Matrices de transistors bipolaires

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Référence fabricant
Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Type de transistor
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic
Courant - Résiduel de collecteur (max.)
Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce
Puissance - Max.
Fréquence - Transition
Température de fonctionnement
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier
Boîtier fournisseur
SOT-363
MBT3946DW1T1G
TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SC88/SC70
onsemi
95 469
En stock
1 : 0,31000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,06039 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
1 NPN, 1 PNP
200mA
40V
300mV à 5mA, 50mA / 400mV à 5mA, 50mA
-
100 à 10mA, 1V
150mW
300MHz, 250MHz
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
16-SO
ULN2003D1013TR
IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO
STMicroelectronics
40 901
En stock
1 : 0,56000 $
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,24060 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
-
-
-
-
-
-
-
-
-40°C ~ 85°C (TA)
-
-
Montage en surface
16-SOIC (0,154po, 3,90mm de largeur)
16-SO
16-DIP SOT38-1
ULN2003A
IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16DIP
STMicroelectronics
35 955
En stock
1 : 0,65000 $
Tube
Tube
Actif
-
-
-
-
-
-
-
-
-40°C ~ 85°C (TA)
-
-
Trou traversant
16-DIP (0,300po, 7,62mm)
16-DIP
MC14017BDR2
ULN2003ADR2G
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SOIC
onsemi
14 065
En stock
1 : 1,82000 $
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,46990 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
-
-
-
-
-
-
-
-
-40°C ~ 70°C (TA)
-
-
Montage en surface
16-SOIC (0,154po, 3,90mm de largeur)
16-SOIC
MC14017BDR2
MC1413DR2G
TRANS 7NPN DARL 50V 500MA 16SOIC
onsemi
49 486
En stock
1 : 1,88000 $
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,45223 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
7 NPN Darlington
500mA
50V
1,6V à 500µA, 350mA
-
1000 à 350mA, 2V
-
-
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
16-SOIC (0,154po, 3,90mm de largeur)
16-SOIC
MC14017BDR2
MC1413BDR2G
TRANS 7NPN DARL 50V 500MA 16SOIC
onsemi
18 287
En stock
150 000
Usine
1 : 1,91000 $
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,45998 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
7 NPN Darlington
500mA
50V
1,6V à 500µA, 350mA
-
1000 à 350mA, 2V
-
-
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
16-SOIC (0,154po, 3,90mm de largeur)
16-SOIC
16-SOT-23-THIN
ULN2003ADYYR
TRANS 7NPN DARL 50V 500MA 16-SOT
Texas Instruments
1 891
En stock
1 : 0,39000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,15573 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
7 NPN Darlington
500mA
50V
1,6V à 500µA, 350mA
50µA
-
-
-
-40°C ~ 70°C (TA)
-
-
Montage en surface
SOT-23-16 mince, variante SOT-23
16-SOT-23-THIN
16-SO
ULN2002D1013TR
IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO
STMicroelectronics
6 507
En stock
1 : 0,93000 $
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,42219 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
-
-
-
-
-
-
-
-
-40°C ~ 85°C (TA)
-
-
Montage en surface
16-SOIC (0,154po, 3,90mm de largeur)
16-SO
16-SOT-23-THIN
ULQ2003AQDYYRQ1
TRANS 7NPN DARL 50V 500MA 16-SOT
Texas Instruments
2 990
En stock
1 : 0,43000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,17203 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
7 NPN Darlington
500mA
50V
1,8V à 500µA, 350mA
100µA
-
950mW
-
-40°C ~ 125°C
-
-
Montage en surface
SOT-23-16 mince, variante SOT-23
16-SOT-23-THIN
16-DIP SOT38-1
ULN2003AINE4
TRANS 50V 500MA 16-PDIP
Texas Instruments
0
En stock
1 000 : 0,31125 $
Tube
Tube
Obsolète
-
500mA
50V
1,6V à 500µA, 350mA
50µA
-
-
-
-40°C ~ 105°C (TA)
-
-
Trou traversant
16-DIP (0,300po, 7,62mm)
16-PDIP
16-SOIC
ULN2003A
5A@50V 3V@2V,300MA 1.7V@350MA 0.
UMW
0
En stock
Vérifier le délai d'approvisionnement
Actif
-
Actif
-
-
-
-
-
-
-
-
-40°C ~ 85°C
-
-
Montage en surface
16-SOIC (0,154po, 3,90mm de largeur)
16-SOP
Affichage de
sur 11

Matrices de transistors bipolaires


Les matrices de transistors bipolaires intègrent deux transistors discrets ou plus dans un même boîtier, sous forme d'entités électriquement séparées ou avec des interconnexions quelconques entre eux à l'intérieur du boîtier du dispositif. Pour les matrices dans lesquelles les dispositifs contenus présentent des caractéristiques très proches ou complémentaires, le boîtier partagé permet de réduire les différences de température entre les dispositifs lors du fonctionnement.