Transistors bipolaires simples

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Conditionnement
Statut du produit
Type de transistor
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic
Courant - Résiduel de collecteur (max.)
Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce
Puissance - Max.
Fréquence - Transition
Température de fonctionnement
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier
Boîtier fournisseur
SOT-323
TRANS NPN 45V 0.1A SOT-323
Nexperia USA Inc.
73 643
En stock
1 : 0,20000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03727 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
NPN
100 mA
45 V
400mV à 5mA, 100mA
15 nA (ICBO)
420 à 2mA, 5V
200 mW
100MHz
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-70, SOT-323
SOT-323
SOT-323
TRANS NPN 45V 0.1A SOT-323
Nexperia USA Inc.
32 212
En stock
1 : 0,20000 $
Bande coupée (CT)
10 000 : 0,03029 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
NPN
100 mA
45 V
400mV à 5mA, 100mA
15 nA (ICBO)
420 à 2mA, 5V
200 mW
100MHz
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-70, SOT-323
SOT-323
SOT-323
TRANS NPN 45V 0.1A SOT-323
Nexperia USA Inc.
21 117
En stock
1 : 0,20000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03724 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
NPN
100 mA
45 V
400mV à 5mA, 100mA
15 nA (ICBO)
110 à 2mA, 5V
200 mW
100MHz
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-70, SOT-323
SOT-323
SOT-323
TRANS NPN 45V 0.1A SOT-323
Nexperia USA Inc.
4 953
En stock
1 : 0,20000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03879 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
NPN
100 mA
45 V
400mV à 5mA, 100mA
15 nA (ICBO)
110 à 2mA, 5V
200 mW
100MHz
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-70, SOT-323
SOT-323
SOT-323
TRANS NPN 45V 0.1A SOT-323
Nexperia USA Inc.
2 816
En stock
1 : 0,20000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03724 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
NPN
100 mA
45 V
400mV à 5mA, 100mA
15 nA (ICBO)
200 à 2mA, 5V
200 mW
100MHz
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-70, SOT-323
SOT-323
SOT-323
TRANS NPN 45V 0.1A SOT-323
Nexperia USA Inc.
62 305
En stock
1 : 0,23000 $
Bande coupée (CT)
10 000 : 0,03718 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
NPN
100 mA
45 V
400mV à 5mA, 100mA
15 nA (ICBO)
200 à 2mA, 5V
200 mW
100MHz
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-70, SOT-323
SOT-323
SOT-323
TRANS NPN 45V 0.1A SOT-323
Nexperia USA Inc.
8 430
En stock
1 : 0,23000 $
Bande coupée (CT)
10 000 : 0,03029 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
NPN
100 mA
45 V
400mV à 5mA, 100mA
15 nA (ICBO)
110 à 2mA, 5V
200 mW
100MHz
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-70, SOT-323
SOT-323
SOT-323
TRANS NPN 45V 0.1A SOT-323
Nexperia USA Inc.
7 768
En stock
1 : 0,23000 $
Bande coupée (CT)
10 000 : 0,03029 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
NPN
100 mA
45 V
400mV à 5mA, 100mA
15 nA (ICBO)
110 à 2mA, 5V
200 mW
100MHz
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-70, SOT-323
SOT-323
BC847BW/DG,115
TRANS NPN 45V 0.1A SOT-323
Nexperia USA Inc.
21 000
Marketplace
Non disponible
Non disponible dans la devise sélectionnée
En vrac
Actif
NPN
100 mA
45 V
400mV à 5mA, 100mA
15 nA (ICBO)
200 à 2mA, 5V
200 mW
100MHz
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-70, SOT-323
SOT-323
Affichage de
sur 9

Transistors bipolaires simples


Les transistors à jonctions bipolaires (BJT) discrets sont fréquemment utilisés pour établir des fonctions d'amplification de signal analogique dans les applications audio, radio et autres. Étant l'un des premiers dispositifs à semi-conducteurs à être fabriqués en masse, leurs caractéristiques sont moins favorables que celles d'autres types de dispositifs pour les applications impliquant une commutation haute fréquence et un fonctionnement avec des courants ou des tensions élevés. Ils restent cependant une technologie de choix pour les applications nécessitant une reproduction du signal analogique avec peu de bruit et de distorsion ajoutés. Les BJT existent en deux variantes – NPN et PNP – qui font référence à la séquence de couches semi-conductrices qui composent le transistor. Les transistors NPN sont constitués d'un semi-conducteur fin de type P entre deux matériaux de type N, tandis que les transistors PNP ont un semi-conducteur de type N entre deux types P. Cela donne aux deux types de transistors un fonctionnement à polarité opposée. Les transistors NPN absorbent le courant, tandis que les transistors PNP génèrent du courant.