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Performances GaN supérieures
Pour un rendement maximal : circuits d'attaque de grille EiceDRIVER™ et HEMT CoolGaN™ d'Infineon
CoolGaN™, la technologie GaN d'Infineon est d'une qualité inégalée, renforcée par la fabrication en interne d'Infineon pour la stabilité de l'approvisionnement. Les produits CoolGaN™ offrent un rendement et une densité de puissance parmi les plus élevés du marché, ce qui est idéal pour les applications qui exigent des performances supérieures. Forte d'une longue expérience et d'un savoir-faire en matière d'applications, Infineon propose des solutions innovantes sur l'ensemble du spectre, allant des solutions système discrètes aux solutions système hautement intégrées.
Pourquoi choisir la technologie GaN d'Infineon ?
Offre technologique complète :
Si + SiC + GaN
Normes de qualité les plus élevées :
HEMT GaN le plus fiable du secteur
Stabilité de l'approvisionnement :
Fabrication en interne
Couverture applicative :
Secteurs industriels, grand public et automobiles
Leadership en matière de propriété intellectuelle :
Plus de 650 brevets spécifiques au GaN
Expertise système :
Commutateur + circuit d'attaque + circuit intégré de commande
Applications cibles :
- Chargeurs/adaptateurs
- Éclairage
- Serveurs
- Télécommunications
- Téléviseurs/moniteurs
- Énergie solaire
- Entraînements de moteurs
Faire le bon choix – solutions discrètes ou IPS
Le graphique permet de déterminer si vous avez besoin d'une solution discrète flexible ou d'un système hautement intégré pour votre prochain projet de conception. L'offre CoolGaN™ propose le produit adapté à vos besoins.
- Solutions discrètes
- Solutions intégrées
- Support de conception
Solution discrète : HEMT CoolGaN™ 600 V GIT à enrichissement + circuits intégrés d'attaque de grille EiceDRIVER™
Le transistor HEMT CoolGaN™ GIT d'Infineon constitue une technologie de transistor GaN (nitrure de gallium) très efficace pour la conversion de puissance sur une plage de tensions jusqu'à 600 V. Infineon a fait évoluer le concept d'enrichissement (e-mode) en produisant des volumes élevés de bout en bout. La qualité pionnière garantit les normes les plus strictes et offre la solution la plus fiable et la plus performante parmi tous les HEMT GaN du marché.
Fonctionnalités clés
- Hautes performances
- Boîtiers CMS refroidis par le haut et le bas
- Haut rendement et densité de puissance élevée
- Excellent comportement thermique dans les applications
Avantages clés
- Concept d'enrichissement unique en son genre
- Excellent pour la commutation douce et dure
- Optimisation de la mise sous et hors tension
- Pas de recouvrement inverse Qrr
- Pas de décalage RDS(on)
- Excellente stabilité Vth
- Meilleur facteur de mérite
- Durée de vie plus longue prouvée
Offre de produits :
| Boîtier RDS(ON) | DSO-20-85 avec refroidissement par le bas  |
DSO-20-87 avec refroidissement par le haut  |
HSOF-8-3 TO à souder  |
LSON-8-1 DFN 8x8 |
TSON-8-3 ThinPAK 5x6 |
|---|---|---|---|---|---|
| 70 mΩ | IGO60R070D1 | IGOT60R070D1 | IGT60R070D1 | IGLD60R070D1 | |
| 190 mΩ | IGLD60R190D1 | IGLR60R190D1 | |||
| 260 mΩ | IGLR60R260D1 | ||||
| 340 mΩ | IGLR60R340D1 |
Solutions d'attaque de grille :
Les HEMT à enrichissement CoolGaN™ GIT d'Infineon sont faciles à entraîner. Téléchargez ce livre blanc pour découvrir diverses solutions d'entraînement, allant du circuit d'attaque à couplage RC (résistance-capacité) standard à un nouveau concept d'entraînement différentiel utilisant des circuits intégrés d'attaque de grille dédiés. Dans les topologies en demi-pont, une configuration hybride combinant des circuits d'attaque isolés et non isolés semble constituer une alternative intéressante. Des exemples d'applications pratiques et des schémas de circuits illustrent l'article.
