Circuit d'attaque de grille demi-pont 650 V hautes performances NCP51820 pour commutateurs d'alimentation en GaN

Le circuit d'attaque de grille haute vitesse NCP51820 d'ON Semiconductor est conçu pour répondre aux exigences strictes de commande de commutateurs d'alimentation HEMT GaN GIT (Gate Injection Transistor) et à mode d'enrichissement, dans les topologies d'alimentation hors ligne en demi-pont. Le NCP51820 offre des temps de propagation courts et adaptés ainsi qu'une plage de tensions de mode commun de -3,5 V à +650 V (typique) pour la commande haut potentiel. Pour protéger complètement la grille du transistor de puissance en GaN contre les contraintes de tension excessives, les deux étages d'attaque utilisent un régulateur de tension dédié pour maintenir avec précision l'amplitude du signal d'attaque de grille-source. Le NCP51820 offre des fonctions de protection importantes telles que le blocage thermique du circuit intégré et le verrouillage en cas de sous-tension indépendant (UVLO).

Ressources

• Note d'application : Circuit d'attaque en GaN NCP51820, conception et disposition de circuits imprimés
• Documentation technique : La différence entre les transistors en GaN et en SiC