Matrices de FET, MOSFET

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Référence fabricant	Quantité disponible	Prix	Série	Conditionnement	Statut du produit	Technologies	Configuration	Fonction FET	Tension drain-source (Vdss)	Courant - Drain continu (Id) à 25°C	Rds On (max.) à Id, Vgs	Vgs(th) (max.) à Id	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	Puissance - Max.	Température de fonctionnement	Grade	Qualification	Type de montage	Boîtier	Boîtier fournisseur
SISF06DN-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 30V 28A PWRPAK1212 Vishay Siliconix	13 305 En stock	1 : 2,51000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,62071 $ Bande et bobine	TrenchFET® Gen IV	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 à canal N (double), drain commun	-	30V	28A (Ta), 101A (Tc)	4,5mohms à 7A, 10V	2,3V à 250µA	45nC à 10V	2050pF à 15V	5,2W (Ta), 69,4W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	powerPAK® 1212-8SCD	powerPAK® 1212-8SCD
SIZ250DT-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 60V 14A 8POWERPAIR Vishay Siliconix	10 844 En stock	1 : 2,55000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,68815 $ Bande et bobine	TrenchFET® Gen IV	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	-	60V	14A (Ta), 38A (Tc)	12,2mohms à 10A, 10V, 12,7mohms à 10A, 10V	2,4V à 250µA	21nC à 10V	840pF à 30V, 790pF à 30V	4,3W (Ta), 33W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	8-PowerWDFN	8-PowerPair® (3,3x3,3)
SIZ260DT-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 80V 8.9A 8POWERPAIR Vishay Siliconix	9 718 En stock	1 : 2,55000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,68815 $ Bande et bobine	TrenchFET® Gen IV	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	-	80V	8,9A (Ta), 24,7A (Tc), 8,9A (Ta), 24,6A (Tc)	24,5mohms à 10A, 10V, 24,7mohms à 10A, 10V	2,4V à 250µA	27nC à 10V	820pF à 40V	4,3W (Ta), 33W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	8-PowerWDFN	8-PowerPair® (3,3x3,3)
SIZ254DT-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 70V 11.7A 8PWRPAIR Vishay Siliconix	2 233 En stock	1 : 2,55000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,68815 $ Bande et bobine	TrenchFET® Gen IV	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	-	70V	11,7A (Ta), 32,5A (Tc)	16,1mohms à 10A, 10V	2,4V à 250µA	20nC à 10V	795pF à 35V, 765pF à 35V	4,3W (Ta), 33W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	8-PowerWDFN	8-PowerPair® (3,3x3,3)
SIZ270DT-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 100V 7.1A 8PWRPAIR Vishay Siliconix	8 852 En stock	1 : 2,86000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,78796 $ Bande et bobine	TrenchFET® Gen IV	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	-	100V	7,1A (Ta), 19,5A (Tc), 6,9A (Ta), 19,1A (Tc)	37,7mohms à 7A, 10V, 39,4mohms à 7A, 10V	2,4V à 250µA	27nC à 10V	860pF à 50V, 845pF à 50V	4,3W (Ta), 33W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	8-PowerWDFN	8-PowerPair® (3,3x3,3)
SISF00DN-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 30V 60A PWRPAK1212 Vishay Siliconix	13 700 En stock	1 : 2,94000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,81750 $ Bande et bobine	TrenchFET® Gen IV	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 à canal N (double), drain commun	-	30V	60 A (Tc)	5mohms à 10A, 10V	2,1V à 250µA	53nC à 10V	2700pF à 15V	69,4W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	PowerPAK® 1212-8SCD double	PowerPAK® 1212-8SCD double
SIZ348DT-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 30V 18A 8PWR33 Vishay Siliconix	5 079 En stock	1 : 2,45000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,65895 $ Bande et bobine	TrenchFET® Gen IV	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	-	30V	18 A (Ta), 30 A (Tc)	7,12mohms à 15A, 10V	2,4V à 250µA	18,2nC à 10V	820pF à 15V	3,7W (Ta), 16,7W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	8-PowerWDFN	8-Power33 (3x3)
SISF04DN-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 30V 30A PWRPAK1212 Vishay Siliconix	10 653 En stock	1 : 2,75000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,75410 $ Bande et bobine	TrenchFET® Gen IV	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 à canal N (double), drain commun	-	30V	30A (Ta), 108A (Tc)	4mohms à 7A, 10V	2,3V à 250µA	60nC à 10V	2600pF à 15V	5,2W (Ta), 69,4W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	powerPAK® 1212-8SCD	powerPAK® 1212-8SCD
SIZF906BDT-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 30V 36A 8POWERPAIR Vishay Siliconix	21 948 En stock	1 : 4,02000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 1,18843 $ Bande et bobine	TrenchFET® Gen IV	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double), schottky	-	30V	36A (Ta), 105A (Tc), 63A (Ta), 257A (Tc)	2,1mohms à 15A, 10V, 0,68mohms à 20A, 10V	2,2V à 250µA	49nC à 10V, 165nC à 10V	1630pF à 15V, 5550pF à 15V	4,5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	8-PowerWDFN	8-PowerPair® (6x5)
