Transistors bipolaires simples

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Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Type de transistor
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic
Courant - Résiduel de collecteur (max.)
Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce
Puissance - Max.
Fréquence - Transition
Température de fonctionnement
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier
Boîtier fournisseur
SOT-23-3
MMBT3904-7-F
TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23-3
Diodes Incorporated
3 047 825
En stock
4 524 000
Usine
1 : 0,19000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03796 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
NPN
200 mA
40 V
300mV à 5mA, 50mA
50 nA (ICBO)
100 à 10mA, 1V
300 mW
300MHz
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
SOT 23-3
MMBT2222ALT1G
TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
onsemi
141 408
En stock
1 : 0,23000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,04499 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
NPN
600 mA
40 V
1V à 50mA, 500mA
10 nA (ICBO)
100 à 150mA, 10V
225 mW
300MHz
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3 (TO-236)
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Transistors bipolaires simples


Les transistors à jonctions bipolaires (BJT) discrets sont fréquemment utilisés pour établir des fonctions d'amplification de signal analogique dans les applications audio, radio et autres. Étant l'un des premiers dispositifs à semi-conducteurs à être fabriqués en masse, leurs caractéristiques sont moins favorables que celles d'autres types de dispositifs pour les applications impliquant une commutation haute fréquence et un fonctionnement avec des courants ou des tensions élevés. Ils restent cependant une technologie de choix pour les applications nécessitant une reproduction du signal analogique avec peu de bruit et de distorsion ajoutés. Les BJT existent en deux variantes – NPN et PNP – qui font référence à la séquence de couches semi-conductrices qui composent le transistor. Les transistors NPN sont constitués d'un semi-conducteur fin de type P entre deux matériaux de type N, tandis que les transistors PNP ont un semi-conducteur de type N entre deux types P. Cela donne aux deux types de transistors un fonctionnement à polarité opposée. Les transistors NPN absorbent le courant, tandis que les transistors PNP génèrent du courant.