Transistors de puissance RF LDMOS

Les transistors de puissance RF LDMOS de NXP sont disponibles en boîtiers TO-247 et TO-220 standard

Image des transistors de puissance RF LDMOS de NXPNXP Semiconductors propose deux blocs de puissance qui promettent d'étendre l'industrie de puissance RF et de devenir un standard pour les années à venir. La simplicité de ces transistors LDMOS réside dans la disponibilité conjointe de puissance RF dans des boîtiers de puissance TO-247 et TO-220 standard, pour un montage aisé. Les boîtiers TO-247 et TO-220 permettent de monter les transistors de puissance RF grâce à une simple technologie à trou traversant, éliminant le recours à un processus de soudure par refusion complexe, ce qui simplifie considérablement la fabrication. Les circuits de référence compacts peuvent être réutilisées de 1,8 MHz à 250 MHz, ce qui résulte en des économies considérables et en une chaîne d'approvisionnement simplifiée pour la plupart des systèmes HF et VHF.

Fonctionnalités
  • Réutilisation de conception PA sur les fréquences
    • Le MRF300AN est pris en charge par une série de circuits de référence à bande étroite qui partagent la même configuration de carte à circuit imprimé (5,1 cm x 7,1 cm), permettant aux concepteurs RF de générer des amplificateurs de puissance pour répondre aux exigences d'autres fréquences rapidement
  • Configurations à deux broches permettant des conceptions large bande
    • Les solutions 100 W et 300 W sont disponibles en versions à 2 broches se reflétant mutuellement pour prendre en charge les configurations push-pull
  • Montage économique et flexible
    • Les nombreuses options de montage offrent une grande flexibilité contribuant à réduire davantage la nomenclature et les délais de commercialisation
    • Les boîtiers TO-247 et TO-220 standard permettent de monter les transistors de puissance RF avec une simple technologie à trou traversant, éliminant le recours à un processus de soudure par refusion complexe, ce qui simplifie considérablement la fabrication
Applications
  • Applications industrielles, scientifiques et médicales (ISM)
    • Génération de laser
    • Gravure plasma
    • Accélérateurs de particules
    • IRM et autres applications médicales
    • Systèmes de chauffage industriel, de soudage et de séchage
  • Diffusion
    • Radiodiffusion
    • Télédiffusion VHF
  • Alimentations à découpage
  • Aérospatiale
    • Radiophare omnidirectionnel VHF (VOR)
    • Communications HF et VHF
    • Radar
  • Radio mobile
    • Stations de base VHF et UHF
    • Radio amateur

LDMOS RF Power Transistors

ImageRéférence fabricantDescriptionQuantité disponiblePrixAfficher les détails
RF MOSFET LDMOS 50V TO247MRF300BNRF MOSFET LDMOS 50V TO2470 - Immédiatement$122.50Afficher les détails
RF MOSFET LDMOS 50V TO247MRF300ANRF MOSFET LDMOS 50V TO247455 - Immédiatement$123.74Afficher les détails

Development Boards

ImageRéférence fabricantDescriptionQuantité disponiblePrixAfficher les détails
MRF300A REF BOARD 40.68MHZ 330WMRF300A-40MHZMRF300A REF BOARD 40.68MHZ 330W0 - Immédiatement$521.35Afficher les détails
MRF300AN REF BRD 27MHZ 330WMRF300A-27MHZMRF300AN REF BRD 27MHZ 330W0 - Immédiatement$521.35Afficher les détails
Date de publication : 2018-06-20