320mA (Ta) FET, MOSFET simples

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Référence fabricant	Quantité disponible	Prix	Série	Conditionnement	Statut du produit	Type de FET	Technologies	Tension drain-source (Vdss)	Courant - Drain continu (Id) à 25°C	Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	Rds On (max.) à Id, Vgs	Vgs(th) (max.) à Id	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	Vgs (max.)	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	Fonction FET	Dissipation de puissance (max.)	Température de fonctionnement	Grade	Qualification	Type de montage	Boîtier fournisseur	Boîtier
2N7002KT1G MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3 onsemi	65 870 En stock	1 : 0,30000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,05834 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	320mA (Ta)	4,5V, 10V	1,6ohms à 500mA, 10V	2,3V à 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	±20V	24.5 pF @ 20 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138BKW,115 MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323 Nexperia USA Inc.	18 106 En stock	1 : 0,37000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07677 $ Bande et bobine	TrenchMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	320mA (Ta)	10V	1,6ohms à 320m A, 10V	1,6V à 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	±20V	56 pF @ 10 V	-	260mW (Ta), 830mW (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	SOT-323	SC-70, SOT-323
2N7002K MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23 onsemi	136 453 En stock	1 : 0,46000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,09665 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	320mA (Ta)	4,5V, 10V	1,6ohms à 500mA, 10V	2,3V à 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	±20V	24.5 pF @ 20 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002KT7G MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3 onsemi	48 298 En stock	1 : 0,30000 $ Bande coupée (CT) 3 500 : 0,05686 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	320mA (Ta)	4,5V, 10V	1,6ohms à 500mA, 10V	2,3V à 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	±20V	24.5 pF @ 20 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2V7002KT1G MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23 onsemi	47 257 En stock	1 : 0,39000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07780 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	320mA (Ta)	4,5V, 10V	1,6ohms à 500mA, 10V	2,3V à 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	±20V	24.5 pF @ 20 V	-	300mW (Tj)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN62D0UT-7 MOSFET N-CH 60V 0.32A SOT523 Diodes Incorporated	19 958 En stock	1 : 0,42000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,08507 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	320mA (Ta)	1,8V, 2,5V, 4,5V	2ohms à 50mA, 4,5V	1V à 250µA	0.5 nC @ 4.5 V	±20V	32 pF @ 30 V	-	230mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-523	SOT-523
ZVN2110A MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3 Diodes Incorporated	3 552 En stock 8 000 Usine	1 : 1,62000 $ En vrac	-	En vrac	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	100 V	320mA (Ta)	10V	4ohms à 1A, 10V	2,4V à 1mA	-	±20V	75 pF @ 25 V	-	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Trou traversant	TO-92	TO-226-3, TO-92-3 boîtier standard (TO-226AA)
ZVNL110A MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3 Diodes Incorporated	2 037 En stock	1 : 1,73000 $ En vrac	-	En vrac	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	100 V	320mA (Ta)	5V, 10V	3ohms à 500mA, 10V	1,5V à 1mA	-	±20V	75 pF @ 25 V	-	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Trou traversant	TO-92	TO-226-3, TO-92-3 boîtier standard (TO-226AA)
ZVNL120GTA MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223 Diodes Incorporated	2 459 En stock	1 : 2,04000 $ Bande coupée (CT) 1 000 : 0,58829 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT)	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	200 V	320mA (Ta)	3V, 5V	10ohms à 250mA, 5V	1,5V à 1mA	-	±20V	85 pF @ 25 V	-	2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-223-3	TO-261-4, TO-261AA
DMN62D0UT-13 MOSFET N-CH 60V 0.32A SOT523 Diodes Incorporated	4 047 En stock 160 000 Usine	1 : 0,45000 $ Bande coupée (CT) 10 000 : 0,07496 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	320mA (Ta)	1,8V, 2,5V, 4,5V	2ohms à 50mA, 4,5V	1V à 250µA	0.5 nC @ 4.5 V	±20V	32 pF @ 30 V	-	230mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-523	SOT-523
DMN63D1LT-13 MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523 Diodes Incorporated	8 195 En stock 160 000 Usine	1 : 0,98000 $ Bande coupée (CT) 10 000 : 0,18794 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	320mA (Ta)	5V, 10V	2ohms à 500mA, 10V	2,5V à 1mA	392 nC @ 4.5 V	±20V	30 pF @ 25 V	-	330mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-523	SOT-523
ZVNL110ASTZ MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE Diodes Incorporated	1 945 En stock 12 000 Usine	2 000 : 0,45738 $ Bande et boîte 1 : 1,77000 $ Bande coupée (CT)	-	Bande coupée (CT) Bande et boîte	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	100 V	320mA (Ta)	5V, 10V	3ohms à 500mA, 10V	1,5V à 1mA	-	±20V	75 pF @ 25 V	-	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Trou traversant	E-Line (compatible TO-92)	E-Line-3