SIA938DJT-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PPAK8X8 Vishay Siliconix	11 498 En stock	1 : 1,36000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,31750 $ Bande et bobine	TrenchFET® Gen IV	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	-	20V	4,5 A (Ta), 4,5 A (Tc)	21,5mohms à 5A, 10V	1,5V à 250µA	11,5nC à 10V	425pF à 10V	1,9W (Ta), 7,8W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	PowerPAK® SC-70-6 double	PowerPAK® SC-70-6 double
SIZ998BDT-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 30V 23.7A 8PWRPAIR Vishay Siliconix	2 708 En stock	1 : 2,13000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,49395 $ Bande et bobine	TrenchFET® Gen IV	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double), schottky	-	30V	23,7A (Ta), 54,8A (Tc), 36,2A (Ta), 94,6A (Tc)	4,39mohms à 15A, 10V, 2,4mohms à 19A, 10V	2,2V à 250µA	18nC à 10V, 46,7nC à 10V	790pF à 15V, 2130pF à 15V	3,8W (Ta), 20W (Tc), 4,8W (Ta), 32,9W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	8-PowerWDFN	8-PowerPair® (6x5)
SIZ926DT-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 25V 40A 8POWERPAIR Vishay Siliconix	2 500 En stock	1 : 2,68000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,73198 $ Bande et bobine	TrenchFET® Gen IV	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	-	25V	40 A (Tc), 60 A (Tc)	4,8mohms à 5A, 10V, 2,2mohms à 8A, 10V	2,2V à 250µA	19nC à 10V, 41nC à 10V	925pF à 10V, 2 150pF à 10V	20,2W, 40W	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	8-PowerWDFN	8-PowerPair® (6x5)
SIZ256DT-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 70V 11.5A 8PWRPAIR Vishay Siliconix	3 000 En stock	1 : 2,70000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,73701 $ Bande et bobine	TrenchFET® Gen IV	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	-	70V	11,5A (Ta), 31,8A (Tc)	17,6mohms à 7A, 4,5V	1,5V à 250µA	27nC à 10V	1060pF à 35V	4,3W (Ta), 33W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	8-PowerWDFN	8-PowerPair® (3,3x3,3)
SIZF918DT-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 30V 23A 8POWERPAIR Vishay Siliconix	5 948 En stock	1 : 3,10000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,87308 $ Bande et bobine	TrenchFET® Gen IV	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double), schottky	-	30V	23A (Ta), 40A (Tc), 35A (Ta), 60A (Tc)	4mohms à 10A, 10V, 1,9mohms à 10A, 10V	2,4V à 250µA, 2,3V à 250µA	22nC à 10V, 56nC à 10V	1060pF à 15V, 2650pF à 15V	3,4W (Ta), 26,6W (Tc), 3,7W (Ta), 50W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	8-PowerWDFN	8-PowerPair® (6x5)
SIZF916DT-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 30V 23A 8POWERPAIR Vishay Siliconix	176 En stock	1 : 3,18000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,89522 $ Bande et bobine	TrenchFET® Gen IV	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	-	30V	23 A (Ta), 40 A (Tc)	4mohms à 10A, 10V, 1,25mohm à 10A, 10V	2,4V à 250µA, 2,2V à 250µA	22nC à 10V, 95nC à 10V	1060pF à 15V, 4320pF à 15V	3,4W (Ta), 26,6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	8-PowerWDFN	8-PowerPair® (6x5)
SIZ980BDT-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 30V 23.7A 8PWRPAIR Vishay Siliconix	10 482 En stock	1 : 3,21000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,87152 $ Bande et bobine	TrenchFET® Gen IV	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double), schottky	-	30V	23,7A (Ta), 54,8A (Tc), 54,3A (Ta), 197A (Tc)	4,39mohms à 15A, 10V, 1,06mohms à 19A, 10V	2,2V à 250µA	18nC à 10V, 79nC à 10V	790pF à 15V, 3655pF à 15V	3,8W (Ta), 20W (Tc), 5W (Ta), 66W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	8-PowerWDFN	8-PowerPair® (6x5)
SIZF906DT-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 30V 60A 8POWERPAIR Vishay Siliconix	16 074 En stock	1 : 3,22000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,87789 $ Bande et bobine	TrenchFET® Gen IV	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (demi-pont)	-	30V	60 A (Tc)	3,8mohms à 15A, 10V, 1,17mohm à 20A, 10V	2,2V à 250µA	22nC à 4,5V, 92nC à 4,5V	2000pF à 15V, 8 200pF à 15V	38W (Tc), 83W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TA)	-	-	Montage en surface	8-PowerWDFN	8-PowerPair® (6x5)
SIZF928DT-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 30V 33A 8POWERPAIR Vishay Siliconix	6 064 En stock	1 : 3,47000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,97187 $ Bande et bobine	TrenchFET® Gen IV	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	-	30V	33A (Ta), 88A (Tc), 61A (Ta), 248A (Tc)	2,45mohms à 10A, 10V, 0,75mohms à 15A, 10V	2V à 250µA	-	-	3,9W (Ta), 28W (Tc), 4,5W (Ta), 74W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	8-PowerWDFN	8-PowerPair® (6x5)
