SOT-23-3 broches plates FET, MOSFET simples

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Référence fabricant	Quantité disponible	Prix	Série	Conditionnement	Statut du produit	Type de FET	Technologies	Tension drain-source (Vdss)	Courant - Drain continu (Id) à 25°C	Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	Rds On (max.) à Id, Vgs	Vgs(th) (max.) à Id	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	Vgs (max.)	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	Fonction FET	Dissipation de puissance (max.)	Température de fonctionnement	Grade	Qualification	Type de montage	Boîtier fournisseur	Boîtier
SSM3J338R,LF MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	114 159 En stock	1 : 0,43000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,15198 $ Bande et bobine	U-MOSVII	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	12 V	6 A (Ta)	1,8V, 8V	17,6mohms à 6A, 8V	1V à 1mA	19.5 nC @ 4.5 V	±10V	1400 pF @ 6 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23F	SOT-23-3 broches plates
SSM3K361R,LF MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT-23F Toshiba Semiconductor and Storage	38 774 En stock	1 : 0,49000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,22297 $ Bande et bobine	U-MOSVIII-H	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	100 V	3,5 A (Ta)	4,5V, 10V	69mohms à 2A, 10V	2,5V à 100µA	3.2 nC @ 4.5 V	±20V	430 pF @ 15 V	-	1,2W (Ta)	175°C	-	-	Montage en surface	SOT-23F	SOT-23-3 broches plates
SSM3J372R,LF MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	36 074 En stock	1 : 0,53000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,10856 $ Bande et bobine	U-MOSVI	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	6 A (Ta)	1,8V, 10V	42mohms à 5A, 10V	1,2V à 1mA	8.2 nC @ 4.5 V	+12V, -6V	560 pF @ 15 V	-	1W (Ta)	150°C	-	-	Montage en surface	SOT-23F	SOT-23-3 broches plates
SSM3J332R,LF MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	52 725 En stock	1 : 0,55000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,11321 $ Bande et bobine	U-MOSVI	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	6 A (Ta)	1,8V, 10V	42mohms à 5A, 10V	1,2V à 1mA	8.2 nC @ 4.5 V	±12V	560 pF @ 15 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23F	SOT-23-3 broches plates
SSM3K339R,LF MOSFET N-CH 40V 2A SOT-23F Toshiba Semiconductor and Storage	22 716 En stock	1 : 0,55000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,11341 $ Bande et bobine	U-MOSVII-H	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	40 V	2 A (Ta)	1,8V, 8V	185mohms à 1A, 8V	1,2V à 1mA	1.1 nC @ 4.2 V	±12V	130 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23F	SOT-23-3 broches plates
SSM3J356R,LF MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F Toshiba Semiconductor and Storage	62 962 En stock	1 : 0,59000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,12872 $ Bande et bobine	U-MOSVI	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	2 A (Ta)	4V, 10V	300mohms à 1A, 10V	2V à 1mA	8.3 nC @ 10 V	+10V, -20V	330 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23F	SOT-23-3 broches plates
SSM3J328R,LF MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	171 654 En stock	1 : 0,62000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,13027 $ Bande et bobine	U-MOSVI	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	6 A (Ta)	1,5V, 4,5V	29,8mohms à 3A, 4,5V	1V à 1mA	12.8 nC @ 4.5 V	±8V	840 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23F	SOT-23-3 broches plates
SSM3K2615R,LF MOSFET N-CH 60V 2A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	50 888 En stock	1 : 0,72000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,23883 $ Bande et bobine	π-MOSV	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	2 A (Ta)	3,3V, 10V	300mohms à 1A, 10V	2V à 1mA	-	±20V	150 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	SOT-23F	SOT-23-3 broches plates
SSM3K341R,LF MOSFET N-CH 60V 6A SOT-23F Toshiba Semiconductor and Storage	137 034 En stock	1 : 1,03000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,23197 $ Bande et bobine	U-MOSVIII-H	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	6 A (Ta)	4V, 10V	36mohms à 5A, 10V	2,5V à 100µA	9.3 nC @ 10 V	±20V	550 pF @ 10 V	-	1,2W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23F	SOT-23-3 broches plates
SSM3K361R,LXHF AECQ MOSFET NCH 100V 3.5A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	2 284 En stock	1 : 1,49000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,35455 $ Bande et bobine	U-MOSVIII-H	Bande et bobine Bande coupée (CT)	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	100 V	3,5 A (Ta)	4,5V, 10V	69mohms à 2A, 10V	2,5V à 100µA	3.2 nC @ 4.5 V	±20V	430 pF @ 15 V	-	1,2W (Ta)	175°C	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	SOT-23F	SOT-23-3 broches plates
SSM3K333R,LF MOSFET N CH 30V 6A 2-3Z1A Toshiba Semiconductor and Storage	29 758 En stock	1 : 0,43000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,10998 $ Bande et bobine	U-MOSVII-H	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	6 A (Ta)	4,5V, 10V	28mohms à 5A, 10V	2,5V à 100µA	3.4 nC @ 4.5 V	±20V	436 pF @ 15 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23F	SOT-23-3 broches plates
SSM3K347R,LF MOSFET N-CH 38V 2A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	7 017 En stock	1 : 0,44000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,12562 $ Bande et bobine	U-MOSIV	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	38 V	2 A (Ta)	4V, 10V	340mohms à 1A, 10V	2,4V à 1mA	2.5 nC @ 10 V	±20V	86 pF @ 10 V	-	2W (Ta)	150°C	-	-	Montage en surface	SOT-23F	SOT-23-3 broches plates
