FET GaN EPC2069 de 40 V, 2,25 mΩ

Le dispositif EPC2069 d'EPC est un transistor FET GaN à courant pulsé de 40 V, 2,25 mΩ et 422 A, nettement plus petit et plus efficace que les MOSFET en silicium pour les applications hautes performances et présentant des contraintes d'espace. Ce FET GaN est idéal pour les applications exigeant une densité de puissance élevée, telles que les serveurs d'entrée de 48 V à 54 V. Des charges de grille plus faibles et l'absence de pertes de recouvrement inverse permettent un fonctionnement haute fréquence de 1 MHz et au-delà, dans une empreinte minuscule de 10,6 mm² pour une densité de puissance de pointe. Le dispositif EPC2069 peut prendre en charge des solutions de 48 V à 12 V_CC/CC allant de 500 W à 2 kW et atteignant un rendement supérieur à 98 %. L'utilisation de dispositifs eGaN à la fois du côté primaire et du côté secondaire est nécessaire pour atteindre une densité de puissance maximale > 244 W/cm³.