MOSFET SiC IXSJxxN120R1

La série IXSJxxN120R1 de MOSFET en carbure de silicium (SiC) d'IXYS/Littelfuse offre des performances exceptionnelles pour les systèmes de conversion de puissance haute tension et à rendement élevé. Avec une tension de blocage pouvant atteindre 1200 V et une faible résistance typique à l'état passant de seulement 18 mΩ, ces dispositifs sont optimisés pour les applications nécessitant une commutation rapide, de faibles pertes par conduction et des performances thermiques supérieures. Ces dispositifs présentent une faible charge de grille et une faible capacité d'entrée, ce qui permet de réduire la puissance d'attaque de grille et de minimiser les pertes de commutation. Ils se prêtent tout particulièrement à une utilisation dans les infrastructures de recharge de véhicules électriques (VE), les onduleurs solaires et les alimentations haute fréquence.

Conditionnés dans un boîtier de format TO-247-3L isolé, les MOSFET IXSJxxN120R1 offrent une gestion thermique et une isolation électrique améliorées, garantissant un fonctionnement robuste dans des environnements difficiles. Leur large plage de tensions de grille et leurs faibles caractéristiques EMI (interférences électromagnétiques) en font un choix polyvalent pour les concepteurs cherchant à améliorer le rendement et la fiabilité des systèmes. Qu'ils soient utilisés dans des entraînements de moteurs, des chargeurs de batterie ou des alimentations secourues, ces MOSFET SiC offrent les performances et la durabilité nécessaires à l'électronique de puissance de nouvelle génération.