Circuits d'attaque de grille

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Référence fabricant	Quantité disponible	Prix	Série	Conditionnement	Statut du produit	Programmable DigiKey	Configuration	Type de canal	Nombre de circuits d'attaque	Type de grille	Tension - Alimentation	Tension logique - VIL, VIH	Courant - Sortie de crête (source, absorption)	Type d'entrée	Tension haut potentiel - Max. (auto-élévatrice)	Temps de montée / descente (typ.)	Température de fonctionnement	Type de montage	Boîtier	Boîtier fournisseur
IRS10752LTRPBF IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6 Infineon Technologies	5 509 En stock	1 : 1,09000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,49553 $ Bande et bobine	µHVIC™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Non vérifié	Haut potentiel	Simple	1	MOSFET (canal N)	10V ~ 18V	0,8V, 2,2V	160 mA, 240 mA	Sans inversion	100 V	85ns, 40ns	-40°C ~ 125°C (TJ)	Montage en surface	SOT-23-6	PG-SOT23-6
1ED44173N01BXTSA1 IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 Infineon Technologies	10 762 En stock	1 : 1,18000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,54311 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Non vérifié	Bas potentiel	Simple	1	MOSFET (canal N)	8,6V ~ 20V	1,2V, 1,9V	2,6A, 2,6A	Sans inversion	-	5ns, 5ns	-40°C ~ 125°C (TA)	Montage en surface	SOT-23-6	PG-SOT23-6-3
IRS2005STRPBF IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Infineon Technologies	32 139 En stock	1 : 1,32000 $ Bande coupée (CT) 2 500 : 0,62100 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Non vérifié	Demi-pont	Indépendant	2	IGBT, MOSFET (canal N)	10V ~ 20V	0,8V, 2,5V	290 mA, 600 mA	Sans inversion	200 V	70ns, 30ns	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montage en surface	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)	8-SOIC
IRS4427STRPBF IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC Infineon Technologies	2 617 En stock	1 : 1,70000 $ Bande coupée (CT) 2 500 : 0,81123 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Non vérifié	Bas potentiel	Indépendant	2	IGBT, MOSFET (canal N)	6V ~ 20V	0,8V, 2,5V	2,3 A, 3,3 A	Sans inversion	-	25ns, 25ns	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montage en surface	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)	8-SOIC
2EDF7275KXUMA1 IC GATE DRVR HALF-BRIDG TFLGA-13 Infineon Technologies	8 442 En stock	1 : 3,46000 $ Bande coupée (CT) 4 000 : 1,75781 $ Bande et bobine	EiceDRIVER™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Non vérifié	Demi-pont	Indépendant	2	MOSFET (canal N, canal P)	20V	-, 1,65V	4A, 8A	Sans inversion	-	6,5ns, 4,5ns	-40°C ~ 125°C (TA)	Montage en surface	13-TFLGA	PG-TFLGA-13-1
6EDL04N02PRXUMA1 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28TSSOP Infineon Technologies	11 902 En stock	1 : 5,01000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 2,43208 $ Bande et bobine	EiceDRIVER™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Non vérifié	Demi-pont	3 phases	6	IGBT, MOSFET (canal N, canal P)	10V ~ 17,5V	1,1V, 1,7V	-	Sans inversion	200 V	60ns, 26ns	-40°C ~ 125°C (TJ)	Montage en surface	28-TSSOP (0,173po, 4,40mm de largeur)	PG-TSSOP-28
IRS21271STRPBF IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC Infineon Technologies	4 192 En stock	1 : 1,42000 $ Bande coupée (CT) 2 500 : 0,66623 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Non vérifié	Haut potentiel	Simple	1	IGBT, MOSFET (canal N)	9V ~ 20V	0,8V, 2,5V	290 mA, 600 mA	Sans inversion	600 V	80ns, 40ns	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montage en surface	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)	8-SOIC

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Circuits d'attaque de grille

Les circuits intégrés de gestion de l'alimentation (PMIC) de circuits d'attaque de grille sont des dispositifs qui fournissent l'isolement, l'amplification, le décalage de référence, l'amorçage ou d'autres fonctions nécessaires pour interfacer les signaux d'un dispositif de commande dans une application de conversion de puissance avec les dispositifs à semi-conducteurs (généralement des FET ou des IGBT) par lesquels passe la puissance commandée. Les fonctions exactes offertes par un dispositif particulier varient, mais correspondent à la configuration des semi-conducteurs qu'il est adapté à commander.