MOSFET CoolSiC™ 2300 V XHP™ 2

Les MOSFET d'Infineon Technologies offrent une topologie en demi-pont dans un boîtier standardisé à faible inductance

Image du MOSFET CoolSiC™ 2300 V XHP™ 2 d'InfineonLe module MOSFET CoolSiC 2300 V, 1,0 mΩ XHP 2 d'Infineon Technologies offre une topologie en demi-pont dans un boîtier standardisé à faible inductance. Il tire parti de la technologie d'interconnexion robuste .XT pour une durée de vie accrue et une fiabilité optimale, et est également disponible avec un matériau d'interface thermique (TIM) pré-appliqué pour simplifier l'assemblage et améliorer la cohérence thermique.

Fonctionnalités
  • MOSFET CoolSiC à grille en tranchée de 2,3 kV offrant une fiabilité et une stabilité à long terme éprouvées sur le terrain
  • Faibles pertes par conduction et de commutation avec RDS(ON) de seulement 1,0 mΩ (à +25°C)
  • Boîtier XHP 2 standardisé à faible inductance
  • Technologie d'interconnexion .XT pour une fiabilité optimale et une durée de vie prolongée
Applications
  • Systèmes de stockage d'énergie
  • Traction
  • Énergies renouvelables
  • Onduleurs photovoltaïques

XHP™ 2 2300 V CoolSiC™ MOSFET

ImageRéférence fabricantDescriptionQuantité disponiblePrixAfficher les détails
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Date de mise à jour : 2026-02-05
Date de publication : 2026-01-22