Circuits d'attaque de grille

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Référence fabricant
Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Programmable DigiKey
Configuration
Type de canal
Nombre de circuits d'attaque
Type de grille
Tension - Alimentation
Tension logique - VIL, VIH
Courant - Sortie de crête (source, absorption)
Type d'entrée
Tension haut potentiel - Max. (auto-élévatrice)
Temps de montée / descente (typ.)
Température de fonctionnement
Type de montage
Boîtier
Boîtier fournisseur
IR21271STRPBF
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Infineon Technologies
5 016
En stock
1 : 1,73000 $
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,83215 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Demi-pont
Indépendant
2
MOSFET (canal N)
10V ~ 20V
0,7V, 2,5V
1A, 1A
Inverseur
200 V
25ns, 15ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montage en surface
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
8-SOIC
PG-SOT23-6-1
IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6
Infineon Technologies
16 226
En stock
1 : 1,18000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,53754 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Haut potentiel
Simple
1
MOSFET (canal N)
10V ~ 18V
0,8V, 2,2V
160 mA, 240 mA
Sans inversion
200 V
85ns, 40ns
-40°C ~ 125°C (TJ)
Montage en surface
SOT-23-6
PG-SOT23-6
1ED44173N01BXTSA1
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6
Infineon Technologies
10 762
En stock
1 : 1,19000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,54806 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
MOSFET (canal N)
8,6V ~ 20V
1,2V, 1,9V
2,6A, 2,6A
Sans inversion
-
5ns, 5ns
-40°C ~ 125°C (TA)
Montage en surface
SOT-23-6
PG-SOT23-6-3
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Infineon Technologies
2 562
En stock
1 : 1,72000 $
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,81862 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Indépendant
2
IGBT, MOSFET (canal N)
6V ~ 20V
0,8V, 2,5V
2,3 A, 3,3 A
Sans inversion
-
25ns, 25ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montage en surface
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
8-SOIC
14-SOIC
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DSO
Infineon Technologies
1 626
En stock
1 : 3,37000 $
Bande coupée (CT)
2 500 : 1,72310 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Demi-pont
Indépendant
2
MOSFET (canal N, canal P)
10V ~ 17,5V
1,1V, 1,7V
1,8 A, 2,3 A
Sans inversion
600 V
48ns, 37ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montage en surface
14-SOIC (0,154po, 3,90mm de largeur)
PG-DSO-14-2
6EDL04N02PRXUMA1
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28TSSOP
Infineon Technologies
11 902
En stock
1 : 5,05000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 2,45425 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Demi-pont
3 phases
6
IGBT, MOSFET (canal N, canal P)
10V ~ 17,5V
1,1V, 1,7V
-
Sans inversion
200 V
60ns, 26ns
-40°C ~ 125°C (TJ)
Montage en surface
28-TSSOP (0,173po, 4,40mm de largeur)
PG-TSSOP-28
IR21271STRPBF
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
Infineon Technologies
4 192
En stock
1 : 1,43000 $
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,67230 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Haut potentiel
Simple
1
IGBT, MOSFET (canal N)
9V ~ 20V
0,8V, 2,5V
290 mA, 600 mA
Sans inversion
600 V
80ns, 40ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montage en surface
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
8-SOIC
16-SOIC 7,5
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
Infineon Technologies
0
En stock
Vérifier le délai d'approvisionnement
1 : 3,58000 $
Bande coupée (CT)
1 000 : 1,90896 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Demi-pont
Indépendant
2
MOSFET (canal N, canal P)
20V
-, 1,65V
1 A, 2 A
Sans inversion
-
6,5ns, 4,5ns
-40°C ~ 125°C (TA)
Montage en surface
16-SOIC (0,295po, 7,50mm de largeur)
PG-DSO-16-30
Affichage de
sur 8

Circuits d'attaque de grille


Les circuits intégrés de gestion de l'alimentation (PMIC) de circuits d'attaque de grille sont des dispositifs qui fournissent l'isolement, l'amplification, le décalage de référence, l'amorçage ou d'autres fonctions nécessaires pour interfacer les signaux d'un dispositif de commande dans une application de conversion de puissance avec les dispositifs à semi-conducteurs (généralement des FET ou des IGBT) par lesquels passe la puissance commandée. Les fonctions exactes offertes par un dispositif particulier varient, mais correspondent à la configuration des semi-conducteurs qu'il est adapté à commander.