FET, MOSFET simples

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Conditionnement
Statut du produit
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
Rds On (max.) à Id, Vgs
Vgs(th) (max.) à Id
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
Vgs (max.)
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
Fonction FET
Dissipation de puissance (max.)
Température de fonctionnement
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier fournisseur
Boîtier
SI2333DS-T1-GE3
SI2308CDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
110 437
En stock
1 : 0,57000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,14416 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
2,6 A (Tc)
4,5V, 10V
144mohms à 1,9A, 10V
3V à 250µA
4 nC @ 10 V
±20V
105 pF @ 30 V
-
1,6W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PowerPAK 1212-8
SISA24DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
10 603
En stock
1 : 1,43000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,51047 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
25 V
60 A (Tc)
4,5V, 10V
1,4mohms à 15A, 10V
2,1V à 250µA
26 nC @ 4.5 V
+20V, -16V
2650 pF @ 10 V
-
52W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
SIS176LDN-T1-GE3
SISA40DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 43.7A/162A PPAK
Vishay Siliconix
7 711
En stock
1 : 1,44000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,43552 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
43,7 A (Ta), 162 A (Tc)
2,5V, 10V
1,1mohms à 10A, 10V
1,5V à 250µA
53 nC @ 10 V
+12V, -8V
3415 pF @ 10 V
-
3,7W (Ta), 52W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
SIS176LDN-T1-GE3
SISA01DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 22.4A/60A PPAK
Vishay Siliconix
6 743
En stock
1 : 1,66000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,49510 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
22,4 A (Ta), 60 A (Tc)
4,5V, 10V
4,9mohms à 15A, 10V
2,2V à 250µA
84 nC @ 10 V
+16V, -20V
3490 pF @ 15 V
-
3,7W (Ta), 52W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
SIS176LDN-T1-GE3
SISA72ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 25.4A/94A PPAK
Vishay Siliconix
3 006
En stock
1 : 1,68000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,42113 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
25,4A (Ta), 94A (Tc)
4,5V, 10V
3,25mohms à 10A, 10V
2,4V à 250µA
50 nC @ 10 V
+20V, -16V
2530 pF @ 20 V
-
3,7W (Ta), 52W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
SIR401DP-T1-GE3
SIR186LDP-T1-RE3
N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
Vishay Siliconix
9 020
En stock
1 : 2,05000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,56179 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
23,8A (Ta), 80,3A (Tc)
4,5V, 10V
4,4mohms à 15A, 10V
2,5V à 250µA
48 nC @ 10 V
±20V
1980 pF @ 30 V
-
5W (Ta), 57W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SIR401DP-T1-GE3
SIR184DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 20.7A/73A PPAK
Vishay Siliconix
15 950
En stock
1 : 2,08000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,70842 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
20,7 A (Ta), 73 A (Tc)
7,5V, 10V
5,8mohms à 10A, 10V
3,4V à 250µA
32 nC @ 10 V
±20V
1490 pF @ 30 V
-
5W (Ta), 62,5W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SIR401DP-T1-GE3
SIR878BDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 12A/42.5A PPAK
Vishay Siliconix
8 671
En stock
1 : 2,08000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,92383 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
12 A (Ta), 42,5 A (Tc)
7,5V, 10V
14,4mohms à 15A, 10V
3,4V à 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
1850 pF @ 50 V
-
5W (Ta), 62,5W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SIR401DP-T1-GE3
SIRA50ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 40V 54.8A/219A PPAK
Vishay Siliconix
5 999
En stock
1 : 2,14000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,96126 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
54,8 A (Ta), 219 A (Tc)
4,5V, 10V
1,04mohms à 20A, 10V
2,2V à 250µA
150 nC @ 10 V
+20V, -16V
7300 pF @ 20 V
-
6,25W (Ta), 100W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SIR401DP-T1-GE3
SIR606BDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 10.9A PPAK
Vishay Siliconix
12 157
En stock
1 : 2,23000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,80872 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
10,9 A (Ta), 38,7 A (Tc)
7,5V, 10V
17,4mohms à 10A, 10V
4V à 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
1470 pF @ 50 V
-
5W (Ta), 62,5W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SISS5808DN-T1-GE3
SISS05DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 29.4A/108A PPAK
Vishay Siliconix
10 388
En stock
1 : 2,24000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,71264 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
29,4A (Ta), 108A (Tc)
4,5V, 10V
3,5mohms à 10A, 10V
2,2V à 250µA
115 nC @ 10 V
+16V, -20V
4930 pF @ 15 V
-
5W (Ta), 65,7W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
SQJA72EP-T1_GE3
SIJA52ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 41.6A/131A PPAK
Vishay Siliconix
1 857
En stock
1 : 2,30000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,77714 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
41,6 A (Ta), 131 A (Tc)
4,5V, 10V
1,63mohms à 15A, 10V
2,4V à 250µA
100 nC @ 10 V
+20V, -16V
5500 pF @ 20 V
-
4,8W (Ta), 48W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8 Pkg
SIRA60DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
977
En stock
1 : 2,30000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,82198 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
100 A (Tc)
4,5V, 10V
0,94mohms à 20A, 10V