ZVN2120GTA MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223 Diodes Incorporated	191 En stock	1 : 2,12000 $ Bande coupée (CT) 1 000 : 0,61365 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT)	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	200 V	320mA (Ta)	10V	10ohms à 250mA, 10V	3V à 1mA	-	±20V	85 pF @ 25 V	-	2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-223-3	TO-261-4, TO-261AA
ZVN2110ASTZ MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE Diodes Incorporated	1 812 En stock 4 000 Usine	2 000 : 0,42785 $ Bande et boîte 1 : 1,67000 $ Bande coupée (CT)	-	Bande coupée (CT) Bande et boîte	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	100 V	320mA (Ta)	10V	4ohms à 1A, 10V	2,4V à 1mA	-	±20V	75 pF @ 25 V	-	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Trou traversant	E-Line (compatible TO-92)	E-Line-3
TQM2N7002KCU RFG 60V, 0.32A, SINGLE N-CHANNEL SMA Taiwan Semiconductor Corporation	2 980 En stock	1 : 0,42000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,08697 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	320mA (Ta)	4,5V, 10V	1,6ohms à 320m A, 10V	2,5V à 250µA	1.7 nC @ 10 V	±20V	27.5 pF @ 30 V	-	316mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	SOT-323	SC-70, SOT-323
IRFDC20PBF MOSFET N-CH 600V 320MA 4DIP Vishay Siliconix	5 395 En stock	1 : 4,46000 $ Tube	-	Tube	Obsolète	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	600 V	320mA (Ta)	10V	4,4ohms à 190mA, 10V	4V à 250µA	18 nC @ 10 V	±20V	350 pF @ 25 V	-	1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Trou traversant	4-HVMDIP	4-DIP (0,300po, 7,62mm)
DMN62D1LFB-7B MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN Diodes Incorporated	609 En stock 330 000 Usine	1 : 0,52000 $ Bande coupée (CT) 10 000 : 0,09021 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	320mA (Ta)	1,5V, 4V	2ohms à 100mA, 4V	1V à 250µA	0.9 nC @ 4.5 V	±20V	64 pF @ 25 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	X1-DFN1006-3	3-UFDFN
BSS138PW,115 MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323 Nexperia USA Inc.	0 En stock Vérifier le délai d'approvisionnement	1 : 0,30000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06055 $ Bande et bobine	TrenchMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	320mA (Ta)	10V	1,6ohms à 300mA, 10V	1,5V à 250µA	0.8 nC @ 4.5 V	±20V	50 pF @ 10 V	-	260mW (Ta), 830mW (Tc)	-55°C ~ 150°C (TA)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	SOT-323	SC-70, SOT-323
DMN63D1LT-7 MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523 Diodes Incorporated	0 En stock 306 000 Usine Vérifier le délai d'approvisionnement	3 000 : 0,21875 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	320mA (Ta)	5V, 10V	2ohms à 500mA, 10V	2,5V à 1mA	392 nC @ 4.5 V	±20V	30 pF @ 25 V	-	330mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-523	SOT-523
ZVN2110ASTOA MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE Diodes Incorporated	0 En stock	16 000 : 0,41174 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine	Obsolète	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	100 V	320mA (Ta)	10V	4ohms à 1A, 10V	2,4V à 1mA	-	±20V	75 pF @ 25 V	-	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Trou traversant	E-Line (compatible TO-92)	E-Line-3
ZVN2110ASTOB MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE Diodes Incorporated	0 En stock	16 000 : 0,41174 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine	Obsolète	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	100 V	320mA (Ta)	10V	4ohms à 1A, 10V	2,4V à 1mA	-	±20V	75 pF @ 25 V	-	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Trou traversant	E-Line (compatible TO-92)	E-Line-3
ZVNL110ASTOA MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE Diodes Incorporated	0 En stock	16 000 : 0,41174 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine	Obsolète	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	100 V	320mA (Ta)	5V, 10V	3ohms à 500mA, 10V	1,5V à 1mA	-	±20V	75 pF @ 25 V	-	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Trou traversant	E-Line (compatible TO-92)	E-Line-3
ZVN2120GTC MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223 Diodes Incorporated	0 En stock	4 000 : 0,47818 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine	Obsolète	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	200 V	320mA (Ta)	10V	10ohms à 250mA, 10V	3V à 1mA	-	±20V	85 pF @ 25 V	-	2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-223-3	TO-261-4, TO-261AA
ZVNL120GTC MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223 Diodes Incorporated	0 En stock	4 000 : 0,47818 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine	Obsolète	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	200 V	320mA (Ta)	3V, 5V	10ohms à 250mA, 5V	1,5V à 1mA	-	±20V	85 pF @ 25 V	-	2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-223-3	TO-261-4, TO-261AA
IRFDC20 MOSFET N-CH 600V 320MA 4DIP Vishay Siliconix	0 En stock	2 500 : 3,22313 $ Tube	-	Tube	Obsolète	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	600 V	320mA (Ta)	10V	4,4ohms à 190mA, 10V	4V à 250µA	18 nC @ 10 V	±20V	350 pF @ 25 V	-	1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Trou traversant	4-HVMDIP	4-DIP (0,300po, 7,62mm)

