Circuit d'attaque GaN en demi-pont LT8418 de 100 V

Le circuit d'attaque GaN en demi-pont LT8418 de 100 V d'Analog Devices est doté d'un commutateur d'amorçage intégré intelligent

Image du circuit d'attaque GaN en demi-pont LT8418 de 100 V d'Analog DevicesLe dispositif LT8418 d'ADI est un circuit d'attaque GaN en demi-pont de 100 V, intégrant des étages de circuit d'attaque supérieur et inférieur, une commande logique du circuit d'attaque et des fonctionnalités de protection. Il peut être configuré en topologies synchrones en demi-pont et en pont complet ou en topologies de type abaisseur, élévateur et abaisseur-élévateur. Le LT8418 offre une forte capacité source/absorption de courant avec une résistance d'excursion haute de 0,6 Ω et basse de 0,2 Ω. Il intègre un commutateur d'amorçage intelligent pour générer une tension d'amorçage équilibrée à partir de VCC avec une tension de relâchement minimale.

Le LT8418 fournit des circuits d'attaque de grille divisés pour ajuster les vitesses de balayage d'activation et de désactivation des FET GaN afin de supprimer les oscillations et d'optimiser les performances EMI (interférences électromagnétiques). Toutes les entrées et sorties du circuit d'attaque présentent un état bas par défaut pour empêcher l'activation des FET GaN par erreur. Les entrées du LT8418, INT et INB, sont indépendantes et compatibles avec la logique TTL. Parallèlement, le LT8418 fonctionne avec un temps de propagation rapide de 10 ns et maintient une excellente adaptation de retard de 1,5 ns entre les canaux supérieur et inférieur, ce qui le rend adapté aux convertisseurs CC/CC haute fréquence, aux variateurs moteurs et aux amplificateurs audio de classe D. De plus, le LT8418 utilise le boîtier WLCSP pour minimiser l'inductance parasite, ce qui permet une large utilisation dans les applications hautes performances et à haute densité de puissance.

Le circuit d'évaluation EVAL-LT8418-BZ présente le LT8418 commandant deux transistors FET en nitrure de gallium à enrichissement (eGaN) de 100 V dans une configuration en demi-pont. Ce circuit est optimisé en tant que convertisseur abaisseur, mais peut être utilisé comme convertisseur élévateur ou d'autres topologies de convertisseur constituées d'un demi-pont. Le circuit d'évaluation peut fournir jusqu'à 10 A avec une bonne gestion thermique.

Fonctionnalités
  • Circuit d'attaque de grille en demi-pont pour FET GaN
  • Résistance d'excursion haute de 0,6 Ω au niveau du circuit d'attaque de grille supérieur
  • Résistance d'excursion basse de 0,2 Ω au niveau du circuit d'attaque de grille inférieur
  • Tenue en courant de crête source de 4 A, et d'absorption de 8 A
  • Commutateur d'amorçage intégré intelligent
  • Circuit d'attaque de grille divisé pour ajuster l'intensité d'activation/de désactivation
  • État bas par défaut pour toutes les entrées et sorties du circuit d'attaque
  • Tension nominale de 15 V max. aux entrées INT et INB
  • Entrées INT et INB indépendantes avec logique TTL compatible
  • Temps de propagation rapide : 10 ns (typ.)
  • Adaptation du temps de propagation : 1,5 ns (typ.)
  • Tension d'alimentation équilibrée du circuit d'attaque : VBST ≈ VCC = 3,85 V à 5,5 V
  • Protections de verrouillage en cas de sous-tension et de surtension
  • Boîtier WLCSP compact à 12 billes
Applications
  • Convertisseurs de puissance à découpage CC/CC haute fréquence
  • Convertisseurs en demi-pont, pont complet, push-pull
  • Alimentations de data center
  • Variateurs moteurs, amplificateurs audio de classe D
  • Grand public, industriel et automobile

Ressources

Image du circuit d'attaque GaN en demi-pont LT8418 de 100 V d'Analog Devices

LT8418 100 V Half-Bridge GaN Driver

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Evaluation Board

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Date de publication : 2024-05-01