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MOSFET à canal P et à canal N à petits signaux
Les MOSFET d'Infineon sont disponibles dans une variété de niveaux d'attaque de grille et sont optimisés pour diverses applications
Les MOSFET à canal P et à canal N à petits signaux d'Infineon Technologies simplifient la complexité de conception pour diverses applications sur les marchés des biens de consommation, de l'automobile et de l'industrie. Ces produits sont disponibles dans une variété de niveaux d'attaque de grille et présentent une large gamme d'options de résistance à l'état passant (RDS(ON)). Les boîtiers de MOSFET à petits signaux d'Infineon sont optimisés pour diverses applications et circuits, tels que les entraînements à basse tension, les chargeurs de batteries linéaires, la protection des batteries, les commutateurs de charge, les convertisseurs CC/CC, la protection contre la polarité inverse et bien d'autres.
Avantages
- Interface aisée avec le microcontrôleur
- Meilleur rendement à faibles charges grâce à une faible valeur Qg
- Commutation rapide
- Convient aux applications automobiles et exigeantes en matière de qualité
- Réduction de la complexité de conception
- Boîtiers de petites dimensions conformes aux normes de l'industrie
Fonctionnalités
- Plage VDS : -250 V à +600 V
- La plupart des produits sont qualifiés selon la norme AEC-Q101
- Quatre classes VGS(TH)
- Composants du canal P protégés contre les décharges électrostatiques
- Conformité à RoHS et sans halogène
Applications
- Protection des batteries
- Charge de batteries
- Protection contre la polarité inverse
- Éclairage LED
- Commutateurs de charge
- Convertisseurs CC/CC
- Dispositifs de décalage de niveau
- Entraînements à basse tension
Date de publication : 2024-09-25
Canada