SiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes simples

Résultats : 1 593
Options de stockage
Options environnementales
Supports
Exclure
1 593Résultats
Filtres appliqués Tout supprimer
Affichage de
sur 1 593
Référence fabricant
Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Technologies
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
Courant - Moyen redressé (Io)
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
Vitesse
Temps de recouvrement inverse (trr)
Courant - Fuite inverse à Vr
Capacité à Vr, F
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier
Boîtier fournisseur
Température de fonctionnement - Jonction
DO-214AA, SMB
GB01SLT06-214
DIODE SIL CARB 650V 1A DO214AA
GeneSiC Semiconductor
36 713
En stock
1 : 2,43000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 1,50538 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
SiC (Silicon Carbide) Schottky
650 V
1A
2 V @ 1 A
Pas de temps de recouvrement > 500mA (Io)
0 ns
10 µA @ 6.5 V
76pF à 1V, 1MHz
-
-
Montage en surface
DO-214AA, SMB
DO-214AA
-55°C ~ 175°C
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
IDM02G120C5XTMA1
DIODE SIL CARB 1200V 2A PGTO2522
Infineon Technologies
31 046
En stock
1 : 3,61000 $
Bande coupée (CT)
2 500 : 1,05588 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1200 V
2A
1.65 V @ 2 A
Pas de temps de recouvrement > 500mA (Io)
0 ns
18 µA @ 1200 V
182pF à 1V, 1MHz
-
-
Montage en surface
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
PG-TO252-2
-55°C ~ 175°C
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
C3D04060E-TR
DIODE SIL CARB 600V 13.5A TO252
Wolfspeed, Inc.
308
En stock
1 : 4,10000 $
Bande coupée (CT)
2 500 : 1,22154 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
SiC (Silicon Carbide) Schottky
600 V
13,5A
1.8 V @ 4 A
Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)
-
50 µA @ 600 V
251pF à 0V, 1MHz
-
-
Montage en surface
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
TO-252-2
-55°C ~ 175°C
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
C4D02120E-TR
DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2522
Wolfspeed, Inc.
20 637
En stock
1 : 4,44000 $
Bande coupée (CT)
2 500 : 1,34249 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1200 V
10A
1.8 V @ 2 A
Pas de temps de recouvrement > 500mA (Io)
0 ns
50 µA @ 1200 V
167pF à 0V, 1MHz
-
-
Montage en surface
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
TO-252-2
-55°C ~ 175°C
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
C4D02120E
DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2522
Wolfspeed, Inc.
7 250
En stock
1 : 4,44000 $
Tube
Tube
Actif
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1200 V
10A
1.8 V @ 2 A
Pas de temps de recouvrement > 500mA (Io)
0 ns
50 µA @ 1200 V
167pF à 0V, 1MHz
-
-
Montage en surface
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
TO-252-2
-55°C ~ 175°C
DPAK
STPSC2H12B2Y-TR
DIODE SIL CARBIDE 1200V 5A DPAK
STMicroelectronics
13 969
En stock
1 : 4,68000 $
Bande coupée (CT)
2 500 : 1,51983 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1200 V
5A
1.5 V @ 2 A
Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)
-
12 µA @ 1200 V
190pF à 0V, 1MHz
-
-
Montage en surface
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
DPAK
-40°C ~ 175°C
DO-214AA, SMB
GB02SLT12-214
DIODE SIL CARB 1200V 2A DO214AA
GeneSiC Semiconductor
22 502
En stock
1 : 4,77000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 3,20452 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1200 V
2A
1.8 V @ 1 A
Pas de temps de recouvrement > 500mA (Io)
0 ns
50 µA @ 1200 V
131pF à 1V, 1MHz
-
-
Montage en surface
DO-214AA, SMB
DO-214AA
-55°C ~ 175°C
DPAK
STPSC10H065B-TR
DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
STMicroelectronics
6 013
En stock
1 : 4,86000 $
Bande coupée (CT)
2 500 : 1,52717 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
SiC (Silicon Carbide) Schottky
650 V
10A
1.75 V @ 10 A
Pas de temps de recouvrement > 500mA (Io)
0 ns
100 µA @ 650 V
480pF à 0V, 1MHz
-
-
Montage en surface
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
DPAK
-40°C ~ 175°C
GE12MPS06E
GD10MPS12E
DIODE SIL CARB 1200V 29A TO2522
GeneSiC Semiconductor
103
En stock
1 : 5,34000 $
Bande coupée (CT)
2 500 : 3,44300 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1200 V
29A
1.8 V @ 10 A
Pas de temps de recouvrement > 500mA (Io)
0 ns
5 µA @ 1200 V
367pF à 1V, 1MHz
-
-
Montage en surface
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
TO-252-2
-55°C ~ 175°C
C3D02060F
C3D06060F
DIODE SIC 600V 11.5A TO220-F2
Wolfspeed, Inc.
