TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB Diodes simples

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Référence fabricant
Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Technologies
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
Courant - Moyen redressé (Io)
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
Vitesse
Temps de recouvrement inverse (trr)
Courant - Fuite inverse à Vr
Capacité à Vr, F
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier
Boîtier fournisseur
Température de fonctionnement - Jonction
D²PAK
DIODE SCHOTTKY 100V 20A D2PAK
STMicroelectronics
14 502
En stock
1 : 2,86000 $
Bande coupée (CT)
1 000 : 0,88309 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Schottky
100 V
20A
850 mV @ 20 A
Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)
-
40 µA @ 100 V
-
-
-
Montage en surface
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
D2PAK
150°C (maxi)
D²PAK
DIODE STANDARD 200V 20A D2PAK
STMicroelectronics
1 803
En stock
1 : 3,09000 $
Bande coupée (CT)
1 000 : 0,96667 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Standard
200 V
20A
1.1 V @ 20 A
Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)
40 ns
10 µA @ 200 V
-
-
-
Montage en surface
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
D2PAK
175°C (maxi)
D²PAK
DIODE SCHOTTKY 60V 30A D2PAK
STMicroelectronics
5 760
En stock
1 : 3,24000 $
Bande coupée (CT)
1 000 : 1,02203 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Schottky
60 V
30A
615 mV @ 30 A
Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)
-
135 µA @ 60 V
-
-
-
Montage en surface
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
D2PAK
150°C (maxi)
PG-TO263-3-2
DIODE STD 1200V 50A PGTO26332
Infineon Technologies
1 957
En stock
1 : 3,39000 $
Bande coupée (CT)
1 000 : 1,08079 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Standard
1200 V
50A
2.15 V @ 30 A
Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)
243 ns
100 µA @ 1200 V
-
-
-
Montage en surface
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
PG-TO263-3-2
-55°C ~ 150°C
D2PAK
DIODE FERD 100V 40A D2PAK
STMicroelectronics
46 876
En stock
1 : 3,51000 $
Bande coupée (CT)
1 000 : 1,12227 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
FERD (diode de redressement à effet de champ)
100 V
40A
705 mV @ 40 A
Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)
-
190 µA @ 100 V
-
-
-
Montage en surface
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
D2PAK
175°C (maxi)
D²PAK
DIODE SCHOTTKY 45V 50A D2PAK
STMicroelectronics
4 742
En stock
1 : 3,68000 $
Bande coupée (CT)
1 000 : 1,18823 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Schottky
45 V
50A
610 mV @ 50 A
Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)
-
360 µA @ 45 V
-
-
-
Montage en surface
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
D2PAK
200°C (maxi)
MURB1620CTT4G
DIODE SCHOTTKY 100V 8A D2PAK
onsemi
3 349
En stock
1 : 3,84000 $
Bande coupée (CT)
800 : 1,18315 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Schottky
100 V
8A
710 mV @ 8 A
Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)
-
4.5 µA @ 100 V
600pF à 4V, 1MHz
-
-
Montage en surface
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
D2PAK
-65°C ~ 175°C
20 544
En stock
1 : 4,58000 $
Bande coupée (CT)
800 : 1,56740 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Standard
600 V
15A
1.05 V @ 15 A
Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)
270 ns
10 µA @ 600 V
-
-
-
Montage en surface
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
TO-263AB (D2PAK)
-65°C ~ 175°C
D²PAK
DIODE STANDARD 600V 30A D2PAK
STMicroelectronics
405
En stock
1 : 5,26000 $
Bande coupée (CT)
1 000 : 1,79476 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Standard
600 V
30A
1.55 V @ 30 A
Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)
90 ns
25 µA @ 600 V
-
-
-
Montage en surface
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
D2PAK
175°C (maxi)
5 115
En stock
1 : 5,45000 $
Tube
Tube
Actif
Standard
600 V
30A
2.65 V @ 30 A
Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)
26 ns
30 µA @ 600 V
-
-
-
Montage en surface
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
TO-263AB (D2PAK)
-65°C ~ 175°C
D²PAK
DIODE STANDARD 600V 30A D2PAK
STMicroelectronics
887
En stock
1 : 5,56000 $
Bande coupée (CT)
1 000 : 1,75324 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Standard
600 V
30A
1.55 V @ 30 A
Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)
90 ns
25 µA @ 600 V
-
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
D2PAK
-40°C ~ 175°C
C3D06060G
DIODE SIL CARB 600V 29A TO263-2
Wolfspeed, Inc.
1 496
En stock
1 : 8,06000 $
Tube
Tube
Actif
SiC (Silicon Carbide) Schottky
600 V
29A
1.8 V @ 10 A
Temps de récupération nul > 500mA (Io)
0 ns
50 µA @ 600 V
480pF à 0V, 1MHz
-
-
Montage en surface
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
TO-263-2
-55°C ~ 175°C
TO-263AB
DIODE STANDARD 1200V 30A TO263AA
IXYS
563
En stock
