MOSFET à canal P 30 V MCAC3D0P03L-TP en boîtier DFN5060

Le MOSFET à canal P 30 V MCAC3D0P03L-TP de MCC offre 3,0 mΩ et 40 A dans un boîtier compact de 5 mm x 6 mm pour la commutation haut potentiel à fort courant

Image du MOSFET à canal P 30 V MCAC3D0P03L-TP de MCC en boîtier DFN5060Le MCAC3D0P03L-TP de Micro Commercial Components (MCC) est un MOSFET à canal P hautes performances dans un boîtier DFN5060 compact. Ce dispositif est conçu pour simplifier la conception de commutateurs haut potentiel, en combinant une faible résistance à l'état passant de 3,0 mΩ avec un courant nominal continu robuste de 120 A. Il offre aux concepteurs une solution compacte et à haut rendement pour contrôler les rails d'alimentation dans les applications à espace restreint.

Fonctionnalités

  • Faible résistance RDS(ON) de 3,0 mΩ (max.) à VGS = 10 V, réduisant ainsi les pertes par conduction et améliorant le rendement global du système
  • Technologie de MOSFET basse tension à tranchées, optimisée pour de faibles pertes de commutation et des rendements plus élevés
  • La résistance thermique plus faible de 0,82°C/W jonction-boîtier permet au dispositif de transférer efficacement la chaleur vers le circuit imprimé, assurant un fonctionnement stable à haute puissance sans blocage thermique immédiat
  • La tension drain-source de 30 V (VDS) est parfaitement adaptée aux applications de bus d'alimentation 12 V, offrant une marge de fonctionnement suffisante
Applications
  • Distribution de puissance et commutation de charge dans les serveurs, les systèmes de stockage et les équipements réseau
  • Systèmes de gestion de batteries (BMS)
  • Unités de gestion de l'alimentation
  • Convertisseurs CC/CC

MCAC3D0P03L-TP 30 V P-Channel MOSFET in DFN5060 Package

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P-CHANNEL MOSFET,DFN5060
MCAC3D0P03L-TPP-CHANNEL MOSFET,DFN50604771 - Immédiatement$3.45Afficher les détails
Date de publication : 2025-12-08