3 524
En stock
1 : 5,54000 $
Tube
Tube
Actif
SiC (Silicon Carbide) Schottky
600 V
11,5A
1.8 V @ 6 A
Pas de temps de recouvrement > 500mA (Io)
0 ns
50 µA @ 600 V
294pF à 0V, 1MHz
-
-
Trou traversant
Boîtier comple TO-220-2
TO-220-F2
-55°C ~ 175°C
UJ3D06508TS
UJ3D1202TS
DIODE SIL CARBIDE 1200V 2A TO220
onsemi
6 512
En stock
1 : 5,90000 $
Tube
-
Tube
Actif
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1200 V
2A
1.6 V @ 5 A
Pas de temps de recouvrement > 500mA (Io)
0 ns
22 µA @ 1200 V
109pF à 1V, 1MHz
-
-
Trou traversant
TO-220-2
TO-220-2
-55°C ~ 175°C
DPAK
STPSC10H065BY-TR
DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
STMicroelectronics
1 675
En stock
1 : 6,36000 $
Bande coupée (CT)
2 500 : 2,20477 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
SiC (Silicon Carbide) Schottky
650 V
10A
-
Pas de temps de recouvrement > 500mA (Io)
0 ns
100 µA @ 650 V
480pF à 0V, 1MHz
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
DPAK
-40°C ~ 175°C
TO-247-2
GP3D005A170B
DIODE SIL CARB 1700V 21A TO2472
SemiQ
2 786
En stock
1 : 6,47000 $
Tube
Tube
Actif
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1700 V
21 A
1.65 V @ 5 A
Pas de temps de recouvrement > 500mA (Io)
0 ns
20 µA @ 1700 V
347pF à 1V, 1MHz
-
-
Trou traversant
TO-247-2
TO-247-2
-55°C ~ 175°C
TO-247-2
GD05MPS17H
DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2472
GeneSiC Semiconductor
923
En stock
1 : 7,88000 $
Tube
Tube
Actif
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1700 V
15A
1.8 V @ 5 A
Pas de temps de recouvrement > 500mA (Io)
0 ns
20 µA @ 1700 V
361pF à 1V, 1MHz
-
-
Trou traversant
TO-247-2
TO-247-2
-55°C ~ 175°C
C3D06060G
C3D10060G
DIODE SIL CARB 600V 29A TO263-2
Wolfspeed, Inc.
564
En stock
1 : 8,08000 $
Tube
Tube
Actif
SiC (Silicon Carbide) Schottky
600 V
29A
1.8 V @ 10 A
Pas de temps de recouvrement > 500mA (Io)
0 ns
50 µA @ 600 V
480pF à 0V, 1MHz
-
-
Montage en surface
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
TO-263-2
-55°C ~ 175°C
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
C4D05120E
DIODE SIL CARB 1200V 19A TO2522
Wolfspeed, Inc.
