Modules IGBT

Résultats : 90
Options de stockage
Options environnementales
Supports
Exclure
90Résultats
Filtres appliqués Tout supprimer
Affichage de
sur 90
Référence fabricant
Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Type d'IGBT
Configuration
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
Puissance - Max.
Vce(on) (max.) à Vge, Ic
Courant - Résiduel de collecteur (max.)
Capacité d'entrée (Cies) à Vce
Entrée
Thermistance CTN
Température de fonctionnement
Type de montage
Boîtier
Boîtier fournisseur
IGBT MODULE C SERIES
FF200R12KE4HOSA1
IGBT MOD 1200V 240A 1100W MOD
Infineon Technologies
73
En stock
1 : 137,54000 $
Plateau
Plateau
Actif
À tranchées à champ limité
Demi- pont
1200 V
240 A
1100 W
2,15V à 15V, 200A
5 mA
14 nF @ 25 V
Standard
Non
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montage sur châssis
Module
Module
IGBT MODULE C SERIES
FF200R06KE3HOSA1
IGBT MOD 600V 260A 680W MOD
Infineon Technologies
2
En stock
164
Marketplace
1 : 151,85000 $
Plateau
En vrac
Plateau
Actif
À tranchées à champ limité
Demi- pont
600 V
260 A
680 W
1,9V à 15V, 200A
5 mA
-
Standard
Non
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montage sur châssis
Module
Module
FZ600R12KE4HOSA1
FZ600R12KE4HOSA1
IGBT MOD 1200V 600A 3000W MOD
Infineon Technologies
72
En stock
1 : 168,21000 $
Plateau
Plateau
Actif
-
Simple
1200 V
600 A
3000 W
2,1V à 15V, 600A
5 mA
1.7 nF @ 25 V
Standard
Non
-40°C ~ 125°C
Montage sur châssis
Module
Module
FF300R12KE4HOSA1
FF300R12KE4HOSA1
IGBT MOD 1200V 460A 1600W MOD
Infineon Technologies
50
En stock
1 : 168,21000 $
Plateau
Plateau
Actif
À tranchées à champ limité
2 indépendantes
1200 V
460 A
1600 W
2,15V à 15V, 300A
5 mA
19 nF @ 25 V
Standard
Oui
-40°C ~ 150°C
Montage sur châssis
Module
Module
IGBT MODULE C SERIES
FF300R12KT4HOSA1
IGBT MOD 1200V 450A 1600W MOD
Infineon Technologies
55
En stock
1 : 175,59000 $
Plateau
Plateau
Actif
À tranchées à champ limité
Demi- pont
1200 V
450 A
1600 W
2,15V à 15V, 300A
5 mA
19 nF @ 25 V
Standard
Non
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montage sur châssis
Module
Module
IGBT MODULE C SERIES
FF400R06KE3HOSA1
IGBT MOD 600V 500A 1250W MOD
Infineon Technologies
66
En stock
1 : 206,20000 $
Plateau
Plateau
Actif
À tranchées à champ limité
Demi- pont
600 V
500 A
1250 W
1,9V à 15V, 400A
5 mA
-
Standard
Non
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montage sur châssis
Module
Module
IGBT MODULE C SERIES
FF450R12KT4HOSA1
IGBT MOD 1200V 450A 2400W MOD
Infineon Technologies
621
En stock
1 : 212,65000 $
Plateau
Plateau
Actif
À tranchées à champ limité
Demi- pont
1200 V
450 A
2400 W
2,15V à 15V, 450A
5 mA
28 nF @ 25 V
Standard
Non
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montage sur châssis
Module
Module
IGBT MODULE C SERIES
FF450R12KE4HOSA1
IGBT MOD 1200V 520A 2400W MOD
Infineon Technologies
71
En stock
1 : 212,65000 $
Plateau
Plateau
Actif
À tranchées à champ limité
Demi- pont
1200 V
520 A
2400 W
2,15V à 15V, 450A
5 mA
28 nF @ 25 V
