Circuits d'attaque de grille

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Référence fabricant	Quantité disponible	Prix	Série	Conditionnement	Statut du produit	Programmable DigiKey	Configuration	Type de canal	Nombre de circuits d'attaque	Type de grille	Tension - Alimentation	Tension logique - VIL, VIH	Courant - Sortie de crête (source, absorption)	Type d'entrée	Tension haut potentiel - Max. (auto-élévatrice)	Temps de montée / descente (typ.)	Température de fonctionnement	Type de montage	Boîtier	Boîtier fournisseur
1EDN8511BXUSA1 IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 Infineon Technologies	16 494 En stock	1 : 0,93000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,41823 $ Bande et bobine	EiceDRIVER™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Non vérifié	Bas potentiel	Simple	1	MOSFET (canal N, canal P)	8V ~ 20V	1,2V, 1,9V	4A, 8A	Avec inversion, Sans inversion	-	6,5ns, 4,5ns	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montage en surface	SOT-23-6	PG-SOT23-6-2
IRS44273LTRPBF IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5 Infineon Technologies	8 368 En stock	1 : 1,06000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,48174 $ Bande et bobine	µHVIC™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Non vérifié	Bas potentiel	Simple	1	IGBT, MOSFET (canal N)	10,2V ~ 20V	0,8V, 2,5V	1,5A, 1,5A	Sans inversion	-	25ns, 25ns	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montage en surface	SC-74A, SOT-753	SOT-23-5
2EDN7524FXTMA1 IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC Infineon Technologies	10 373 En stock	1 : 1,27000 $ Bande coupée (CT) 2 500 : 0,58754 $ Bande et bobine	EiceDRIVER™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Non vérifié	Bas potentiel	Indépendant	2	MOSFET (canal N)	4,5V ~ 20V	-	5A, 5A	Sans inversion	-	5,3ns, 4,5ns	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montage en surface	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)	PG-DSO-8-60
1ED44173N01BXTSA1 IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 Infineon Technologies	10 762 En stock	1 : 1,18000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,54311 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Non vérifié	Bas potentiel	Simple	1	MOSFET (canal N)	8,6V ~ 20V	1,2V, 1,9V	2,6A, 2,6A	Sans inversion	-	5ns, 5ns	-40°C ~ 125°C (TA)	Montage en surface	SOT-23-6	PG-SOT23-6-3
IRS4427STRPBF IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC Infineon Technologies	2 617 En stock	1 : 1,72000 $ Bande coupée (CT) 2 500 : 0,81862 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Non vérifié	Bas potentiel	Indépendant	2	IGBT, MOSFET (canal N)	6V ~ 20V	0,8V, 2,5V	2,3 A, 3,3 A	Sans inversion	-	25ns, 25ns	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montage en surface	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)	8-SOIC
IR2214SSTRPBF IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 24SSOP Infineon Technologies	1 597 En stock	1 : 10,12000 $ Bande coupée (CT) 2 000 : 5,78316 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Non vérifié	Demi-pont	Indépendant	2	IGBT	11,5V ~ 20V	0,8V, 2V	2A, 3A	Sans inversion	1200 V	24ns, 7ns	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montage en surface	24-SSOP (0,209po, 5,30mm de largeur)	24-SSOP

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Circuits d'attaque de grille

Les circuits intégrés de gestion de l'alimentation (PMIC) de circuits d'attaque de grille sont des dispositifs qui fournissent l'isolement, l'amplification, le décalage de référence, l'amorçage ou d'autres fonctions nécessaires pour interfacer les signaux d'un dispositif de commande dans une application de conversion de puissance avec les dispositifs à semi-conducteurs (généralement des FET ou des IGBT) par lesquels passe la puissance commandée. Les fonctions exactes offertes par un dispositif particulier varient, mais correspondent à la configuration des semi-conducteurs qu'il est adapté à commander.