SIZF920DT-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 30V 28A 8POWERPAIR Vishay Siliconix	2 211 En stock	1 : 3,83000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 1,17559 $ Bande et bobine	TrenchFET® Gen IV	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double), schottky	-	30V	28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc)	3,07mohms à 10A, 10V, 1,05mohms à 10A, 10V	2,4V à 250µA, 2,2V à 250µA	29nC à 10V, 125nC à 10V	1300pF à 15V, 5230pF à 15V	3,9W (Ta), 28W (Tc), 4,5W (Ta), 74W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	8-PowerWDFN	8-PowerPair® (6x5)
SIZF918BDT-T1-GE3 DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET Vishay Siliconix	6 000 En stock	1 : 3,53000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 1,01468 $ Bande et bobine	TrenchFET® Gen IV	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	-	30V	25A (Ta), 73A (Tc), 41A (Ta), 158A (Tc)	3,3mohms à 10A, 10V, 1,4ohms à 15A, 10V	2,2V à 250µA	29nC à 10V, 77nC à 10V	1290pF à 15V, 3350pF à 15V	3,4W (Ta), 26,6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	8-PowerWDFN	8-PowerPair® (6x5)
SIZ342ADT-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33 Vishay Siliconix	3 313 En stock	1 : 1,81000 $ Bande coupée (CT)	TrenchFET® Gen IV	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Obsolète	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	-	30V	15,7A (Ta), 33,4A (Tc)	9,4mohms à 10A, 10V	2,4V à 250µA	12,2nC à 10V	580pF à 15V	3,7W (Ta), 16,7W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	8-PowerWDFN	8-Power33 (3x3)
SIZ350DT-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 30V 18.5A 8PWR33 Vishay Siliconix	0 En stock Vérifier le délai d'approvisionnement	1 : 2,43000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,65197 $ Bande et bobine	TrenchFET® Gen IV	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	-	30V	18,5 A (Ta), 30 A (Tc)	6,75mohms à 15A, 10V	2,4V à 250µA	20,3nC à 10V	940pF à 15V	3,7W (Ta), 16,7W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	8-PowerWDFN	8-Power33 (3x3)
SIZF360DT-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 30V 23A 6POWERPAIR Vishay Siliconix	0 En stock Vérifier le délai d'approvisionnement	1 : 3,13000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,88129 $ Bande et bobine	TrenchFET® Gen IV	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double), schottky	-	30V	23A (Ta), 83A (Tc), 34A (Ta), 143A (Tc)	4,5mohms à 10A, 10V, 1,9mohms à 10A, 10V	2,2V à 250µA	22nC à 10V, 62nC à 10V	1100pF à 15V, 3150pF à 15V	3,8W (Ta), 52W (Tc), 4,3W (Ta), 78W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-PowerPair™	6-PowerPair™
SIZ200DT-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 30V 22A 8POWERPAIR Vishay Siliconix	0 En stock Vérifier le délai d'approvisionnement	1 : 2,27000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,60107 $ Bande et bobine	TrenchFET® Gen IV	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	-	30V	22 A (Ta), 61 A (Tc), 22 A (Ta), 60 A (Tc)	5,5mohms à 10A, 10V, 5,8mohms à 10A, 10V	2,4V à 250µA	28nC à 10V, 30nC à 10V	1510pF à 15V, 1600pF à 15V	4,3W (Ta), 33W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	8-PowerWDFN	8-PowerPair® (3,3x3,3)
SIZ240DT-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 40V 17.2A 8PWRPAIR Vishay Siliconix	0 En stock Vérifier le délai d'approvisionnement	1 : 2,70000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,73701 $ Bande et bobine	TrenchFET® Gen IV	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	-	40V	17,2A (Ta), 48A (Tc), 16,9A (Ta), 47A (Tc)	8,05mohms à 10A, 10V, 8,41mohms à 10A, 10V	2,4V à 250µA	23nC à 10V, 22nC à 10V	1180pF à 20V, 1070pF à 20V	4,3W (Ta), 33W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	8-PowerWDFN	8-PowerPair® (3,3x3,3)

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Les transistors à effet de champ (FET) sont des dispositifs électroniques utilisant un champ électrique pour contrôler le flux de courant. L'application d'une tension à la borne de grille modifie la conductivité entre les bornes de drain et de source. Les FET sont également appelés transistors unipolaires puisque leur fonctionnement inclut un seul type de porteur. Autrement dit, les FET utilisent des électrons ou des trous comme porteurs de charge dans leur fonctionnement, mais pas les deux. Les transistors à effet de champ affichent généralement une très haute impédance d'entrée à basses fréquences.

Matrices de FET, MOSFET

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