Circuits d'attaque de grille standard pour HEMT CoolGaN™ GIT à enrichissement
| Famille EiceDRIVER™ |
Numéro de référence | Canaux de sortie | Technologie et classe d'isolement | Cas d'utilisation | Boîtier | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 2EDi | 2EDF7275F | 2 canaux | Isolé | Fonctionnel | Entraînement de deux GaN (demi-pont, diagonal, parallèle) | DSO-16, 3,81 mm |
| 2EDF8275F | ||||||
| 2EDF7275K | LGA-13 | |||||
| 2EDS7165H | Renforcé | DSO-16, 7,62 mm | ||||
| 2EDS8265H | ||||||
| 2EDR7259X | DSO-14, 7,62 mm | |||||
| 2EDR8259X | ||||||
| 2EDB7259Y | Protection simple | DSO-14, 3,81 mm | ||||
| 2EDB8259Y | ||||||
| 1EDB | 1EDB7275F | 1 canal | Isolé | Protection simple | Entraînement du GaN haut potentiel | DSO-8, 3,81 mm |
| 1EDB8275F | ||||||
| 1EDN-TDI | 1EDN7550B | 1 canal | Entrées véritablement différentielles (TDI) | Non isolé | Entraînement du GaN à source Kelvin bas potentiel | SOT23 |
| 1EDN8550B | 6 broches | |||||
Circuits intégrés d'attaque de grille dédiés pour HEMT CoolGaN™ GIT à enrichissement
| Famille EiceDRIVER™ |
Numéro de référence | Canaux de sortie | Technologie | Cas d'utilisation | Boîtier |
|---|---|---|---|---|---|
| 1EDi | 1EDS5663H | 1 canal | Isolé | Entraînement des HEMT à enrichissement CoolGaN™ GIT haut potentiel ou bas potentiel avec des pertes par conduction inverse minimisées et une « première impulsion » sûre | DSO-16, 7,62 mm renforcé |
| 1EDF5673F | DSO-16, 3,81 mm HVI fonctionnel | ||||
| 1EDF5673K | LGA13 5x5 mm LV fonctionnel |
GaN intégré : IPS (étage de puissance intégré) demi-pont CoolGaN™ et commutateur unique
L'étage de puissance intégré (IPS) CoolGaN™ d'Infineon combine la robustesse de la structure des transistors à injection de grille intégrés à drain hybride (HD-GIT) avec la technologie de précision des circuits d'attaque de grille intégrés EiceDRIVER™ d'Infineon. Il en résulte une empreinte physique réduite, une densité de puissance accrue et un rendement énergétique supérieur, ce qui en fait une excellente alternative aux semi-conducteurs en silicium. L'IPS CoolGaN™ d'Infineon offre en outre l'avantage d'une fréquence de commutation plus rapide et d'une flexibilité de conception accrue. Pour les ingénieurs, cela signifie des systèmes plus écoénergétiques, une mise en œuvre simplifiée et une meilleure utilisation de l'espace carte.
Fonctionnalités clés
- Bloc de construction d'entrée numérique et de sortie d'alimentation
- Comportement de commutation configurable par l'application
- Synchronisation très précise et stable
- Boîtier QFN-28/21 de 8 mm x 8 mm thermiquement amélioré
Avantages clés
- Facilité d'entraînement avec entrée PWM numérique
- Nomenclature système réduite
- Configurabilité du chemin de grille avec boucle à faible inductance sur le circuit imprimé
- Réglage d'un temps de récupération court pour un rendement maximal du système
- Petit boîtier pour des conceptions de système compactes
Formation en ligne : Avantages des IPS CoolGaN™ pour les chargeurs et adaptateurs haute densité
L'IPS CoolGaN™ est disponible en configuration d'étage de puissance en demi-pont (versions de 140 mΩ – 500 mΩ) ou en configuration monocanal (versions de 100 mΩ – 270 mΩ) avec des circuits d'attaque de grille dédiés dans un boîtier QFN (8x8 mm) thermiquement amélioré.
Offre de produits :
| Boîtier RDS(ON) | Demi-pont CoolGaN™ | IPS CoolGaN™ à commutateur unique |
|---|---|---|
| 100 mΩ | IGI60F100A1L | |
| 140 mΩ | IGI60F1414A1L | IGI60F140A1L |
| 200 mΩ | IGI60F2020A1L | IGI60F200A1L |
| 270 mΩ | IGI60F2727A1L | IGI60F270A1L |
| 500 mΩ | IGI60F5050A1L |
Support de conception
EVAL_1EDF_G1B_HB_GAN
Carte d'évaluation en demi-pont haute fréquence avec EiceDRIVER™ GaN.
