FET, MOSFET simples

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Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
Rds On (max.) à Id, Vgs
Vgs(th) (max.) à Id
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
Vgs (max.)
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
Fonction FET
Dissipation de puissance (max.)
Température de fonctionnement
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier fournisseur
Boîtier
SI2333DS-T1-GE3
2N7002K-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Vishay Siliconix
417 609
En stock
1 : 0,33000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,10908 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
300mA (Ta)
4,5V, 10V
2ohms à 500mA, 10V
2,5V à 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
30 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2333DS-T1-GE3
2N7002K-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Vishay Siliconix
315 110
En stock
1 : 0,42000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,10908 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
300mA (Ta)
4,5V, 10V
2ohms à 500mA, 10V
2,5V à 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
30 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2333DS-T1-GE3
TP0610K-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
Vishay Siliconix
628 860
En stock
1 : 0,58000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,21838 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
185mA (Ta)
4,5V, 10V
6ohms à 500mA, 10V
3V à 250µA
1.7 nC @ 15 V
±20V
23 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2333DS-T1-GE3
SI2347DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 5A SOT23-3
Vishay Siliconix
39 136
En stock
1 : 0,58000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,11606 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
5 A (Tc)
4,5V, 10V
42mohms à 3,8A, 10V
2,5V à 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
705 pF @ 15 V
-
1,7W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DG447DV-T1-E3
SI3443DDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4A/5.3A 6TSOP
Vishay Siliconix
67 437
En stock
1 : 0,64000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,13592 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
4A (Ta), 5,3A (Tc)
2,5V, 4,5V
47mohms à 4,5A, 4,5V
1,5V à 250µA
30 nC @ 8 V
±12V
970 pF @ 10 V
-
1,7W (Ta), 2,7W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
6-TSOP
SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
SI2333DS-T1-GE3
SI2302CDS-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
102 268
En stock
1 : 0,65000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,21659 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
2,6 A (Ta)
2,5V, 4,5V
57mohms à 3,6A, 4,5V
850mV à 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
-
-
710mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI1302DL-T1-GE3
SI1308EDL-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323
Vishay Siliconix
28 367
En stock
1 : 0,65000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,15429 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
1,4 A (Tc)
2,5V, 10V
132mohms à 1,4A, 10V
1,5V à 250µA
4.1 nC @ 10 V
±12V
105 pF @ 15 V
-
400mW (Ta), 500mW (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-70-3
SC-70, SOT-323
SI1424EDH-T1-GE3
SQ1464EEH-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 440MA SC70-6
Vishay Siliconix
7 953
En stock
1 : 0,70000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,18989 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
440mA (Tc)
1,5V
1,41ohms à 2A, 1,5V
1V à 250µA
4.1 nC @ 4.5 V
±8V
140 pF @ 25 V
-
430mW (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
SC-70-6
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SI2333DS-T1-GE3
SI2304DDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
Vishay Siliconix
32 652
En stock
1 : 0,71000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,14242 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
3,3 A (Ta), 3,6 A (Tc)
4,5V, 10V
60mohms à 3,2A, 10V
2,2V à 250µA
6.7 nC @ 10 V
±20V
235 pF @ 15 V
-
1,1W (Ta), 1,7W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2333DS-T1-GE3
SI2318CDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
19 206
En stock
1 : 0,71000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,15725 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
5,6 A (Tc)
4,5V, 10V
42mohms à 4,3A, 10V
2,5V à 250µA
9 nC @ 10 V
±20V
340 pF @ 20 V
-
1,25W (Ta), 2,1W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2333DS-T1-GE3
SI2305CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
Vishay Siliconix
21 206
En stock
1 : 0,73000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,17562 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
8 V
5,8 A (Tc)
1,8V, 4,5V
35mohms à 4,4A, 4,5V
1V à 250µA
30 nC @ 8 V
±8V
960 pF @ 4 V
-
960mW (Ta), 1,7W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SIA477EDJ-T1-GE3
SQA442EJ-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 9A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
16 512
En stock
1 : 0,73000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,27445 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
9 A (Tc)
4,5V, 10V
32mohms à 3A, 10V
2,5V à 250µA
9.7 nC @ 10 V
±20V
636 pF @ 25 V
-
13,6W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
SI1424EDH-T1-GE3
SQ1440EH-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 1.7A SC70-6
Vishay Siliconix
24 214
En stock
1 : 0,74000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,27000 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
1,7 A (Tc)
4,5V, 10V
120mohms à 3,8A, 10V
2,5V à 250µA
5.5 nC @ 10 V