Standard
Non
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montage sur châssis
Module
Module
FZ900R12KE4
FZ900R12KE4HOSA1
IGBT MOD 1200V 900A 4300W MOD
Infineon Technologies
56
En stock
1 : 212,65000 $
Plateau
Plateau
Actif
À tranchées à champ limité
Simple
1200 V
900 A
4300 W
2,1V à 15V, 900A
5 mA
56 nF @ 25 V
Standard
Non
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montage sur châssis
Module
Module
FZ600R17KE4HOSA1
FZ600R17KE4HOSA1
IGBT MOD 1700V 1200A 3350W MOD
Infineon Technologies
113
En stock
1 : 212,97000 $
Plateau
Plateau
Actif
À tranchées à champ limité
Simple
1700 V
1200 A
3350 W
2,3V à 15V, 600A
1 mA
49 nF @ 25 V
Standard
Non
-40°C ~ 150°C
Montage sur châssis
Module
Module
IGBT MODULE C SERIES
FF200R12KS4HOSA1
IGBT MOD 1200V 275A 1400W MOD
Infineon Technologies
35
En stock
1 : 213,78000 $
Plateau
Plateau
Actif
-
2 indépendantes
1200 V
275 A
1400 W
3,7V à 15V, 200A
5 mA
13 nF @ 25 V
Standard
Non
-40°C ~ 125°C
Montage sur châssis
Module
Module
IGBT MODULE C SERIES
FF600R12KE4BOSA1
IGBT MODULE 1200V 600A MODULE
Infineon Technologies
73
En stock
1 : 264,59000 $
Plateau
Plateau
Actif
À tranchées à champ limité
Demi- pont
1200 V
600 A
-
2,2V à 15V, 600A
5 mA
38 nF @ 25 V
Standard
Non
-40°C ~ 150°C
Montage sur châssis
Module
Module
FF300R12KS4HOSA1
FF300R12KS4HOSA1
IGBT MOD 1200V 370A 1950W MOD
Infineon Technologies
46
En stock
1 : 266,75000 $
Plateau
Plateau
Actif
-
2 indépendantes
1200 V
370 A
1950 W
3,75V à 15V, 300A
5 mA
20 nF @ 25 V
Standard
Non
-40°C ~ 125°C
Montage sur châssis
Module
Module
62mmFF1682170244
FF400R17KE4HOSA1
IGBT MODULE 1700V 400A MODULE
Infineon Technologies
79
En stock
1 : 276,13000 $
Plateau
Plateau
Actif
À tranchées à champ limité
Demi- pont
1700 V
400 A
-
2,3V à 15V, 400A
1 mA
36 nF @ 25 V
Standard
Non
-40°C ~ 150°C
Montage sur châssis
Module
Module
IGBT MODULE C SERIES
FF200R12KT4HOSA1
IGBT MOD 1200V 320A 1100W MOD
Infineon Technologies
34
En stock
1 : 143,55000 $
Plateau
Plateau
Actif
À tranchées à champ limité
Demi- pont
1200 V
320 A
1100 W
2,15V à 15V, 200A
5 mA
14 nF @ 25 V
Standard
Non
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montage sur châssis
Module
Module
FF150R12KE3GB2HOSA1
FF150R12KE3GB2HOSA1
IGBT MOD 1200V 225A 780W MOD
Infineon Technologies
7
En stock
190
Marketplace
1 : 161,07000 $
Plateau
En vrac
Plateau
Actif
À tranchées à champ limité
Onduleur en demi-pont
1200 V
225 A
780 W
2,15V à 15V, 150A
5 mA
11 nF @ 25 V
Standard
Non
-40°C ~ 125°C (TJ)
Montage sur châssis
Module
Module
62mm
FZ400R12KS4PHOSA1
IGBT MODULE 1200V 800A MODULE
Infineon Technologies
8
En stock
176
Marketplace
1 : 222,02000 $
Plateau
En vrac
Plateau
Actif
-
Simple
1200 V
800 A
-
3,7V à 15V, 400A
5 mA
26 nF @ 25 V
Standard
Non
-40°C ~ 125°C
Montage sur châssis
Module
Module
62mmFF1682170244
FD400R12KE3B5HOSA1
IGBT MOD 1200V 580A 2000W MOD
Infineon Technologies
44
En stock
1 : 242,00000 $
Plateau
Plateau
Actif
À tranchées à champ limité
Hacheur simple
1200 V
580 A
2000 W