EVAL_HB_GANIPS_G1
Carte d'évaluation pour IPS CoolGaN™ demi-pont haute fréquence 600 V avec IGI60F1414A1L.
EVAL_HB_PARALLELGAN
Évaluation de la mise en parallèle de transistors HEMT CoolGaN™ 600 V dans des configurations en demi-pont pour les applications à puissance plus élevée.
Notes d'application
Guide de conception
Livres blancs
Formations en ligne
- Comment entraîner les HEMT CoolGaN™ GIT d'Infineon
- Principes de base des transistors CoolGaN™ 600 V
- Comprendre et utiliser les valeurs de tension transitoire CoolGaN™ d'Infineon
- CoolGaN™ d'Infineon : principes de base de la fiabilité et de la qualification
- Avantages des IPS CoolGaN™ pour les chargeurs et adaptateurs haute densité
- Solutions d'attaque de grille isolées : transformateurs d'impulsions et circuits intégrés d'attaque de de grille
Modèle de simulation
MV CoolGan Discretes
| Image | Référence fabricant | Description | Type de FET | Technologies | Tension drain-source (Vdss) | Quantité disponible | Afficher les détails | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | IGC033S10S1XTMA1 | GANFET N-CH 100V 21A 6TDFN | Canal N | GaNFET (nitrure de gallium) | 100 V | 6668 - Immédiatement | Afficher les détails |
| | IGC037S12S1XTMA1 | GANFET N-CH 120V 19A 6TDFN | Canal N | GaNFET (nitrure de gallium) | 120 V | 1887 - Immédiatement | Afficher les détails |
|  | IGB110S101XTMA1 | GANFET N-CH 100V 9A 4TDFN | Canal N | GaNFET (nitrure de gallium) | 100 V | 2676 - Immédiatement | Afficher les détails |
|  | IGB070S10S1XTMA1 | GANFET N-CH 100V 13A 4TDFN | Canal N | GaNFET (nitrure de gallium) | 100 V | 2801 - Immédiatement | Afficher les détails |
| | IGC025S08S1XTMA1 | GANFET N-CH 80V 23A 6TDFN | Canal N | GaNFET (nitrure de gallium) | 80 V | 1987 - Immédiatement | Afficher les détails |
|  | IGC033S101XTMA1 | GANFET N-CH 100V 21A 6TDFN | Canal N | GaNFET (nitrure de gallium) | 100 V | 3061 - Immédiatement | Afficher les détails |
| | IGC019S06S1XTMA1 | GANFET N-CH 60V 27A 6TDFN | Canal N | GaNFET (nitrure de gallium) | 60 V | 2348 - Immédiatement | Afficher les détails |
| | IGB110S10S1XTMA1 | GANFET N-CH 100V 9A 4TDFN | Canal N | GaNFET (nitrure de gallium) | 100 V | 4496 - Immédiatement | Afficher les détails |
MV CoolGaN BDS
| Image | Référence fabricant | Description | Type de FET | Technologies | Tension drain-source (Vdss) | Quantité disponible | Afficher les détails | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | IGK120B041SXTSA1 | GANFET N-CH 40V 30A 16WLBGA | Canal N | GaNFET (nitrure de gallium) | 40 V | 3975 - Immédiatement | Afficher les détails |
| | IGK048B041SXTSA1 | GANFET N-CH 40V 53A 16WLBGA | Canal N | GaNFET (nitrure de gallium) | 40 V | 3949 - Immédiatement | Afficher les détails |
| | IGK080B041SXTSA1 | GANFET N-CH 40V 35A 16WLBGA | Canal N | GaNFET (nitrure de gallium) | 40 V | 0 - Immédiatement | Afficher les détails |
MV CoolGaN Boards
| Image | Référence fabricant | Description | Objectif principal | Sorties et type | Puissance - Sortie | Quantité disponible | Afficher les détails | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | REFIBC1600WGANTOBO1 | EVAL BOARD FOR IGC033S10S1 | Convertisseur CC/CC | 1 sortie isolée | 1,6kW | 0 - Immédiatement | Afficher les détails |
|  | EVALMTR48V20AGANTOBO1 | EVAL BOARD 1EDN7126G IGC033S101 | Gestion de l’alimentation | Contrôleur/variateur moteur | Non | 1 - Immédiatement | Afficher les détails |
