Transistors bipolaires simples

Résultats : 2
Options de stockage
Options environnementales
Supports
Exclure
2Résultats

Affichage de
sur 2
Référence fabricant
Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Type de transistor
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic
Courant - Résiduel de collecteur (max.)
Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce
Puissance - Max.
Fréquence - Transition
Température de fonctionnement
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier
Boîtier fournisseur
SOT 23-3
SMMBT3906LT3G
TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3
onsemi
47 177
En stock
1 : 0,26000 $
Bande coupée (CT)
10 000 : 0,04081 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
PNP
200 mA
40 V
400mV à 5mA, 50mA
-
100 à 10mA, 1V
300 mW
250MHz
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3 (TO-236)
SOT-223
BCP53-16T3G
TRANS PNP 80V 1.5A SOT223
onsemi
10 954
En stock
1 : 1,00000 $
Bande coupée (CT)
4 000 : 0,22214 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
PNP
1.5 A
80 V
500mV à 50mA, 500mA
100 nA (ICBO)
100 à 150mA, 2V
1.5 W
50MHz
-65°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-261-4, TO-261AA
SOT-223 (TO-261)
Affichage de
sur 2

Transistors bipolaires simples


Les transistors à jonctions bipolaires (BJT) discrets sont fréquemment utilisés pour établir des fonctions d'amplification de signal analogique dans les applications audio, radio et autres. Étant l'un des premiers dispositifs à semi-conducteurs à être fabriqués en masse, leurs caractéristiques sont moins favorables que celles d'autres types de dispositifs pour les applications impliquant une commutation haute fréquence et un fonctionnement avec des courants ou des tensions élevés. Ils restent cependant une technologie de choix pour les applications nécessitant une reproduction du signal analogique avec peu de bruit et de distorsion ajoutés. Les BJT existent en deux variantes – NPN et PNP – qui font référence à la séquence de couches semi-conductrices qui composent le transistor. Les transistors NPN sont constitués d'un semi-conducteur fin de type P entre deux matériaux de type N, tandis que les transistors PNP ont un semi-conducteur de type N entre deux types P. Cela donne aux deux types de transistors un fonctionnement à polarité opposée. Les transistors NPN absorbent le courant, tandis que les transistors PNP génèrent du courant.