SSM3K336R,LF MOSFET N-CH 30V 3A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	6 650 En stock	1 : 0,46000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,12504 $ Bande et bobine	U-MOSVII-H	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	3 A (Ta)	4,5V, 10V	95mohms à 2A, 10V	2,5V à 100µA	1.7 nC @ 4.5 V	±20V	126 pF @ 15 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23F	SOT-23-3 broches plates
SSM3J334R,LF MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	60 397 En stock	1 : 0,50000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,11341 $ Bande et bobine	U-MOSVI	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	4 A (Ta)	4V, 10V	71mohms à 3A, 10V	2V à 100µA	5.9 nC @ 10 V	±20V	280 pF @ 15 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23F	SOT-23-3 broches plates
SSM3J327R,LF MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	57 103 En stock	1 : 0,50000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,10200 $ Bande et bobine	U-MOSVI	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	3,9 A (Ta)	1,5V, 4,5V	93mohms à 1,5A, 4,5V	1V à 1mA	4.6 nC @ 4.5 V	±8V	290 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23F	SOT-23-3 broches plates
SSM3J377R,LF MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	25 772 En stock	1 : 0,50000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,10430 $ Bande et bobine	U-MOSVI	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	3,9 A (Ta)	1,5V, 4,5V	93mohms à 1,5A, 4,5V	1V à 1mA	4.6 nC @ 4.5 V	+6V, -8V	290 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C	-	-	Montage en surface	SOT-23F	SOT-23-3 broches plates
SSM3K345R,LF MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	11 758 En stock	1 : 0,50000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,11600 $ Bande et bobine	U-MOSVI	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	4 A (Ta)	1,5V, 4,5V	33mohms à 4A, 4,5V	1V à 1mA	3.6 nC @ 4.5 V	±8V	410 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23F	SOT-23-3 broches plates
SSM3J374R,LF MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	10 397 En stock	1 : 0,53000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,10856 $ Bande et bobine	U-MOSVI	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	4 A (Ta)	4V, 10V	71mohms à 3A, 10V	2V à 100µA	5.9 nC @ 10 V	+10V, -20V	280 pF @ 15 V	-	1W (Ta)	150°C	-	-	Montage en surface	SOT-23F	SOT-23-3 broches plates
SSM3K376R,LF MOSFET N-CH 30V 4A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	2 648 En stock	1 : 0,53000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,10887 $ Bande et bobine	U-MOSVII-H	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	4 A (Ta)	1,8V, 4,5V	56mohms à 2 A, 4,5V	1V à 1mA	2.2 nC @ 4.5 V	+12V, -8V	200 pF @ 10 V	-	2W (Ta)	150°C	-	-	Montage en surface	SOT-23F	SOT-23-3 broches plates
SSM3K324R,LF MOSFET N-CH 30V 4A SOT-23F Toshiba Semiconductor and Storage	23 176 En stock	1 : 0,55000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,11341 $ Bande et bobine	U-MOSVII-H	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	4 A (Ta)	1,8V, 4,5V	55mohms à 4A, 4,5V	-	-	±12V	190 pF @ 30 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23F	SOT-23-3 broches plates
SSM3J331R,LF MOSFET P-CH 20V 4A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	7 987 En stock	1 : 0,55000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,10546 $ Bande et bobine	U-MOSVI	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	4 A (Ta)	1,5V, 4,5V	55mohms à 3A, 4,5V	1V à 1mA	10.4 nC @ 4.5 V	±8V	630 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23F	SOT-23-3 broches plates
SSM3J340R,LF MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	4 876 En stock	1 : 0,56000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,11790 $ Bande et bobine	U-MOSVI	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	4 A (Ta)	4V, 10V	45mohms à 4A, 10V	2,2V à 250µA	6.2 nC @ 4.5 V	+20V, -25V	492 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C	-	-	Montage en surface	SOT-23F	SOT-23-3 broches plates
SSM3J351R,LF MOSFET P-CH 60V 3.5A SOT-23F Toshiba Semiconductor and Storage	41 749 En stock	1 : 0,59000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,17779 $ Bande et bobine	U-MOSVI	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	3,5 A (Ta)	4V, 10V	134mohms à 1A, 10V	2V à 1mA	15.1 nC @ 10 V	+10V, -20V	660 pF @ 10 V	-	2W (Ta)	150°C	-	-	Montage en surface	SOT-23F	SOT-23-3 broches plates
SSM3J378R,LF MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	12 205 En stock	1 : 0,59000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,11631 $ Bande et bobine	U-MOSVI	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	6 A (Ta)	1,5V, 4,5V	29,8mohms à 3A, 4,5V	1V à 1mA	12.8 nC @ 4.5 V	+6V, -8V	840 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C	-	-	Montage en surface	SOT-23F	SOT-23-3 broches plates
SSM3J358R,LF MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	18 530 En stock	1 : 0,61000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,12872 $ Bande et bobine	U-MOSVII	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	6 A (Ta)	1,8V, 8V	22,1mohms à 6A, 8V	1V à 1mA	38.5 nC @ 8 V	±10V	1331 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23F	SOT-23-3 broches plates