2,2V à 250µA
60 nC @ 4.5 V
+20V, -16V
7650 pF @ 15 V
-
57W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SISS5808DN-T1-GE3
SISS06DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 47.6/172.6A PPAK
Vishay Siliconix
17 447
En stock
1 : 2,33000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,65394 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
47,6A (Ta), 172,6A (Tc)
4,5V, 10V
1,38mohms à 15A, 10V
2,2V à 250µA
77 nC @ 10 V
+20V, -16V
3660 pF @ 15 V
-
5W (Ta), 65,7W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
SISS5808DN-T1-GE3
SISS22LDN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.5A PPAK
Vishay Siliconix
7 485
En stock
1 : 2,45000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,68815 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
25,5A (Ta), 92,5A (Tc)
4,5V, 10V
3,65mohms à 15A, 10V
2,5V à 250µA
56 nC @ 10 V
±20V
2540 pF @ 30 V
-
5W (Ta), 65,7W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
MOSFET N-CH 80V 21.3A/86A PPAK
SIR826LDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 80V 21.3A/86A PPAK
Vishay Siliconix
8 547
En stock
1 : 2,51000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,89531 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
80 V
21,3A (Ta), 86A (Tc)
10V
5mohms à 15A, 10V
2,4V à 250µA
91 nC @ 10 V
±20V
3840 pF @ 40 V
-
5W (Ta), 83W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SIR401DP-T1-GE3
SIR873DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
13 746
En stock
1 : 2,56000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,98316 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
150 V
37 A (Tc)
10V
47,5mohms à 10A, 10V
4V à 250µA
48 nC @ 10 V
±20V
1805 pF @ 75 V
-
104W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SIR401DP-T1-GE3
SIR826BDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 80V 19.8A/80.8A PPAK
Vishay Siliconix
655
En stock
1 : 2,56000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,90750 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
80 V
19,8 A (Ta), 80,8 A (Tc)
7,5V, 10V
5,1mohms à 15A, 10V
3,8V à 250µA
69 nC @ 10 V
±20V
3030 pF @ 40 V
-
5W (Ta), 83W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8 Pkg
SIR626DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 100A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
730
En stock
1 : 2,96000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 1,11338 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
100 A (Tc)
6V, 10V
1,7mohms à 20A, 10V
3,4V à 250µA
78 nC @ 7.5 V
±20V
5130 pF @ 30 V
-
104W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SIR401DP-T1-GE3
SIR178DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 20V 100A/430A PPAK
Vishay Siliconix
12 512
En stock
1 : 2,97000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 1,03209 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
100A (Ta), 430A (Tc)
2,5V, 10V
0,4mohms à 30A, 10V
1,5V à 250µA
310 nC @ 10 V
+12V, -8V
12430 pF @ 10 V
-
6,3W (Ta), 104W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SIR401DP-T1-GE3
SIR626LDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 45.6A/186A PPAK
Vishay Siliconix
10 805
En stock
1 : 2,97000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 1,07523 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
45,6A (Ta), 186A (Tc)
4,5V, 10V
1,5mohms à 20A, 10V
2,5V à 250µA
135 nC @ 10 V
±20V
5900 pF @ 30 V
-
6,25W (Ta), 104W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SIR401DP-T1-GE3
SIR180DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 32.4A/60A PPAK
Vishay Siliconix
10 287
En stock
1 : 3,19000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 1,07018 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
32,4 A (Ta), 60 A (Tc)
7,5V, 10V
2,05mohms à 10A, 10V
3,6V à 250µA
87 nC @ 10 V
±20V
4030 pF @ 30 V
-
5,4W (Ta), 83,3W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SQJA72EP-T1_GE3
SIJ438ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 45.3A/169A PPAK
Vishay Siliconix
1 540
En stock
1 : 3,19000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,89915 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
45,3A (Ta), 169A(Tc)
4,5V, 10V
1,35mohms à 20A, 10V
2,4V à 250µA
162 nC @ 10 V
+20V, -16V
7800 pF @ 20 V
-
5W (Ta), 69,4W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SIR401DP-T1-GE3
SIR120DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 80V 24.7A/106A PPAK
Vishay Siliconix
6 000
En stock
1 : 3,23000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 1,02274 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
80 V
24,7A (Ta), 106A (Tc)
7,5V, 10V
3,55mohms à 15A, 10V
3,5V à 250µA
94 nC @ 10 V
±20V
4150 pF @ 40 V
-
5,4W (Ta), 100W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SIR401DP-T1-GE3
SIR638ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
8 999
En stock
1 : 3,26000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 1,07018 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
100 A (Tc)
4,5V, 10V
0,88mohms à 20A, 10V
2,3V à 250µA
165 nC @ 10 V
+20V, -16V
9100 pF @ 100 V
-
104W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
Affichage de
sur 262

FET, MOSFET simples


Les transistors à effet de champ (FET) discrets sont largement utilisés dans la conversion de puissance, la commande de moteur, l'éclairage à semi-conducteurs et d'autres applications dans lesquelles leur capacité caractéristique à être activés et désactivés à des fréquences élevées tout en transmettant de grandes quantités de courant est un avantage. Ils sont utilisés presque universellement pour les applications nécessitant une tension nominale de quelques centaines de volts maximum. Pour des tensions supérieures, d'autres types de dispositifs, comme les IGBT, deviennent plus compétitifs.