±20V
344 pF @ 15 V
-
3,3W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
SC-70-6
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SI2333DS-T1-GE3
SI2369DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236
Vishay Siliconix
83 391
En stock
1 : 0,76000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,21533 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
7,6 A (Tc)
4,5V, 10V
29mohms à 5,4A, 10V
2,5V à 250µA
36 nC @ 10 V
±20V
1295 pF @ 15 V
-
1,25W (Ta), 2,5W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2333DS-T1-GE3
SI2302CDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
43 564
En stock
1 : 0,80000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,21363 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
2,6 A (Ta)
2,5V, 4,5V
57mohms à 3,6A, 4,5V
850mV à 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
-
-
710mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2333DS-T1-GE3
SI2342DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23
Vishay Siliconix
27 981
En stock
1 : 0,80000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,24775 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
8 V
6 A (Tc)
1,2V, 4,5V
17mohms à 7,2A, 4,5V
800mV à 250µA
15.8 nC @ 4.5 V
±5V
1070 pF @ 4 V
-
2,5W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2333DS-T1-GE3
SI2301CDS-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
85 079
En stock
1 : 0,83000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,19853 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
3,1 A (Tc)
2,5V, 4,5V
112mohms à 2,8A, 4,5V
1V à 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
405 pF @ 10 V
-
860mW (Ta), 1,6W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2333DS-T1-GE3
SI2312CDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3
Vishay Siliconix
75 184
En stock
1 : 0,83000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,19137 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
6 A (Tc)
1,8V, 4,5V
31,8mohms à 5A, 4,5V
1V à 250µA
18 nC @ 5 V
±8V
865 pF @ 10 V
-
1,25W (Ta), 2,1W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI1031X-T1-GE3
SI1022R-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A
Vishay Siliconix
18 914
En stock
1 : 0,83000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,27890 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
330mA (Ta)
4,5V, 10V
1,25ohms à 500mA, 10V
2,5V à 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
30 pF @ 25 V
-
250mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-75A
SC-75, SOT-416
DG447DV-T1-E3
SI3127DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 3.5A/13A 6TSOP
Vishay Siliconix
14 975
En stock
1 : 0,84000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,22754 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
3,5 A (Ta), 13 A (Tc)
4,5V, 10V
89mohms à 1,5A, 4,5V
3V à 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
833 pF @ 20 V
-
2W (Ta), 4,2W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
6-TSOP
SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
SIS176LDN-T1-GE3
SI7617DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
127 307
En stock
1 : 0,92000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,46360 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
35 A (Tc)
4,5V, 10V
12,3mohms à 13,9A, 10V
2,5V à 250µA
59 nC @ 10 V
±25V
1800 pF @ 15 V
-
3,7W (Ta), 52W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
SI2333DS-T1-GE3
SI2333DDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3
Vishay Siliconix
26 463
En stock
1 : 0,92000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,19547 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
12 V
6 A (Tc)
1,5V, 4,5V
28mohms à 5A, 4,5V
1V à 250µA
35 nC @ 8 V
±8V
1275 pF @ 6 V
-
1,2W (Ta), 1,7W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2333DS-T1-GE3
SQ2389ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
9 784
En stock
1 : 0,92000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,38245 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
4,1 A (Tc)
4,5V, 10V
94mohms à 10A, 10V
2,5V à 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
420 pF @ 20 V
-
3W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SIS176LDN-T1-GE3
SIS412DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
26 591
En stock
1 : 0,95000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,30709 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
12 A (Tc)
4,5V, 10V
24mohms à 7,8A, 10V
2,5V à 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
435 pF @ 15 V
-
3,2W (Ta), 15,6W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
SI2333DS-T1-GE3
SI2309CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
18 467
En stock
1 : 0,96000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,28056 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
1,6 A (Tc)
4,5V, 10V
345mohms à 1,25A, 10V
3V à 250µA
4.1 nC @ 4.5 V
±20V
210 pF @ 30 V
-
1W (Ta), 1,7W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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FET, MOSFET simples

Les transistors à effet de champ (FET) discrets sont largement utilisés dans la conversion de puissance, la commande de moteur, l'éclairage à semi-conducteurs et d'autres applications dans lesquelles leur capacité caractéristique à être activés et désactivés à des fréquences élevées tout en transmettant de grandes quantités de courant est un avantage. Ils sont utilisés presque universellement pour les applications nécessitant une tension nominale de quelques centaines de volts maximum. Pour des tensions supérieures, d'autres types de dispositifs, comme les IGBT, deviennent plus compétitifs.