|  | EVAL7136U100VGANCTOBO1 | EVAL BOARD 1EDN7136U IGC033S10S1 | Gestion de l’alimentation | Circuit d'attaque de demi-pont en H (FET interne) | Non | 22 - Immédiatement | Afficher les détails |
HV CoolGaN Discretes
| Image | Référence fabricant | Description | Type de FET | Technologies | Tension drain-source (Vdss) | Quantité disponible | Afficher les détails | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | IGLT65R055B2AUMA1 | GANFET N-CH 650V 21.8A 16SOP | Canal N | GaNFET (nitrure de gallium) | 650 V | 2908 - Immédiatement | Afficher les détails |
|  | IGD70R500D2SAUMA1 | GANFET N-CH 700V 3.4A T0252-3 | Canal N | GaNFET (nitrure de gallium) | 700 V | 2558 - Immédiatement | Afficher les détails |
| | IGD70R270D2SAUMA1 | GANFET N-CH 700V 5.8A T0252-3 | Canal N | GaNFET (nitrure de gallium) | 700 V | 2058 - Immédiatement | Afficher les détails |
|  | IGLT65R035D2ATMA1 | GANFET N-CH 650V 47A 16SOP | Canal N | GaNFET (nitrure de gallium) | 650 V | 283 - Immédiatement | Afficher les détails |
|  | IGLR70R270D2SXUMA1 | GANFET N-CH 700V 7.3A 8TDFN | Canal N | GaNFET (nitrure de gallium) | 700 V | 4015 - Immédiatement | Afficher les détails |
| | IGLR65R270D2XUMA1 | GANFET N-CH 650V 7.2A 8TDFN | Canal N | GaNFET (nitrure de gallium) | 650 V | 4312 - Immédiatement | Afficher les détails |
| | IGLR65R200D2XUMA1 | GANFET N-CH 650V 9.2A 8TDFN | Canal N | GaNFET (nitrure de gallium) | 650 V | 6625 - Immédiatement | Afficher les détails |
| | IGLR70R140D2SXUMA1 | GANFET N-CH 700V 13A 8TDFN | Canal N | GaNFET (nitrure de gallium) | 700 V | 4395 - Immédiatement | Afficher les détails |
| | IGLR65R140D2XUMA1 | GANFET N-CH 650V 13A 8TDFN | Canal N | GaNFET (nitrure de gallium) | 650 V | 4075 - Immédiatement | Afficher les détails |
|  | IGLD65R140D2AUMA1 | GANFET N-CH 650V 12A 8LDFN | Canal N | GaNFET (nitrure de gallium) | 650 V | 2217 - Immédiatement | Afficher les détails |
HV IGaN
| Image | Référence fabricant | Description | Configuration de sortie | Applications | Interface | Quantité disponible | Afficher les détails | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | IGI60L1111B1MXUMA1 | HV IGAN/SIPS/MONOLITH | Demi- pont | Moteurs CC, usage général | PWM | 65 - Immédiatement | Afficher les détails |
| | IGI60L5050B1MXUMA1 | HV IGAN/SIPS/MONOLITH | Demi- pont | Moteurs CC, usage général | PWM | 2945 - Immédiatement | Afficher les détails |
|  | IGI60L2727B1MXUMA1 | HV IGAN/SIPS/MONOLITH | Demi-pont (3) | Moteurs CC, convertisseurs CC/CC | PWM | 2483 - Immédiatement | Afficher les détails |
|  | IGI65D1414A3MSXUMA1 | HV IGAN/SIPS/MONOLITH | Demi- pont | Moteurs CA, moteurs CC, convertisseurs CC/CC, usage général | - | 2925 - Immédiatement | Afficher les détails |
| | IGI60L1414B1MXUMA1 | IC HALF BRIDGE DRIVE | Demi- pont | Moteurs CC, usage général | - | 2930 - Immédiatement | Afficher les détails |
HV GaN BDS
| Image | Référence fabricant | Description | Type de FET | Technologies | Tension drain-source (Vdss) | Quantité disponible | Afficher les détails | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| | IGLT65R055B2AUMA1 | GANFET N-CH 650V 21.8A 16SOP | Canal N | GaNFET (nitrure de gallium) | 650 V | 2908 - Immédiatement | Afficher les détails |
| | IGLT65R110B2AUMA1 | GANFET N-CH 650V 14A 16SOP | Canal N | GaNFET (nitrure de gallium) | 650 V | 1533 - Immédiatement | Afficher les détails |
HV GaN EVAL BOARDS
| Image | Référence fabricant | Description | Type | Fonction | Embarqué | Quantité disponible | Afficher les détails | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | EVAL2EDGANINV1KWTOBO1 | BOARD 2ED21064S06J IGT65R055D2 | Gestion de l’alimentation | Contrôleur/variateur moteur | Oui, microcontrôleur | 0 - Immédiatement | Afficher les détails |