2,15V à 15V, 400A
5 mA
28 nF @ 25 V
Standard
Non
-40°C ~ 125°C
Montage sur châssis
Module
Module
62mmFF1682170244
FF600R12KE4PBOSA1
IGBT MOD 1200V 600A AG-62MM-1
Infineon Technologies
9
En stock
128
Marketplace
1 : 260,02000 $
Plateau
En vrac
Plateau
Actif
À tranchées à champ limité
2 indépendantes
1200 V
600 A
-
2,2V à 15V, 600A
5 mA
38 nF @ 25 V
Standard
Non
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montage sur châssis
Module
AG-62MM-1
FZ400R17KE3S4HOSA1
FZ400R17KE3S4HOSA1
IGBT MOD 1700V 620A 2250W MOD
Infineon Technologies
7
En stock
743
Marketplace
1 : 223,86000 $
Plateau
En vrac
Plateau
Actif
À tranchées à champ limité
Simple
1700 V
620 A
2250 W
2,45V à 15V, 400A
3 mA
36 nF @ 25 V
Standard
Non
-40°C ~ 125°C
Montage sur châssis
Module
Module
62mmFF1682170244
FF300R12KT3HOSA1
IGBT MOD 1200V 480A 1450W MOD
Infineon Technologies
0
En stock
186
Marketplace
1 : 223,86000 $
Plateau
En vrac
Plateau
Pas pour les nouvelles conceptions
À tranchées à champ limité
2 indépendantes
1200 V
480 A
1450 W
2,15V à 15V, 300A
5 mA
21 nF @ 25 V
Standard
Non
-40°C ~ 125°C
Montage sur châssis
Module
Module
28
En stock
1 : 211,71000 $
Plateau
Plateau
Actif
À tranchées à champ limité
Commutateur unique
1200 V
450 A
-
2,15V à 15V, 450A
1 mA
28000 pF @ 25 V
Standard
Non
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montage sur châssis
Module
-
26
En stock
1 : 224,32000 $
Plateau
Plateau
Actif
À tranchées à champ limité
Simple
1700 V
300 A
-
2,3V à 15V, 300A
1 mA
24.5 nF @ 25 V
Standard
Non
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montage sur châssis
Module
-
IGBT MODULE C SERIES
FF200R12KT3EHOSA1
IGBT MODULE 1200V 1050W MODULE
Infineon Technologies
0
En stock
251
Marketplace
10 : 155,70300 $
Plateau
En vrac
Plateau
Pas pour les nouvelles conceptions
-
2 indépendantes
1200 V
-
1050 W
2,15V à 15V, 200A
5 mA
14 nF @ 25 V
Standard
Non
-40°C ~ 125°C
Montage sur châssis
Module
Module
62mmFF1682170244
FF450R12KT4PHOSA1
IGBT MODULE 1200V 450A MODULE
Infineon Technologies
0
En stock
38
Marketplace
Vérifier le délai d'approvisionnement
8 : 193,46500 $
Plateau
En vrac
Plateau
Actif
À tranchées à champ limité
Demi- pont
1200 V
450 A
-
2,15V à 15V, 450A
5 mA
28 nF @ 25 V
Standard
Non
-40°C ~ 150°C
Montage sur châssis
Module
Module
Affichage de
sur 90

Modules IGBT

Les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) sont des dispositifs de puissance à semi-conducteurs à trois bornes principalement utilisés en tant que commutateurs électroniques qui combinent un haut rendement et une commutation rapide. En tant que modules, les IGBT sont configurés en ponts asymétriques, dispositifs de découpage élévateurs, abaisseurs et de freinage, pont complet, onduleurs triphasés et à trois niveaux. Certains présentent des thermistances CTN intégrées pour la surveillance de la température. Les modules IGBT se caractérisent par la puissance maximum, le courant collecteur, la tension de claquage de collecteur-émetteur et la configuration.