1 : 8,22000 $
Bande coupée (CT)
800 : 3,09764 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Standard
1200 V
30A
1.29 V @ 30 A
Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)
-
40 µA @ 1200 V
10pF à 400V, 1MHz
-
-
Montage en surface
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
TO-263AA
-40°C ~ 175°C
D2PAK
DIODE SIL CARBIDE 650V 20A D2PAK
STMicroelectronics
1 666
En stock
1 : 10,56000 $
Bande coupée (CT)
1 000 : 4,06822 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
SiC (Silicon Carbide) Schottky
650 V
20A
1.45 V @ 20 A
Temps de récupération nul > 500mA (Io)
0 ns
150 µA @ 600 V
1250pF à 0V, 1MHz
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
D2PAK
-40°C ~ 175°C
D²Pak,TO-263_418B−04
DIODE SIL CARBIDE 650V 73A TO263
onsemi
979
En stock
1 : 11,85000 $
Bande coupée (CT)
800 : 4,74666 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
SiC (Silicon Carbide) Schottky
650 V
73A
1.7 V @ 30 A
Temps de récupération nul > 500mA (Io)
0 ns
40 µA @ 650 V
1280pF à 1V, 100kHz
-
-
Montage en surface
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
TO-263 (D2PAK)
-55°C ~ 175°C
TO-263AB
DIODE STANDARD 300V 60A TO263AA
IXYS
839
En stock
1 : 12,90000 $
Bande coupée (CT)
800 : 5,24991 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Standard
300 V
60A
1.43 V @ 60 A
Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)
35 ns
1 µA @ 300 V
-
-
-
Montage en surface
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
TO-263AA
-55°C ~ 175°C
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
DIODE SIL CARBIDE 650V 73A D2PAK
onsemi
1 311
En stock
1 : 13,16000 $
Bande coupée (CT)
800 : 5,37166 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
SiC (Silicon Carbide) Schottky
650 V
73A
1.7 V @ 30 A
Temps de récupération nul > 500mA (Io)
0 ns
40 µA @ 650 V
1280pF à 1V, 100kHz
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
TO-263 (D2PAK)
-55°C ~ 175°C
D²PAK
DIODE SCHOTTKY 45V 7.5A D2PAK
STMicroelectronics
3 839
En stock
1 : 2,21000 $
Bande coupée (CT)
1 000 : 0,65684 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Schottky
45 V
7,5A
840 mV @ 15 A
Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)
-
100 µA @ 45 V
-
-
-
Montage en surface
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
D2PAK
175°C (maxi)
D²PAK
DIODE SCHOTTKY 100V 8A D2PAK
STMicroelectronics
7 824
En stock
1 : 2,48000 $
Bande coupée (CT)
1 000 : 0,75098 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Schottky
100 V
8A
710 mV @ 8 A
Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)
-
4.5 µA @ 100 V
-
-
-
Montage en surface
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
D2PAK
175°C (maxi)
D²PAK
DIODE STANDARD 1200V 8A D2PAK
STMicroelectronics
1 206
En stock
1 : 2,61000 $
Bande coupée (CT)
1 000 : 0,79843 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Standard
1200 V
8A
2.2 V @ 8 A
Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)
100 ns
8 µA @ 1200 V
-
-
-
Montage en surface
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
D2PAK
175°C (maxi)
D2PAK
DIODE STANDARD 600V 8A D2PAK
STMicroelectronics
3 597
En stock
1 : 2,69000 $
Bande coupée (CT)
1 000 : 0,82621 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Standard
600 V
8A
2.9 V @ 8 A
Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)
45 ns
30 µA @ 600 V
-
-
-
Montage en surface
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
D2PAK
175°C (maxi)
D²PAK
DIODE SCHOTTKY 25V 10A D2PAK
STMicroelectronics
1 150
En stock
1 : 2,80000 $
Bande coupée (CT)
1 000 : 0,86618 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Schottky
25 V
10A
460 mV @ 10 A
Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)
-
800 µA @ 25 V
-
-
-
Montage en surface
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
D2PAK
150°C (maxi)
D²PAK
DIODE SCHOTTKY 60V 20A D2PAK
STMicroelectronics
1 980
En stock
1 : 3,19000 $
Bande coupée (CT)
1 000 : 1,00279 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Schottky
60 V
20A
565 mV @ 20 A
Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)
-
125 µA @ 60 V
-
-
-
Montage en surface
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
D2PAK
150°C (maxi)
D²PAK
DIODE SCHOTTKY 100V 30A D2PAK
STMicroelectronics
12 070
En stock
1 : 3,29000 $
Bande coupée (CT)
1 000 : 1,04074 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Schottky
100 V
30A
870 mV @ 30 A
Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)
-
45 µA @ 100 V
-
-
-
Montage en surface
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
D2PAK
150°C (maxi)
7 017
En stock
1 : 3,34000 $
Bande coupée (CT)
800 : 1,08636 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Schottky
100 V
20A
900 mV @ 20 A
Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)
-
500 µA @ 100 V
-
-
-
Montage en surface
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
TO-263AB (D2PAK)
-40°C ~ 150°C
Affichage de
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Types de diodes de redressement