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FET simple, MOSFET

Les transistors à effet de champ (FET) simples et les transistors à effet de champ à oxyde métallique semi-conducteur (MOSFET) sont des types de transistors utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.

Un FET simple fonctionne en contrôlant le flux de courant électrique entre les bornes de source et de drain via un champ électrique généré par une tension appliquée à la borne de grille. Le principal avantage des FET est leur impédance d’entrée élevée, qui en fait un choix parfait pour une utilisation dans l’amplification de signaux et les circuits analogiques. Ils sont largement utilisés dans des applications telles que les amplificateurs, les oscillateurs et les étages tampons dans les circuits électroniques.

Les MOSFET, un sous-type de FET, ont une borne de grille isolée du canal par une fine couche d'oxyde, ce qui améliore leurs performances et les rend très efficaces. Les MOSFET peuvent être classés en deux types :

MOSFET à canal N: où les électrons sont les principaux porteurs.
MOSFET à canal P: où les trous sont porteurs primaires.

Les MOSFET sont préférés dans de nombreuses applications en raison de leur basse consommation, de leur commutation à haute vitesse et de leur capacité à gérer des tensions et des courants importants. Ils sont essentiels dans les circuits numériques et analogiques, notamment les alimentations, les variateurs moteurs et les applications radiofréquence.

Le fonctionnement des MOSFET peut être décomposé en deux modes :

Mode d'enrichissement : dans ce mode, le MOSFET est normalement désactivé lorsque la tension grille-source est nulle. Une tension grille-source positive (pour le canal N) ou une tension grille-source négative (pour le canal P) est nécessaire afin de l'allumer.
Mode de déplétion : dans ce mode, le MOSFET est normalement activé lorsque la tension grille-source est nulle. L'application d'une tension grille-source de polarité opposée peut la désactiver.

Les MOSFET offrent plusieurs avantages, tels que :

Haut rendement : ils consomment très peu d'énergie et peuvent changer d'état rapidement, ce qui les rend très efficaces pour les applications de gestion de l'énergie.
Faible résistance à l'état passant : ils ont une faible résistance lorsqu'ils sont allumés, ce qui minimise les pertes de puissance et la génération de chaleur.
Impédance d'entrée élevée : la structure de grille isolée entraîne une impédance d'entrée extrêmement élevée, ce qui en fait un choix parfait pour l'amplification de signaux à haute impédance.

En résumé, les FET simples, en particulier les MOSFET, sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne, connus pour leur rendement, leur vitesse et leur polyvalence dans une large gamme d'applications allant de l'amplification de signaux basse puissance au contrôle et à la commutation haute puissance.

FET simple, MOSFET

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