|  | REF3K3WHFHDPSUTOBO1 | EVAL BOARD FOR IGT65R035D2 | Convertisseur CA/CC | 1 sortie isolée | 3,3kW | 4 - Immédiatement | Afficher les détails |
Gate driver ICs for 650 V GaN HEMTs
| Image | Référence fabricant | Description | Quantité disponible | Afficher les détails | |
|---|---|---|---|---|---|
|  | 1EDB7275FXUMA1 | DIGITAL ISO 3KV 1CH GT DVR DSO8 | 19684 - Immédiatement | Afficher les détails |
|  | 2EDB7259YXUMA1 | DGTL ISO 3KV 2CH GATE DVR DSO14 | 2047 - Immédiatement | Afficher les détails |
| | 2EDR7259XXUMA1 | DGTL ISO 5.7KV 2CH GT DVR DSO14 | 947 - Immédiatement | Afficher les détails |
|  | 2EDR8259XXUMA1 | DGTL ISO 5.7KV 2CH GT DVR DSO14 | 2136 - Immédiatement | Afficher les détails |
|  | 2ED21814S06JXUMA1 | IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 14SOIC | 2252 - Immédiatement | Afficher les détails |
|  | 2ED21834S06JXUMA1 | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC | 12084 - Immédiatement | Afficher les détails |
| | 2ED21844S06JXUMA1 | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC | 6455 - Immédiatement | Afficher les détails |
|  | 2ED2183S06FXUMA1 | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC | 12505 - Immédiatement | Afficher les détails |
|  | 2ED2182S06FXUMA1 | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC | 0 - Immédiatement | Afficher les détails |
| | 2ED2106S06FXUMA1 | IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC | 3809 - Immédiatement | Afficher les détails |
Recommended EiceDRIVER gate driver ICs for GaN HEMTs up to 200 V
| Image | Référence fabricant | Description | Programmable DigiKey | Configuration | Type de canal | Quantité disponible | Afficher les détails | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | 1EDN8511BXUSA1 | IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 | Non vérifié | Bas potentiel | Simple | 15776 - Immédiatement | Afficher les détails |
|  | 1EDN7512BXTSA1 | IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5 | Non vérifié | Bas potentiel | Simple | 0 - Immédiatement | Afficher les détails |
|  | 1EDN7550BXTSA1 | IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6 | Non vérifié | Haut potentiel, bas potentiel | Simple | 5855 - Immédiatement | Afficher les détails |
|  | 2EDN7524GXTMA1 | IC GATE DRVR LOW-SIDE 8WSON | Non vérifié | Bas potentiel | Indépendant | 7756 - Immédiatement | Afficher les détails |
| | 1EDN7511BXUSA1 | IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 | Non vérifié | Bas potentiel | Simple | 12034 - Immédiatement | Afficher les détails |
|  | 2EDN7534BXTSA1 | IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 | Non vérifié | Bas potentiel | Indépendant | 5070 - Immédiatement | Afficher les détails |
| | 2EDN7534FXTMA1 | IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC | Non vérifié | Bas potentiel | Indépendant | 3224 - Immédiatement | Afficher les détails |
|  | 2EDN7533BXTSA1 | IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 | Non vérifié | Bas potentiel | Indépendant | 2990 - Immédiatement | Afficher les détails |
|  | 1EDN7512GXTMA1 | IC GATE DRVR LOW-SIDE 6WSON | Non vérifié | Bas potentiel | Simple | 4779 - Immédiatement | Afficher les détails |
|  | 1EDN6550BXTSA1 | IC GATE DRVR HI/LOW SIDE SOT23-6 | Non vérifié | Haut potentiel, bas potentiel | Simple | 6413 - Immédiatement | Afficher les détails |