    Diodes de redressement standard
  • Diodes standard (jonction PN en silicium) Les diodes standard sont le type de diode de redressement le plus basique, et elles sont fabriquées en silicium avec une jonction PN. Elles sont couramment utilisées dans les convertisseurs CA/CC, le redressement de puissance et la protection générale des circuits. Ces diodes ont généralement une chute de tension directe d'environ 0,7 V et sont mieux adaptées à la commutation basse fréquence. Leur temps de recouvrement inverse (la rapidité avec laquelle elles cessent de conduire lorsqu'elles sont éteintes) est relativement lent, ce qui limite leur utilisation dans les applications haute vitesse. Elles présentent également un faible courant de fuite inverse, ce qui les rend fiables pour les opérations en régime permanent.

  • Diodes Schottky (SBD)
    Les diodes Schottky (SBD) utilisent une jonction métal-semiconducteur au lieu d'une jonction PN traditionnelle, ce qui entraîne des vitesses de commutation plus rapides et des chutes de tension directe plus faibles, souvent comprises entre 0,2 V et 0,4 V. Cela en fait un choix parfait pour les convertisseurs CC/CC, les alimentations à haut rendement et les circuits où il est essentiel de minimiser les pertes de puissance. Cependant, l’un des inconvénients des SBD est leur courant de fuite inverse plus élevé, en particulier à hautes températures, ce qui peut être un problème dans les dispositifs de précision ou alimentés par batterie.

  • Redresseurs à super barrière (SBR)
    Les redresseurs à super barrière (SBR) associent les meilleures caractéristiques des diodes standard et des diodes Schottky. Ils offrent une faible chute de tension directe comme les SBD, mais avec un courant de fuite inverse nettement inférieur et une meilleure gestion de la tension inverse. Les SBR sont parfaitement adaptés aux convertisseurs de puissance à découpage, aux adaptateurs et à l'électronique automobile, où le rendement énergétique et la stabilité thermique sont importantes. Ils constituent souvent un meilleur choix que les diodes Schottky lorsque l'application implique des températures ambiantes plus élevées ou des transitoires de tension plus importants.

  • Diodes avalanche
    Les diodes avalanche sont conçues pour fonctionner de manière fiable en mode de claquage inverse, où elles conduisent le courant en toute sécurité une fois qu'un seuil de tension inverse spécifique est dépassé. Contrairement aux diodes standard qui peuvent être endommagées par une panne, les diodes à avalanche sont conçues pour gérer cette condition de manière répétée et prévisible.
  • Dans le redressement à commutation rapide, les diodes avalanche sont parfois préférées aux diodes PN standard en raison de leur meilleur comportement de recouvrement inverse, ce qui réduit les pertes de commutation et améliore le rendement global du convertisseur. Leur capacité à résister à de hautes transitoires de tension inverse sans dégradation les rend particulièrement adaptées aux circuits d'amortissement, aux convertisseurs indirects et aux topologies à commutation dure.

  • Diodes en carbure de silicium (SiC)
    Les diodes SiC sont fabriquées à partir de carbure de silicium, un matériau à large bande interdite qui leur permet de gérer des tensions très élevées (600 V et plus) et des températures extrêmes (> 150°C). Elles sont idéales pour les convertisseurs industriels, les chargeurs de véhicules électriques, les onduleurs solaires et les entraînements de moteurs, en particulier dans les circuits nécessitant une commutation rapide et un temps de recouvrement inverse nul. Bien que plus chères que les diodes à base de silicium, leur durabilité et leur rendement à des tensions et fréquences élevées en font souvent le meilleur choix à long terme dans les applications exigeantes.