SC-70, SOT-323 FET, MOSFET simples

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Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
Rds On (max.) à Id, Vgs
Vgs(th) (max.) à Id
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
Vgs (max.)
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
Fonction FET
Dissipation de puissance (max.)
Température de fonctionnement
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier fournisseur
Boîtier
SOT-323
BSS138W-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323
Diodes Incorporated
111 550
En stock
1 : 0,35880 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,07104 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
200mA (Ta)
10V
3,5ohms à 220mA, 10V
1,5V à 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
200mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-323
BSS138BKW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
66 000
En stock
1 : 0,36000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,07449 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
320mA (Ta)
10V
1,6ohms à 320m A, 10V
1,6V à 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
56 pF @ 10 V
-
260mW (Ta), 830mW (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-323
DMG1012UW-7
MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
Diodes Incorporated
113 122
En stock
1 : 0,40000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,07972 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
1 A (Ta)
1,8V, 4,5V
450mohms à 600mA, 4,5V
1V à 250µA
0.74 nC @ 4.5 V
±6V
60.67 pF @ 16 V
-
290mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-323
DMG1013UW-7
MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Diodes Incorporated
8 683
En stock
1 : 0,40000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,07972 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
820mA (Ta)
1,8V, 4,5V
750mohms à 430mA, 4,5V
1V à 250µA
0.622 nC @ 4.5 V
±6V
59.76 pF @ 16 V
-
310mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-323
2N7002W-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323
Diodes Incorporated
66 692
En stock
1 : 0,42000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,08590 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7,5ohms à 50mA, 5V
2V à 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-323
SC-70, SOT-323
PG-SOT323
BSS816NWH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323-3
Infineon Technologies
138 767
En stock
1 : 0,43000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,08911 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
1,4 A (Ta)
1,8V, 2,5V
160mohms à 1,4A, 2,5V
750mV à 3,7µA
0.6 nC @ 2.5 V
±8V
180 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
PG-SOT323
SC-70, SOT-323
SOT-323
BSS123W-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
Diodes Incorporated
173 614
En stock
1 : 0,49000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,10145 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
170mA (Ta)
4,5V, 10V
6ohms à 170mA, 10V
2V à 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
200mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-323
BSS84W-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323
Diodes Incorporated
71 878
En stock
1 : 0,51000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,10311 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
130mA (Ta)
5V
10ohms à 100mA, 5V
2V à 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
200mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-323
SC-70, SOT-323
BSS138W
2N7002KW
MOSFET N-CH 60V 310MA SC70
onsemi
95 870
En stock
1 : 0,55000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,11788 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
310mA (Ta)
5V, 10V
1,6ohms à 500mA, 10V
2,1V à 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-323
SC-70, SOT-323
MMBT2222AWT1G
NTS4173PT1G
MOSFET P-CH 30V 1.2A SC70-3
onsemi
33 706
En stock
1 : 0,55000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,11811 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
1,2 A (Ta)
2,5V, 10V
150mohms à 1,2A, 10V
1,5V à 250µA
10.1 nC @ 10 V
±12V
430 pF @ 15 V
-
290mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-70-3 (SOT323)
SC-70, SOT-323
MMBT2222AWT1G
NTS4001NT1G
MOSFET N-CH 30V 270MA SC70-3
onsemi
11 322
En stock
1 : 0,56000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,12149 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
270mA (Ta)
2,5V, 4V
1,5ohms à 10mA, 4V
1,5V à 100µA
1.3 nC @ 5 V
±20V
33 pF @ 5 V
-
330mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-70-3 (SOT323)
SC-70, SOT-323
SOT-323
PMF63UNEX
MOSFET N-CH 20V 2.2A SOT323
Nexperia USA Inc.
198 639
En stock
1 : 0,65156 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,14227 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
2,2 A (Ta)
1,8V, 4,5V
65mohms à 2A, 4,5V
1V à 250µA
5.85 nC @ 4.5 V
±8V
289 pF @ 10 V
-
395mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-323
SC-70, SOT-323
SC-70, SOT-323
AO7400
MOSFET N-CH 30V 1.7A SC70-3
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
78 721
En stock
1 : 0,77000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,17110 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Pas pour les nouvelles conceptions
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
1,7 A (Ta)
2,5V, 10V
85mohms à 1,5A, 10V
1,4V à 250µA
4.82 nC @ 4.5 V
±12V
390 pF @ 15 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-70-3
SC-70, SOT-323
SI1302DL-T1-GE3
SI1308EDL-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323
Vishay Siliconix
28 637
En stock
1 : 0,84000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,18979 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
1,4 A (Tc)
2,5V, 10V
132mohms à 1,4A, 10V
1,5V à 250µA
4.1 nC @ 10 V
±12V
105 pF @ 15 V
-
400mW (Ta), 500mW (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-70-3
SC-70, SOT-323
8 379
En stock
1 : 0,17000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03315 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
115mA (Ta)
4,5V, 10V
3ohms à 500mA, 10V
2,5V à 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
35 pF @ 25 V
-
200mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-323
SC-70, SOT-323
GSBAT54KW
2N7002W
MOSFET SOT-323 N 60V 0.115A 13.5
Diotec Semiconductor
12 578
En stock
1 : 0,19000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03711 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
13,5ohms à 500mA, 10V
2V à 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-323
NX7002AKW,115
MOSFET N-CH 60V 170MA SOT323
Nexperia USA Inc.
31 049
En stock
1 : 0,22000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,04357 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
170mA (Ta)
5V, 10V
4,5ohms à 100mA, 10V
2,1V à 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
220mW (Ta), 1,06W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-323
SC-70, SOT-323
6 489
En stock
1 : 0,22000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,04300 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
250mA (Ta)
4,5V, 10V
3ohms à 500mA, 10V
2,5V à 250µA
0.8 nC @ 5 V
±20V
24 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
SOT-323
SC-70, SOT-323
2 830
En stock
1 : 0,22775 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,04338 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
170mA (Ta)
4,5V, 10V
3,9ohms à 100mA, 10V
2,1V à 250µA
0.35 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
USM
SC-70, SOT-323
38 201
En stock
1 : 0,24114 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,04613 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
400mA (Ta)
4,5V, 10V
1,5ohms à 100mA, 10V
2,1V à 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C
-
-
Montage en surface
USM
SC-70, SOT-323
SOT-323
NX7002BKWX
MOSFET N-CH 60V 270MA SOT323
Nexperia USA Inc.
67 175
En stock
1 : 0,25000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,04811 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
270mA (Ta)
5V, 10V
2,8ohms à 200mA, 10V
2,1V à 250µA
1 nC @ 10 V
±20V
23.6 pF @ 10 V
-
310mW (Ta), 1,67W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-323
NX138BKWX
MOSFET N-CH 60V 210MA SOT323
Nexperia USA Inc.
37 530
En stock
1 : 0,26000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,05199 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
210mA (Ta)
2,5V, 10V
3,5ohms à 200mA, 10V
1,5V à 250µA
0.7 nC @ 10 V
±20V
20 pF @ 30 V
-
266mW (Ta), 1,33W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-323
NX138BKWF
MOSFET N-CHANNEL 60V 210MA SC70
Nexperia USA Inc.
4 865
En stock
1 : 0,26000 $
Bande coupée (CT)
10 000 : 0,04277 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
210mA (Ta)
2,5V, 10V
3,5ohms à 200mA, 10V
1,5V à 250µA
0.7 nC @ 10 V
±20V
20 pF @ 30 V
-
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-323
BSS84AKW,115
MOSFET P-CH 50V 150MA SOT323
Nexperia USA Inc.
46 897
En stock
1 : 0,27000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,05363 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
150mA (Ta)
10V
7,5ohms à 100mA, 10V
2,1V à 250µA
0.35 nC @ 5 V
±20V
36 pF @ 25 V
-
260mW (Ta), 830mW (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
SOT-323
SC-70, SOT-323
MMBT2222AWT1G
2N7002WT1G
MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
onsemi
23 728
En stock
1 : 0,27000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,05499 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
310mA (Ta)
4,5V, 10V
1,6ohms à 500mA, 10V
2,5V à 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
280mW (Tj)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-70-3 (SOT323)
SC-70, SOT-323
Affichage de
sur 408

