Faible tension de décalage
Découvrez ici les produits d'amplification d'onsemi

Produits phares

NCS20162DR2G

NCS20162DR2G

Amplificateur standard (à usage général) à 2 circuits asymétriques, rail-à-rail, boîtier 8-SOIC

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NCS21671DM100R2G

NCS21671DM100R2G

Amplificateur de détection de courant à 1 circuit, rail-à-rail, 10 µ

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MC33202DR2G

MC33202DR2G

Amplificateur standard (à usage général) à 2 circuits, rail-à-rail, boîtier 8-SOIC

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Isolement

Consommation d'énergie : Seulement 165 mA par canal à 1 Mbps, idéal pour les conceptions industrielles et automobiles écoénergétiques.

Performances : Une immunité transitoire en mode commun (CMT) élevée assure une commutation rapide et fiable dans les environnements bruyants.

Phototransistor

  • Classes de tri CIR étroites
  • Famille TA=125°C

Détection de courant

  • Haute tension
  • Déclencheurs de triac sans amortissement

Haute vitesse

  • Faible courant de repos
  • Faible décalage d'entrée
  • Faible tension de décalage
Découvrez ici les produits d'isolement d'onsemi

Produits phares

NCID9211

NCID9211

Isolateur numérique I2C, SPI, 5000 Vrms à 2 canaux, 50 Mbps, CMTI 100 kV/µs, boîtier 16-SOIC (largeur 7,50 mm)

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FOD2741A

FOD2741A

Sortie transistor photocoupleur de 5000 Vrms à 1 canal en boîtier 8-DIP

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FOD2741ASDV

FOD2741ASDV

Sortie transistor photocoupleur de 5000 Vrms à 1 canal en boîtier 8-SMD

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Transistors

Familles de transistors : Les transistors BJT, BRT, JFET et Darlington couvrent une plage de tensions d'environ 10 V à 800 V avec des options de plus de 10 A. Dotés d'une faible tension de saturation [VCE(sat)], d'un gain en courant (hFE) élevé et d'une forte tolérance aux décharges électrostatiques, ils permettent un entraînement efficace et une commutation fiable dans les systèmes automobiles, industriels et grand public.

Intégration intelligente : Les transistors à résistance de polarisation (17 combinaisons de résistances en boîtiers simples/doubles) réduisent la nomenclature et l'encombrement sur la carte. Les transistors JFET à faible capacité Miller (environ 10 V – 40 V) stabilisent les amplificateurs RF, tandis que les transistors Darlington NPN/PNP (environ 30 V – 400 V, Ic ~0,3 A – 50 A, gain jusqu'à ~30 000) simplifient la commande, faisant des BJT une alternative rentable aux MOSFET aux points de fonctionnement appropriés.

Conception accélérée : La plateforme Treo rationalise les cycles de sélection et de conception.

BJT

  • 10 V à 800 V
  • Boîtiers mesurant seulement 1,0 x 0,6 mm2
  • Les appareils audio et dispositifs d'alimentation supportent > 10 A
  • Dispositifs à faible VCE Sat disponibles
  • Alternative rentable aux MOSFET
  • Résistance RDSON équivalente de 30 milliohms
  • Tolérance élevée aux décharges électrostatiques (DES)

BRT

  • Transistor bipolaire à résistances de polarisation intégrées
  • Économies d'espace carte et de coûts
  • 17 combinaisons de résistances différentes
  • Simples et doubles
  • Plus de 350 options disponibles

JFET

  • 10 V à 40 V
  • Boîtiers mesurant seulement 1,0 x 0,6 mm2
  • Faible capacité Miller
  • Dispositifs sélectionnés optimisés pour une utilisation sur des amplificateurs RF
  • Plus de 50 dispositifs au choix
Découvrez ici les produits de transistors d'onsemi

Produits phares

NST3904MX2T5G

NST3904MX2T5G

Transistor bipolaire (BJT) NPN 40 V, 200 mA, 250 MHz, 165 mW, montage en surface, boîtier 3-X2DFN (1x0,6)

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MMBT5551M3T5G

MMBT5551M3T5G

Transistor bipolaire (BJT) NPN 160 V, 60 mA, 265 mW, montage en surface, boîtier SOT-723

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NST1602CLTWG

NST1602CLTWG

Transistor bipolaire (BJT) NPN 160 V, 1,5 A, 100 MHz, 800 mW, montage en surface, boîtier 8-LFPAK

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Protection

Protection : Les dispositifs de protection d'onsemi sécurisent chaque interface avec une couverture contre les décharges électrostatiques (ESD) à bas niveau de tension de blocage et contre les surtensions. (~1 V – 70 V). Ils sont disponibles en formats simple, double et matriciel pour les lignes haute vitesse, d'alimentation, GPIO et de batterie.

