Transistor MRF13750H 750 W à ondes entretenues

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            Transistor MRF13750H 750 W à ondes entretenues
  
                    Le transistor de puissance RF LDMOS MRF13750H de NXP Semiconductor est conçu pour les applications industrielles, scientifiques et médicales (ISM) dans la plage de fréquences allant de 700 MHz à 1300 MHz

Image du transistor MRF13750H 750 W à ondes entretenues de NXP Semiconductor Le transistor MRF13750H de NXP Semiconductor fournit 750 W à ondes entretenues pour les applications de 915 MHz. Ce dispositif peut être utilisé pour les applications à ondes entretenues et il intègre une protection contre les décharges électrostatiques. Il est adapté aux applications linéaires avec polarisation appropriée et entrée adaptée en interne pour une facilité d'utilisation. Ce dispositif peut être utilisé pour remplacer les tubes magnétron de grande puissance en offrant une fiabilité et un contrôle supérieurs. Le transistor de puissance MRF13750H offre un contrôle précis de la puissance sur toute la plage entre 700 MHz et 1300 MHz.

Fonctionnalités

Applications

Entrée adaptée en interne pour une facilité d'utilisation
Peut être utilisé dans une configuration asymétrique ou de type push-pull
Convient aux applications linéaires avec polarisation appropriée
Protection DES intégrée
Inclus dans le programme de longévité des produits de NXP assurant un approvisionnement pendant un minimum de 15 ans
Gain de 19,5 dB