FET simple, MOSFET

Les transistors à effet de champ (FET) simples et les transistors à effet de champ à oxyde métallique semi-conducteur (MOSFET) sont des types de transistors utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.

Un FET simple fonctionne en contrôlant le flux de courant électrique entre les bornes de source et de drain via un champ électrique généré par une tension appliquée à la borne de grille. Le principal avantage des FET est leur impédance d’entrée élevée, qui en fait un choix parfait pour une utilisation dans l’amplification de signaux et les circuits analogiques. Ils sont largement utilisés dans des applications telles que les amplificateurs, les oscillateurs et les étages tampons dans les circuits électroniques.

Les MOSFET, un sous-type de FET, ont une borne de grille isolée du canal par une fine couche d'oxyde, ce qui améliore leurs performances et les rend très efficaces. Les MOSFET peuvent être classés en deux types :

Les MOSFET sont préférés dans de nombreuses applications en raison de leur basse consommation, de leur commutation à haute vitesse et de leur capacité à gérer des tensions et des courants importants. Ils sont essentiels dans les circuits numériques et analogiques, notamment les alimentations, les variateurs moteurs et les applications radiofréquence.

Le fonctionnement des MOSFET peut être décomposé en deux modes :

  • Mode d'enrichissement : dans ce mode, le MOSFET est normalement désactivé lorsque la tension grille-source est nulle. Une tension grille-source positive (pour le canal N) ou une tension grille-source négative (pour le canal P) est nécessaire afin de l'allumer.
  • Mode de déplétion : dans ce mode, le MOSFET est normalement activé lorsque la tension grille-source est nulle. L'application d'une tension grille-source de polarité opposée peut la désactiver.

Les MOSFET offrent plusieurs avantages, tels que :

  1. Haut rendement : ils consomment très peu d'énergie et peuvent changer d'état rapidement, ce qui les rend très efficaces pour les applications de gestion de l'énergie.
  2. Faible résistance à l'état passant : ils ont une faible résistance lorsqu'ils sont allumés, ce qui minimise les pertes de puissance et la génération de chaleur.
  3. Impédance d'entrée élevée : la structure de grille isolée entraîne une impédance d'entrée extrêmement élevée, ce qui en fait un choix parfait pour l'amplification de signaux à haute impédance.

En résumé, les FET simples, en particulier les MOSFET, sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne, connus pour leur rendement, leur vitesse et leur polyvalence dans une large gamme d'applications allant de l'amplification de signaux basse puissance au contrôle et à la commutation haute puissance.