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FET simple, MOSFET

Les transistors à effet de champ (FET) simples et les transistors à effet de champ à oxyde métallique semi-conducteur (MOSFET) sont des types de transistors utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.

Un FET simple fonctionne en contrôlant le flux de courant électrique entre les bornes de source et de drain via un champ électrique généré par une tension appliquée à la borne de grille. Le principal avantage des FET est leur impédance d’entrée élevée, qui en fait un choix parfait pour une utilisation dans l’amplification de signaux et les circuits analogiques. Ils sont largement utilisés dans des applications telles que les amplificateurs, les oscillateurs et les étages tampons dans les circuits électroniques.

Les MOSFET, un sous-type de FET, ont une borne de grille isolée du canal par une fine couche d'oxyde, ce qui améliore leurs performances et les rend très efficaces. Les MOSFET peuvent être classés en deux types :

MOSFET à canal N: où les électrons sont les principaux porteurs.
MOSFET à canal P: où les trous sont porteurs primaires.

Les MOSFET sont préférés dans de nombreuses applications en raison de leur basse consommation, de leur commutation à haute vitesse et de leur capacité à gérer des tensions et des courants importants. Ils sont essentiels dans les circuits numériques et analogiques, notamment les alimentations, les variateurs moteurs et les applications radiofréquence.

Le fonctionnement des MOSFET peut être décomposé en deux modes :

Mode d'enrichissement : dans ce mode, le MOSFET est normalement désactivé lorsque la tension grille-source est nulle. Une tension grille-source positive (pour le canal N) ou une tension grille-source négative (pour le canal P) est nécessaire afin de l'allumer.
Mode de déplétion : dans ce mode, le MOSFET est normalement activé lorsque la tension grille-source est nulle. L'application d'une tension grille-source de polarité opposée peut la désactiver.

Les MOSFET offrent plusieurs avantages, tels que :

Haut rendement : ils consomment très peu d'énergie et peuvent changer d'état rapidement, ce qui les rend très efficaces pour les applications de gestion de l'énergie.
Faible résistance à l'état passant : ils ont une faible résistance lorsqu'ils sont allumés, ce qui minimise les pertes de puissance et la génération de chaleur.
Impédance d'entrée élevée : la structure de grille isolée entraîne une impédance d'entrée extrêmement élevée, ce qui en fait un choix parfait pour l'amplification de signaux à haute impédance.

En résumé, les FET simples, en particulier les MOSFET, sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne, connus pour leur rendement, leur vitesse et leur polyvalence dans une large gamme d'applications allant de l'amplification de signaux basse puissance au contrôle et à la commutation haute puissance.

FET simple, MOSFET

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