Redresseurs à série de diodes Schottky SiC 1200 V de qualité automobile, disponibles en différents boîtiers

Les diodes Schottky SiC 1200 V qualifiées AEC-Q101 de Micro Commercial Components offrent des pertes de commutation ultrafaibles et une conversion de puissance à haute température

Image de redresseurs SiC 1200 V de qualité automobile de MCC, en boîtiers DPAK et TO-220ACLa série de diodes Schottky en carbure de silicium (SiC) Gen 4 1200 V de Micro Commercial Components constitue une gamme de diodes Schottky SiC qualifiées pour l'automobile, conçues pour offrir un rendement supérieur, un recouvrement inverse négligeable et des performances stables à haute température pour les systèmes d'alimentation exigeants. Disponible en boîtiers DPAK et TO-220AC, cette série prend en charge à la fois les conceptions compactes à montage en surface et les applications traversantes haute puissance nécessitant une forte dissipation thermique et une robustesse électrique.

Utilisant la technologie avancée de jonction Schottky (JBS), ces dispositifs associent les caractéristiques de commutation rapide des diodes Schottky avec un meilleur contrôle des fuites et une plus grande robustesse face aux surtensions. Cette série offre une tension directe de seulement 1,38 V, un courant de fuite de seulement 0,1 µA, une charge capacitive de seulement 10,2 nC et un fonctionnement jusqu'à une température de jonction de +175°C, ce qui permet aux concepteurs de réduire les pertes de commutation, d'augmenter le rendement et d'améliorer la densité de puissance dans les étages de correction du facteur de puissance, les alimentations industrielles, les onduleurs solaires, les systèmes de charge de véhicules électriques et les entraînements de moteurs.

Fonctionnalités
  • Absence de courant de recouvrement inverse éliminant les pertes par recouvrement inverse, permettant ainsi un rendement plus élevé
  • Conformité à la norme AEC-Q101, garantissant la fiabilité pour les applications automobiles et en environnements difficiles
  • Valeur nominale VRRM de 1200 V, prenant en charge les architectures de redressement haute tension et de conversion de puissance
  • Tension directe minimale de 1,38 V, minimisant les pertes par conduction et les contraintes thermiques
  • Courant de fuite ultrafaible (jusqu'à 0,1 µA) pour une meilleure stabilité à haute température
  • Capacité de surcharge élevée jusqu'à 85 A, supportant les transitoires de charge exigeants
  • Charge capacitive de seulement 10,2 nC, réduisant les pertes d'énergie de commutation dans les circuits à commutation rapide
  • Plage de température de jonction de fonctionnement : -55°C à +175°C, permettant la conception de systèmes haute température
  • Coefficient de température positif, contribuant à prévenir l'emballement thermique
  • Conformité à la norme RoHS et sans halogène, et respect des normes environnementales internationales
Applications
  • Alimentations à découpage (SMPS)
  • Correction du facteur de puissance (PFC)
  • Onduleurs solaires
  • Systèmes d'alimentation industriels
  • Infrastructure de recharge de véhicules électriques
  • Entraînements de moteurs et systèmes de traction

SiC Schottky Diode Series 1200 V Automotive-Grade SiC Rectifiers in Various Package Sizes

ImageRéférence fabricantDescriptionCourant - Moyen redressé (Io)Quantité disponiblePrixAfficher les détails
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Date de publication : 2026-04-07