Intégrité du signal et conception compacte : Certains composants offrent une perte d'insertion maximale garantie afin de maintenir la qualité du signal, avec des boîtiers ultra-compacts (~1,0 × 0,6 mm²), parfaitement adaptés aux configurations automobiles, industrielles et grand public à forte densité.

Filtrage EMI intégré : Les filtres EMI avec protection contre les décharges électrostatiques offrent une forte atténuation dans les bandes de fréquences clés, avec des options de mode commun et LC/RC pour les lignes asymétriques.

Options de limitation de tension : Les diodes Zener complémentaires (~1,8 V – 200 V, ~0,2 W – 5 W) assurent un blocage contrôlé, le tout pris en charge par la plateforme Treo afin d'accélérer la conception au niveau du système.

Protection contre les décharges électrostatiques (DES) et les surtensions

  • Densité de puissance la plus élevée du secteur
  • Faible tension de blocage
  • 1 V à 70 V
  • Simples, doubles et matrices
  • Réponse optimisée pour chaque interface : ligne électrique, haute vitesse. GPIO, ligne de batterie
  • Perte d'insertion maximale garantie sur certains dispositifs

Filtres EMI

  • Filtres avec protection intégrée contre les décharges électrostatiques et les surtensions
  • Mode commun pour les lignes différentielles et options LC, RC pour les lignes asymétriques
  • Atténuation élevée sur les bandes d'intérêt
  • Excellente tension de blocage
  • Dispositifs individuels et matrices, plus de 50 dispositifs disponibles

CCR (régulateurs de courant constant)

  • Circuits d'attaque qui fournissent un courant fixe aux LED
  • Solution économique par rapport aux régulateurs à découpage
  • Aucune génération EMI
  • Fonctionnement de 45 à 120 V
  • Sortie fixe à 2 bornes, sortie configurable à 3 bornes
Découvrez ici les produits de protection d'onsemi

Produits phares

ESDM1051MX4T5G

ESDM1051MX4T5G

Diode TVS à montage en surface, blocage Ipp 10 V, 12,5 A (8/20 µs), boîtier 2-X4DFN (0,45x0,24)

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EMI7112FCTAG

EMI7112FCTAG

Filtre EMI LC (Pi) passe-bas du 3e ordre, 2 canaux, C = 250 pF (total), 350 mA, boîtier 5-UFBGA, WLCSP

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ESD9R3.3ST5G

ESD9R3.3ST5G

Diode TVS à montage en surface, blocage Ipp 7,8 V, 1 A (8/20 µs), boîtier SOD-923

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Diodes

Solutions à diodes : onsemi propose des redresseurs Schottky et standard optimisés pour le rendement Vf/IF et une faible récupération, disponibles en formats simple, double et en pont. La gamme comprend une option compacte à fort courant (~500 mA / 30 V) inédite dans le secteur, au format de boîtier 01005.

Contrôle précis de la tension : Les diodes Zener complémentaires (~1,8 V – 200 V, ~0,2 W – 5 W) permettent un blocage précis et des références de tension sur une large gamme de boîtiers, ce qui est idéal pour les conceptions à espace restreint.

Développement accéléré : Pris en charge par la plateforme Treo pour rationaliser les cycles de conception au niveau système.

Diodes Zener

  • 1,8 V - 200 V
  • 2 W - 5 W
  • Grande variété de boîtiers
  • Dispositifs mesurant seulement 0,62 x 0,32 mm2

Diodes Schottky et à petit signal

  • Les spécifications optimisées de tension V et de courant IR augmentent le rendement énergétique et réduisent l'encombrement
  • Temps de récupération courts
  • Configurations simples, doubles et en pont disponibles
  • Large choix de boîtiers
  • Première diode Schottky de 500 mA, 30 V en format de boîtier 01005 dans l'industrie

Composants RF discrets

  • Transistors à effet de champ (JET) et transistors bipolaires RF pour circuits d'amplification
  • Diodes PIN pour atténuateurs
  • Diodes Schottky pour détecteurs d'enveloppe
  • Commutateurs SPDT 8,5 GHz
  • Protection contre les décharges électrostatiques pour les antennes
Découvrez ici les produits de diodes d'onsemi

Produits phares

NZD3V9MUT5G

NZD3V9MUT5G

Diode Zener de 3,9 V, 200 mW ±5 %, montage en surface, boîtier 2-X3DFN (0,6 x 0,3) (0201)

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NZ8F2V7SMX2WT5G

NZ8F2V7SMX2WT5G

Diode Zener de 2,7 V, 250 mW ±5,93 %, montage en surface, boîtier 2-X2DFNW (1x0,6) flanc mouillable

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MM3Z2V7T1G

MM3Z2V7T1G

Diode Zener de 2,7 V, 300 mW ±7 %, montage en surface, boîtier SOD-323

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