FET eGaN EPC2033/EPC2034 150 V et 200 V

Les dispositifs EPC2033 et EPC2034 s'ajoutent à la gamme de dispositifs à "pas souple" d'EPC présentant un pas de billes de 1 mm. Le pas plus grand permet le placement de traversées supplémentaires et plus grandes sous le dispositif pour permettre une haute tenue en courant malgré l'empreinte extrêmement compacte de 2,6 mm x 4,6 mm.Ils présentent une température de fonctionnement maximale de 150°C et des capacités de courant pulsé de 200 A (EPC2034 de 150 V) et 140 A (EPC2033).

Par rapport à un transistor de puissance MOSFET silicium de pointe avec résistance à l'état passant similaire, ces produits sont beaucoup plus petits et présentent des performances de commutation plusieurs fois supérieures. Ils conviennent parfaitement pour les applications telles que les convertisseurs CC/CC haute fréquence, le redressement synchrone dans les convertisseurs CC/CC et CA/CC, les commandes moteur, l'éclairage DEL et l'automatisation industrielle.

Pour simplifier le processus d'évaluation de ces FET eGaN hautes performances, la carte de développement EPC9047 est disponible pour prendre en charge l'évaluation aisée des performances en circuit de l'EPC2033.Cette carte inclut tous les composants stratégiques qui peuvent être facilement connectés à tout convertisseur existant.

L'EPC9047 mesure 50,8 mm x 38,1 mm (2x1,5 po) et présente une topologie en demi-pont. Il contient deux FET eGaN EPC2033 utilisant le circuit d'attaque de grille UCC27611 de Texas Instruments, et une alimentation et des condensateurs de découplage. La carte contient tous les composants stratégiques et une configuration pour des performances de commutation optimales, et elle présente plusieurs points de sonde pour faciliter le calcul de rendement et de mesure des formes d'ondes simples.