onsemi

MOSFET série NVBYST

La résistance thermique des MOSFET de puissance à canal N simple série NVBYST d'onsemi est améliorée d'environ 30 à 40 % par rapport aux MOSFET à refroidissement par le bas (10 mm x 12 mm)

Image des MOSFET série NVBYST d'onsemiLes MOSFET PowerTrench® T10 80 V série NVBYST d'onsemi, avec qualification automobile, sont disponibles dans un boîtier TCPAK1012 à refroidissement par le haut. Ces MOSFET bénéficient d'une qualification AEC-Q101 et sont compatibles PPAP pour les conceptions d'alimentation automobile à haut rendement.

Fonctionnalités
  • Excellente résistance RDS(on) très faible de 0,56 mΩ
  • Amélioration de la résistance thermique d'environ 30 à 40 % par rapport à un refroidissement par le bas (10 mm x 12 mm)
  • Réduction de l'impédance thermique jusqu'à environ 50 % par rapport aux composants de 10 mm x 12 mm à refroidissement par le bas, garantissant une excellente capacité de traitement des impulsions
  • Surface maximale du plot exposé : 55 mm2
  • Conception compacte : boîtier mesurant 10 mm x 12 mm
  • Décalage vertical négatif
  • Conformité dépassant les exigences de qualification de la norme AEC-Q101
  • Compatibilité PPAP
Applications
  • Convertisseurs CC/CC de 48 V à 12 V
  • Contrôleurs de moteur dans les véhicules électriques à deux et trois roues
  • Systèmes de gestion de batteries
  • Générateurs‑démarreurs à courroie (BSG) 48 V
  • Redresseurs synchrones - Chargeurs embarqués

NVBYST Series MOSFETs

ImageRéférence fabricantDescriptionQuantité disponiblePrixAfficher les détails
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Date de publication : 2026-03-30