FET, MOSFET simples

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Référence fabricant	Quantité disponible	Prix	Série	Conditionnement	Statut du produit	Type de FET	Technologies	Tension drain-source (Vdss)	Courant - Drain continu (Id) à 25°C	Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	Rds On (max.) à Id, Vgs	Vgs(th) (max.) à Id	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	Vgs (max.)	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	Fonction FET	Dissipation de puissance (max.)	Température de fonctionnement	Grade	Qualification	Type de montage	Boîtier fournisseur	Boîtier
IGLR65R140D2XUMA1 IGLR65R140D2XUMA1 Infineon Technologies	4 689 En stock	1 : 5,44000 $ Bande coupée (CT) 5 000 : 1,78036 $ Bande et bobine	CoolGaN™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	GaNFET (nitrure de gallium)	650 V	13 A (Tc)	-	-	1,6V à 1mA	1.8 nC @ 3 V	-10V	155 pF @ 400 V	-	47W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	PG-TSON-8-8	8-PowerTDFN
CDF56G6517N TR13 PBFREE 650V, 17A, N-CHANNEL GAN FET IN Central Semiconductor Corp	2 498 En stock	1 : 8,47000 $ Bande coupée (CT) 2 500 : 3,85658 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	GaNFET (nitrure de gallium)	650 V	17 A (Tc)	6V	140mohms à 5A, 6V	2,5V à 17,2mA	3.5 nC @ 6 V	+7V, -1,4V	125 pF @ 400 V	-	1,1W (Ta), 113W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface, joints de brasure visibles	8-DFN (5x6)	8-PowerVDFN
IGLR70R270D2SXUMA1 IGLR70R270D2SXUMA1 Infineon Technologies	4 365 En stock	1 : 3,17000 $ Bande coupée (CT) 5 000 : 0,85329 $ Bande et bobine	CoolGaN™ G5	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	GaNFET (nitrure de gallium)	700 V	7,2 A (Tc)	-	-	1,6V à 560µA	1 nC @ 3 V	-10V	74 pF @ 400 V	-	28W (Tc)	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	PG-TSON-8-8	8-PowerTDFN
IGLR65R270D2XUMA1 IGLR65R270D2XUMA1 Infineon Technologies	4 868 En stock	1 : 3,49000 $ Bande coupée (CT) 5 000 : 0,97048 $ Bande et bobine	CoolGaN™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	GaNFET (nitrure de gallium)	650 V	7,2 A (Tc)	-	-	1,6V à 560µA	1 nC @ 3 V	-10V	74 pF @ 400 V	-	28W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	PG-TSON-8-8	8-PowerTDFN
IGLR70R140D2SXUMA1 IGLR70R140D2SXUMA1 Infineon Technologies	4 881 En stock	1 : 4,32000 $ Bande coupée (CT) 5 000 : 1,30509 $ Bande et bobine	CoolGaN™ G5	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	GaNFET (nitrure de gallium)	700 V	13 A (Tc)	-	-	1,6V à 1mA	1.8 nC @ 3 V	-10V	155 pF @ 400 V	-	47W (Tc)	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	PG-TSON-8-8	8-PowerTDFN
IGLD65R140D2AUMA1 GAN HV Infineon Technologies	2 409 En stock	1 : 5,72000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 1,91152 $ Bande et bobine	CoolGaN™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	GaNFET (nitrure de gallium)	650 V	12 A (Tc)	-	-	1,6V à 1mA	2.6 nC @ 3 V	-10V	130 pF @ 400 V	-	42W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	PG-LSON-8-1	8-LDFN plot exposé
CDFG6558N TR13 PBFREE GANFET N-CH 650V 29A 8DFN Central Semiconductor Corp	2 463 En stock	1 : 16,22000 $ Bande coupée (CT) 2 500 : 7,65727 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	GaNFET (nitrure de gallium)	650 V	29 A (Tc)	6V	80mohms à 8A, 6V	2,5V à 30,7mA	6.2 nC @ 6 V	+7V, -6V	225 pF @ 400 V	-	1,1W (Ta), 188W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	8-DFN (8x8)	8-VDFN plot exposé

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FET simple, MOSFET

Les transistors à effet de champ (FET) simples et les transistors à effet de champ à oxyde métallique semi-conducteur (MOSFET) sont des types de transistors utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.

Un FET simple fonctionne en contrôlant le flux de courant électrique entre les bornes de source et de drain via un champ électrique généré par une tension appliquée à la borne de grille. Le principal avantage des FET est leur impédance d’entrée élevée, qui en fait un choix parfait pour une utilisation dans l’amplification de signaux et les circuits analogiques. Ils sont largement utilisés dans des applications telles que les amplificateurs, les oscillateurs et les étages tampons dans les circuits électroniques.

Les MOSFET, un sous-type de FET, ont une borne de grille isolée du canal par une fine couche d'oxyde, ce qui améliore leurs performances et les rend très efficaces. Les MOSFET peuvent être classés en deux types :

MOSFET à canal N: où les électrons sont les principaux porteurs.
MOSFET à canal P: où les trous sont porteurs primaires.

Les MOSFET sont préférés dans de nombreuses applications en raison de leur basse consommation, de leur commutation à haute vitesse et de leur capacité à gérer des tensions et des courants importants. Ils sont essentiels dans les circuits numériques et analogiques, notamment les alimentations, les variateurs moteurs et les applications radiofréquence.

Le fonctionnement des MOSFET peut être décomposé en deux modes :

Mode d'enrichissement : dans ce mode, le MOSFET est normalement désactivé lorsque la tension grille-source est nulle. Une tension grille-source positive (pour le canal N) ou une tension grille-source négative (pour le canal P) est nécessaire afin de l'allumer.
Mode de déplétion : dans ce mode, le MOSFET est normalement activé lorsque la tension grille-source est nulle. L'application d'une tension grille-source de polarité opposée peut la désactiver.

Les MOSFET offrent plusieurs avantages, tels que :

Haut rendement : ils consomment très peu d'énergie et peuvent changer d'état rapidement, ce qui les rend très efficaces pour les applications de gestion de l'énergie.
Faible résistance à l'état passant : ils ont une faible résistance lorsqu'ils sont allumés, ce qui minimise les pertes de puissance et la génération de chaleur.
Impédance d'entrée élevée : la structure de grille isolée entraîne une impédance d'entrée extrêmement élevée, ce qui en fait un choix parfait pour l'amplification de signaux à haute impédance.

En résumé, les FET simples, en particulier les MOSFET, sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne, connus pour leur rendement, leur vitesse et leur polyvalence dans une large gamme d'applications allant de l'amplification de signaux basse puissance au contrôle et à la commutation haute puissance.