MOSFET PowerTrench®

Les MOSFET série T10 d'onsemi en boîtier compact de 5 mm x 6 mm offrent une faible charge de grille totale et des caractéristiques de récupération améliorées

Image des MOSFET PowerTrench® d'onsemiLes MOSFET PowerTrench d'onsemi représentent un bond en avant en termes de rendement et de performances. La transition des séries T6/T8 à la série T10 a été marquée par des améliorations substantielles de la résistance à l’état passant et des performances de commutation, qui sont essentielles pour les conceptions sensibles à la consommation d'énergie. La série T10 offre une résistance à l’état passant optimale dans un boîtier compact de 5 mm x 6 mm, offrant une charge de grille totale inférieure et des caractéristiques de récupération améliorées, ce qui se traduit par une réduction de l'énergie perdue sous forme de chaleur, une meilleure fiabilité et des performances accrues dans les applications de commutation haute fréquence.

Les MOSFET T10 présentent une tenue en courant d'avalanche et en énergie plus élevée, ce qui garantit leur robustesse dans des conditions extrêmes. Ces progrès ne sont pas seulement progressifs : ils sont porteurs de transformations, permettant de créer des dispositifs électroniques plus compacts, plus efficaces et plus puissants. Des convertisseurs CC/CC aux entraînements de moteurs, la technologie PowerTrench s'est imposée comme la référence en matière de solutions de gestion de l'alimentation.

Fonctionnalités
  • Réduction des pertes de commutation à une fréquence plus élevée
  • Meilleure dissipation thermique
  • Pertes par conduction améliorées grâce à une résistance RDS(ON) plus faible
  • Boîtiers plus petits et à densité de puissance plus élevée
  • MOSFET T10 de 40 V à 80 V qualifiés AEC
  • Réduction de 30 à 40 % de la résistance spécifique Rsp par rapport à la génération précédente
  • Réduction de moitié de Qg, Qsw et Qoss
  • Diode à récupération plus douce et Qrr plus faible
  • Augmentation de 10 % de la capacité UIS
Applications
  • Data centers
  • Étages de conversion de puissance CC/CC
  • Utilisation générale et adaptée à de nombreuses applications différentes

PowerTrench® MOSFETs

ImageRéférence fabricantDescriptionQuantité disponiblePrixAfficher les détails
40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PANTMFS0D4N04XMT1G40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PA2069 - Immédiatement
1500 - Stock usine
$5.20Afficher les détails
40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PANTMFS0D5N04XMT1G40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PA1570 - Immédiatement$4.80Afficher les détails
40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PANTMFS0D6N04XMT1G40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PA0 - Immédiatement$4.46Afficher les détails
40V T10M IN S08FL PACKAGENTMFS0D7N04XMT1G40V T10M IN S08FL PACKAGE666 - Immédiatement$3.53Afficher les détails
40V T10M IN S08FL PACKAGENTMFS1D1N04XMT1G40V T10M IN S08FL PACKAGE851 - Immédiatement$3.38Afficher les détails
40V T10M IN S08FL PACKAGENTMFS1D3N04XMT1G40V T10M IN S08FL PACKAGE2030 - Immédiatement$2.88Afficher les détails
40V T10M IN S08FL PACKAGENTMFS2D3N04XMT1G40V T10M IN S08FL PACKAGE1321 - Immédiatement$2.34Afficher les détails
40V T10M IN S08FL PACKAGENTMFS3D1N04XMT1G40V T10M IN S08FL PACKAGE1435 - Immédiatement
10500 - Stock usine
$1.98Afficher les détails
MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNENTMFWS1D5N08XT1GMOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE3559 - Immédiatement
3000 - Stock usine
$5.83Afficher les détails
T10 80V STD NCH MOSFET SO8FLNTMFS2D1N08XT1GT10 80V STD NCH MOSFET SO8FL1944 - Immédiatement$4.53Afficher les détails
T10 80V STD NCH MOSFET SO8FLNTMFS2D5N08XT1GT10 80V STD NCH MOSFET SO8FL2890 - Immédiatement$4.10Afficher les détails
T10 80V STD NCH MOSFET SO8FLNTMFS3D0N08XT1GT10 80V STD NCH MOSFET SO8FL1772 - Immédiatement$3.80Afficher les détails
T10 80V STD NCH MOSFET SO8FLNTMFS3D5N08XT1GT10 80V STD NCH MOSFET SO8FL284 - Immédiatement$3.25Afficher les détails
T10 80V STD NCH MOSFET SO8FLNTMFS4D0N08XT1GT10 80V STD NCH MOSFET SO8FL1636 - Immédiatement$2.88Afficher les détails
MOSFET, POWER 80V SINGLE N-CHANNNTBLS0D8N08XTXGMOSFET, POWER 80V SINGLE N-CHANN1963 - Immédiatement$10.70Afficher les détails
PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET, HENTMFS3D2N10MDT1GPTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET, HE75 - Immédiatement$6.27Afficher les détails
N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRENTMFS4D2N10MDT1GN-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE167 - Immédiatement$4.80Afficher les détails
PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET, U8NTTFS012N10MDTAGPTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET, U821 - Immédiatement$3.31Afficher les détails
Date de publication : 2024-09-09