Diode Schottky en carbure de silicium 1200 V SICWT40120G6M
La diode Schottky SiC SICWT40120G6M de MCC intègre la technologie MPS pour une faible fuite, une grande robustesse aux surtensions et des performances de commutation rapides
La SICWT40120G6M de Micro Commercial Components (MCC) est une diode Schottky en carbure de silicium 1200 V hautes performances, conçue pour les applications de commutation à haute puissance et haut rendement. Logé dans le boîtier TO-247AD robuste, ce dispositif est optimisé pour les systèmes d'alimentation exigeants nécessitant une forte capacité thermique, des pertes de commutation minimales et un fonctionnement fiable dans des conditions extrêmes.
Conçue avec la technologie MPS (Schottky à PiN fusionnées) avancée, la SICWT40120G6M combine les caractéristiques de commutation rapide des diodes Schottky avec un meilleur contrôle des fuites et une plus grande robustesse face aux surtensions. Avec une capacité de courant direct continu jusqu'à 90 A, une résistance aux surtensions de 330 A, une tension directe de 1,65 V à +25°C, un courant de fuite de seulement 1 µA et un fonctionnement jusqu'à une température de jonction de +175°C, elle permet aux concepteurs d'accroître le rendement du système, de réduire les exigences thermiques et d'améliorer la densité de puissance dans les applications industrielles, énergétiques et de traction.
Fonctionnalités
- Technologie MPS (Schottky à PiN fusionnées) offrant une faible fuite, une grande robustesse aux surtensions et des performances de commutation rapides
- Absence de courant de recouvrement inverse éliminant les pertes par recouvrement, permettant ainsi un meilleur rendement à haute fréquence
- Haute tenue en courant de IF = 90 A et IFSM = 330 A à +25°C, prenant en charge les étages exigeants de conversion de puissance et de commande de moteur
- Valeur nominale VRRM de 1200 V, adaptée aux architectures de puissance et de redressement haute tension
- Faible tension directe (VF = 1,65 V à +25°C), réduisant les pertes par conduction et la génération de chaleur
- Faible courant de fuite (IR ≤ 25 µA à +25°C) pour des performances stables à haute température
- Vaste plage de températures de jonction de -55°C à +175°C, permettant la conception de systèmes haute température
- Coefficient de température positif, contribuant à prévenir l'emballement thermique
- Époxy conforme à la norme d'inflammabilité UL 94 V-0
- Sans halogène et conforme à RoHS, répondant aux exigences environnementales mondiales
- Alimentations à découpage
- Correction du facteur de puissance (PFC)
- Entraînements de moteurs et systèmes de traction
- Bornes de recharge
SICWT40120G6M 1200 V Silicon Carbide Schottky Diode
| Image | Référence fabricant | Description | Quantité disponible | Prix | Afficher les détails | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | SICWT40120G6M-BP | SIC SCHOTTKY DIODE,TO-247AD | 187 - Immédiatement | $12.99 | Afficher les détails |



