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MOSFET CoolSiC™ discret G2 1400 V en boîtier TO-247PLUS-4 à refusion
Les MOSFET discrets d'Infineon offrent une approche innovante de la gestion de l'énergie
Le MOSFET CoolSiC discret 1400 V et 8 mΩ en boîtier TO-247PLUS-4 à refusion d'Infineon est un dispositif hautes performances conçu pour des applications exigeantes telles que la recharge de véhicules électriques, les systèmes de stockage d'énergie et les véhicules autonomes. Il intègre les dernières avancées technologiques en matière de MOSFET CoolSiC G2 1400 V, offrant une gestion thermique exceptionnelle, une densité de puissance plus élevée et une plus grande fiabilité. Le dispositif possède une conception de boîtier compatible avec la refusion qui supporte jusqu'à trois cycles de soudage par refusion, ce qui réduit la résistance thermique et améliore le rendement global du système. Ses principales caractéristiques comprennent une tension nominale élevée, une faible résistance à l'état passant et des capacités avancées de gestion thermique. Grâce à sa combinaison unique de puissance, de rendement et de fiabilité, ce dispositif est un choix parfait pour les applications haute puissance, offrant de meilleures performances système et de moindres pertes d'énergie.
- VDSS : 1400 V à Tvj = +25°C
- IDCC : 188 A à TC = +100°C
- RDS(ON) : 5,8 mΩ à VGS = 18 V, Tvj = +25°C
- Très faibles pertes de commutation
- Face arrière du boîtier 3 x soudable par refusion
- Fonctionnement en surcharge jusqu'à Tvj = +200°C
- Temps de résistance aux courts-circuits : 2 µs
- Tension de seuil de grille de référence : 4,2 V
- Résistance aux activations parasites
- Diode de substrat robuste pour commutation dure
- Technologie d'interconnexion XT
- Boîtier avec broches d'alimentation larges (2 mm)
- Plus grande densité de puissance
- Plus grande puissance de sortie du système
- Amélioration du rendement global
- Robustesse face aux surcharges transitoires
- Résistance aux avalanches
- Robustesse face à l'effet Miller
- Simplicité de conception du système
- Parallélisme facile
- Systèmes de stockage d'énergie par batterie (BESS)
- Recharge de véhicules électriques
- Entraînement de moteurs à usage général
CoolSiC™ MOSFET Discrete 1,400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow Package
| Image | Référence fabricant | Description | Quantité disponible | Prix | Afficher les détails | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | IMYR140R008M2HXLSA1 | SIC DISCRETE | 0 - Immédiatement | $56.95 | Afficher les détails |
| | IMYR140R019M2HXLSA1 | SIC DISCRETE | 170 - Immédiatement | $25.52 | Afficher les détails |
Canada