IXYS Integrated Circuits Division

Circuits d'attaque de grille bas potentiel

Les circuits d'attaque de grille d'IXYS, a Littelfuse Technology sont bien adaptés comme interface avec des IGBT et des MOSFET de puissance robustes

Image du circuit d'attaque de grille bas potentiel d'IXYS, a Littelfuse Technology pour MOSFET et IGBT SiCIXYS, a Littelfuse Technology, propose un vaste portefeuille de circuits intégrés d'attaque de grille bas potentiel, capables de générer et d'absorber des courants nominaux allant de 1,5 A à 30 A et des tensions de fonctionnement atteignant 40 V. La famille d'entrées de circuits d'attaque de grille d'IXYS, a Littelfuse Technology est compatible avec la logique TTL et CMOS en vue d'une utilisation avec de nombreux fabricants de microcontrôleurs comme Zilog pour la commande numérique de puissance. Ces circuits d'attaque de grille sont également bien adaptés en tant qu'interface avec les IGBT et MOSFET de puissance robustes proposés par IXYS, a Littelfuse Technology, et ils sont compatibles avec d'autres fabricants d'IGBT et de MOSFET. Pour des exigences de robustesse supplémentaires, IXYS, a Littelfuse Technology propose des produits homologués AEC-Q100 de qualité automobile, disponibles avec des sorties de 4 A, 5 A, 9 A et 14 A. Ces produits sont disponibles en boîtiers DIP, SOIC, Power-SOIC, DFN, MSP, TO-220 et TO-263 afin de simplifier les exigences de localisation de la conception des boîtiers des produits.

Ressources

Circuits d'attaque de grille pour MOSFET/IGBT - Théorie et applications

Catalogue de produits de circuits intégrés d'IXYS, a Littelfuse Technology

Fonctionnalités
  • L'entrée logique résiste à une excursion négative allant jusqu'à 5 V
  • Temps de montée et de descente adaptés
  • Faibles temps de propagation
 
  • Faible courant d'alimentation de 10 µA
  • Faible impédance de sortie

IX4426/7/8

ImageRéférence fabricantDescriptionQuantité disponiblePrixAfficher les détails
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICIX4427NTRIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC31876 - Immédiatement$2.96Afficher les détails
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFNIX4428MTRIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFN17730 - Immédiatement$1.81Afficher les détails

IXD_602 Series

ImageRéférence fabricantDescriptionQuantité disponiblePrixAfficher les détails
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICIXDF602SIAIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC1003 - Immédiatement$3.70Afficher les détails
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICIXDI602SIATRIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC2048 - Immédiatement$2.21Afficher les détails

IX4310

ImageRéférence fabricantDescriptionQuantité disponiblePrixAfficher les détails
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5IX4310TTRIC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-57420 - Immédiatement$1.30Afficher les détails

IXD_604 Series

ImageRéférence fabricantDescriptionQuantité disponiblePrixAfficher les détails
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICIXDD604SIATRIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC15448 - Immédiatement$3.07Afficher les détails
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICIXDN604SITRIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC1493 - Immédiatement$5.26Afficher les détails

IX4340

ImageRéférence fabricantDescriptionQuantité disponiblePrixAfficher les détails
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICIX4340NIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC999 - Immédiatement$3.03Afficher les détails
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOPIX4340UETRIC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP6748 - Immédiatement
10000 - Stock usine		$1.72Afficher les détails
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICIX4340NTRIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC533 - Immédiatement$1.72Afficher les détails
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICIX4340NEIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC1719 - Immédiatement$1.72Afficher les détails
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOPIX4340UEIC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP979 - Immédiatement$3.03Afficher les détails
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICIX4340NETRIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC2795 - Immédiatement$3.03Afficher les détails

IX4351

ImageRéférence fabricantDescriptionQuantité disponiblePrixAfficher les détails
EVAL BOARD FOR IX4351IX4351-EVALEVAL BOARD FOR IX43510 - Immédiatement$242.53Afficher les détails
IC GATE DRVR LOW-SIDE 16SOICIX4351NEIC GATE DRVR LOW-SIDE 16SOIC1036 - Immédiatement$4.77Afficher les détails
IC GATE DRVR LOW-SIDE 16SOICIX4351NETRIC GATE DRVR LOW-SIDE 16SOIC7498 - Immédiatement$4.77Afficher les détails

IXD_609 Series

ImageRéférence fabricantDescriptionQuantité disponiblePrixAfficher les détails
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFNIXDD609D2TRIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFN8441 - Immédiatement$2.97Afficher les détails
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICIXDI609SIATRIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC16016 - Immédiatement$2.97Afficher les détails

IXD_614 Series

ImageRéférence fabricantDescriptionQuantité disponiblePrixAfficher les détails
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICIXDN614SIIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC11308 - Immédiatement$6.91Afficher les détails
IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263-5IXDI614YIIC GATE DRVR LOW-SIDE TO263-538 - Immédiatement
1000 - Stock usine		$8.58Afficher les détails

IXD_630 Series

ImageRéférence fabricantDescriptionQuantité disponiblePrixAfficher les détails
IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263-5IXDN630YIIC GATE DRVR LOW-SIDE TO263-50 - Immédiatement$14.47Afficher les détails
IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263-5IXDD630MYIIC GATE DRVR LOW-SIDE TO263-50 - Immédiatement$14.47Afficher les détails
Date de publication : 2020-08-21

Related Videos

SiC MOSFET and IGBT Driver 9 A Peak Output – IX4351NE | Datasheet Preview
SiC MOSFET and IGBT Driver 9 A Peak Output – IX4351NE | Datasheet Preview

Date de publication : 2020-03-19

Related Product Highlight

Circuit d'attaque à sortie 2 A pour MOSFET ou IGBT - IX4310T Le dispositif IX4310T d'IXYS, a Littelfuse Technology est un boîtier SOT23 à 5 broches avec une sortie capable de fournir et d'abaisser un courant de crête de 2 A avec une large plage de tensions d'alimentation de 5 V à 24 V.
Circuit d'attaque IGBT et MOSFET SiC avec sortie de crête de 9 A - IX4351NE Le dispositif IX4351NE d'IXYS, a Littelfuse technology a été spécialement conçu pour commander des MOSFET SiC et des IGBT haute puissance.
Circuit intégré d'attaque de grille double 5 A pour IGBT et MOSFET de puissance : IX4340UE Le dispositif IX4340UE d'IXYS, a Littelfuse Technology est un circuit d'attaque de grille double, bas potentiel, à courant élevé, avec 2 sorties capables de de générer et d'absorber jusqu'à 5 A de courant de crête et une tension maximale de 20 V.

Related Articles and Blogs

Webinaire - Solutions SiC et multi-technologies dans de nouveaux boîtiers isolés Découvrez comment les innovations de boîtiers SiC et les solutions de protection aident à surmonter les obstacles de conception de puissance et à améliorer la conception des systèmes.
Les semi-conducteurs à large bande interdite redéfinissent les transports L'ensemble du secteur des transports subit une transformation radicale avec des solutions pour les voitures électriques et hybrides et des transports en commun plus propres.
Semi-conducteurs à large bande interdite dans les applications aérospatiales et satellitaires Les semi-conducteurs à large bande interdite offrent plusieurs avantages dans la conversion de puissance, notamment l'augmentation de la densité de puissance et du rendement, et la réduction de la taille et du poids des systèmes.