Mémoire EERAM série SPI

Gamme de mémoire SRAM série non volatile de Microchip Technology

Image de la mémoire EERAM série SPI de Microchip La technologie EERAM de Microchip Technology est une mémoire SRAM série autonome qui inclut une sauvegarde non volatile fantôme. La mémoire EERAM utilise un petit condensateur externe pour fournir l'énergie nécessaire au mouvement du contenu de la SRAM vers les cellules non volatiles en cas de perte d'alimentation du système. Contrairement à la mémoire nvSRAM, aucune batterie externe n'est nécessaire. L'EERAM offre des cycles de lecture et d'écriture SRAM illimités et plus de 100 000 sauvegardes sur les cellules non volatiles. VCC est surveillé à l'intérieur du circuit intégré et peut gérer automatiquement le mouvement des données entre la SRAM et la mémoire non volatile en cas de toute interruption de l'alimentation. L'EERAM rend possible un nombre illimité d'opérations d'écriture dans l'ensemble SRAM, ce qui permet aux utilisateurs d'écrire en permanence sur le dispositif. Étant donné que les événements de perte d'alimentation sont généralement aléatoires ou imprévisibles, l'EERAM fonctionne pour des applications qui ne peuvent absolument pas se permettre de perdre les données SRAM changeant rapidement en cas de perte d'alimentation soudaine. Elle offre aux concepteurs de systèmes de surveillance ou de boîtes noires/systèmes d'enregistrement de données un moyen sûr et précis pour stocker automatiquement, et de manière fiable et sécurisée, les derniers octets de données avant l'événement de perte d'alimentation. Le condensateur connecté à la broche VCAP fournit l'énergie nécessaire pour copier en toute sécurité le contenu de la RAM vers la sauvegarde non volatile sécurisée lors d'une perte d'alimentation. Lors de la mise sous tension, les données sont rappelées automatiquement des cellules non volatiles vers la mémoire SRAM.

Applications
  • SRAM série 8 bits avec sauvegarde interne non volatile des données
  • Interface périphérique série (SPI) haute vitesse : jusqu'à 66 MHz avec entrées à bascule de Schmitt pour la suppression du bruit
  • Technologie CMOS faible puissance :
    • Courant actif : 5 mA (max)
    • Courant de veille : 500 μA (max)
    • Courant de mise en veille prolongée : 3 μA (max)
  • La sauvegarde non volatile basée sur les cellules reflète l'ensemble SRAM cellule par cellule et transfère toutes les données vers/depuis les cellules SRAM en parallèle (toutes les cellules en même temps)
  • Transferts de données invisibles à l'utilisateur : niveau VCC surveillé à l'intérieur du dispositif, SRAM automatiquement enregistrée en cas d'interruption d'alimentation, et SRAM automatiquement restaurée au retour de V CC
  • 100 000 sauvegardes minimum (à +20°C)
  • Conservation des données : 100 ans (à +20°C)
  • Plage de tensions de fonctionnement : 2,7 V à 3,6 V
  • Plage de températures industrielle (I) de -40ºC à +85ºC, étendue (E) de -40ºC à +125ºC
  • Boîtier 8-SOIC (largeur 3,8 mm)
  • Densités plus élevées pour une couverture d'application plus large (64 kbit à 1 Mbit)
  • Option CRC pour lecture et écriture sécurisées
  • Préservation des données de manière fiable lors de tout événement de perte d'alimentation
  • Stockage des données automatiquement et en toute sécurité en cas de perte de l'alimentation
  • Restauration automatique des données sur la SRAM à chaque mise sous tension
  • Aucune batterie nécessaire
  • Lecture et écriture illimitées vers la mémoire SRAM série standard
  • Autant d'opérations d'écriture vers la mémoire que souhaité par l'utilisateur
  • Autant d'opérations de lecture depuis la mémoire que souhaité par l'utilisateur
  • Les écritures et les lectures peuvent être consultées de manière aléatoire un octet à la fois, ou peuvent constituer des rafales de lectures et d'écritures
  • Solution SRAM non volatile la plus économique, en utilisant des cellules de mémoire CMOS standard à la fois pour la SRAM et le non volatile
  • Beaucoup plus économique que les technologies FRAM et nvSRAM concurrentes
  • Basse consommation énergétique

EERAM IC’s

ImageRéférence fabricantDescriptionOrganisation de la mémoireBoîtierQuantité disponiblePrixAfficher les détails
IC EERAM 16KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP47L16-I/STIC EERAM 16KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP2K x 88-TSSOP (0,173po, 4,40mm de largeur)331 - Immédiatement$1.37Afficher les détails
IC EERAM 16KBIT I2C 1MHZ 8SOIC47L16-I/SNIC EERAM 16KBIT I2C 1MHZ 8SOIC2K x 88-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)4925 - Immédiatement$1.26Afficher les détails
IC EERAM 16KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP47L16-E/STIC EERAM 16KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP2K x 88-TSSOP (0,173po, 4,40mm de largeur)882 - Immédiatement$1.51Afficher les détails
IC EERAM 16KBIT I2C 1MHZ 8SOIC47L16-E/SNIC EERAM 16KBIT I2C 1MHZ 8SOIC2K x 88-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)1151 - Immédiatement$1.37Afficher les détails
IC EERAM 4KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP47L04-I/STIC EERAM 4KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP512 x 88-TSSOP (0,173po, 4,40mm de largeur)269 - Immédiatement$1.20Afficher les détails
IC EERAM 4KBIT I2C 1MHZ 8SOIC47L04-I/SNIC EERAM 4KBIT I2C 1MHZ 8SOIC512 x 88-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)3336 - Immédiatement$1.07Afficher les détails
IC EERAM 16KBIT I2C 1MHZ 8DIP47C16-E/PIC EERAM 16KBIT I2C 1MHZ 8DIP2K x 88-DIP (0,300po, 7,62mm)334 - Immédiatement$1.72Afficher les détails
IC EERAM 4KBIT I2C 1MHZ 8SOIC47C04-I/SNIC EERAM 4KBIT I2C 1MHZ 8SOIC512 x 88-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)595 - Immédiatement$1.07Afficher les détails
IC EERAM 16KBIT I2C 1MHZ 8SOIC47C16-I/SNIC EERAM 16KBIT I2C 1MHZ 8SOIC2K x 88-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)518 - Immédiatement$1.26Afficher les détails

Development Kit

ImageRéférence fabricantDescriptionQuantité disponiblePrixAfficher les détails
EVAL BOARD FOR 47XXXAC500100EVAL BOARD FOR 47XXX2 - Immédiatement$69.51Afficher les détails
Date de publication : 2020-03-06