3 516
En stock
1 : 8,70000 $
Tube
Tube
Actif
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1200 V
19A
1.8 V @ 5 A
Pas de temps de recouvrement > 500mA (Io)
0 ns
150 µA @ 1200 V
390pF à 0V, 1MHz
-
-
Montage en surface
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
TO-252-2
-55°C ~ 175°C
TO-220-2
IDH12SG60CXKSA2
DIODE SIL CARB 600V 12A PGTO2201
Infineon Technologies
475
En stock
1 : 9,57000 $
Tube
Tube
Actif
SiC (Silicon Carbide) Schottky
600 V
12A
2.1 V @ 12 A
Pas de temps de recouvrement > 500mA (Io)
0 ns
100 µA @ 600 V
310pF à 1V, 1MHz
-
-
Trou traversant
TO-220-2
PG-TO220-2-1
-55°C ~ 175°C
D2PAK
STPSC20065GY-TR
DIODE SIL CARBIDE 650V 20A D2PAK
STMicroelectronics
1 002
En stock
1 : 9,69000 $
Bande coupée (CT)
1 000 : 4,38242 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
SiC (Silicon Carbide) Schottky
650 V
20A
1.45 V @ 20 A
Pas de temps de recouvrement > 500mA (Io)
0 ns
150 µA @ 600 V
1250pF à 0V, 1MHz
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
D2PAK
-40°C ~ 175°C
TO-252AA
FFSD08120A
DIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AA
onsemi
2 358
En stock
5 000
Usine
1 : 9,78000 $
Bande coupée (CT)
2 500 : 3,92756 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1200 V
22,5A
1.75 V @ 8 A
Pas de temps de recouvrement > 500mA (Io)
0 ns
200 µA @ 1200 V
538pF à 1V, 100kHz
-
-
Montage en surface
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
TO-252AA
-55°C ~ 175°C
IDH20G65C6XKSA1
IDH20G65C6XKSA1
DIODE SIL CARB 650V 41A PGTO220
Infineon Technologies
1 058
En stock
1 : 10,39000 $
Tube
-
Tube
Actif
SiC (Silicon Carbide) Schottky
650 V
41A
1.35 V @ 20 A
Pas de temps de recouvrement > 500mA (Io)
0 ns
67 µA @ 420 V
970pF à 1V, 1MHz
-
-
Trou traversant
TO-220-2
PG-TO220-2
-55°C ~ 175°C
TO-220AC
STPSC15H12D
DIODE SIL CARB 1200V 15A TO220AC
STMicroelectronics
1 099
En stock
1 : 11,67000 $
Tube
-
Tube
Date de dernière disponibilité
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1200 V
15A
1.5 V @ 15 A
Pas de temps de recouvrement > 500mA (Io)
0 ns
90 µA @ 1200 V
1200pF a 0V, 1MHz
-
-
Trou traversant
TO-220-2
TO-220AC
-40°C ~ 175°C
TO-263-3
IDK20G120C5XTMA1
DIODE SIC 1.2KV 56A PGTO26321
Infineon Technologies
1 168
En stock
1 : 12,46000 $
Bande coupée (CT)
1 000 : 5,41300 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1200 V
56A
1.8 V @ 20 A
Pas de temps de recouvrement > 500mA (Io)
0 ns
123 µA @ 1200 V
1050pF à 1V, 1MHz
-
-
Montage en surface
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
PG-TO263-2-1
-55°C ~ 175°C
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
C4D10120E
DIODE SIL CARB 1200V 33A TO2522
Wolfspeed, Inc.
2 998
En stock
1 : 14,64000 $
Tube
Tube
Actif
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1200 V
33A
1.8 V @ 10 A
Pas de temps de recouvrement > 500mA (Io)
0 ns
250 µA @ 1200 V
754pF à 0V, 1MHz
-
-
Montage en surface
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
TO-252-2
-55°C ~ 175°C
C6D25170H
C6D05170H
DIODE SIL CARB 1700V 21A TO2472
Wolfspeed, Inc.
584
En stock
1 : 16,65000 $
Tube
-
Tube
Actif
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1700 V
21 A
1.7 V @ 5 A
Pas de temps de recouvrement > 500mA (Io)
0 ns
9 µA @ 1700 V
638pF à 0V, 1MHz
-
-
Trou traversant
TO-247-2
TO-247-2
-55°C ~ 175°C
PG-TO247-3
IDW40G65C5XKSA1
DIODE SIL CARB 650V 40A PGTO2473
Infineon Technologies
2 971
En stock
1 : 19,05000 $
Tube
Tube
Actif
SiC (Silicon Carbide) Schottky
650 V
40A
1.7 V @ 40 A
Pas de temps de recouvrement > 500mA (Io)
0 ns
220 µA @ 650 V
1140pF à 1V, 1MHz
-
-
Trou traversant
TO-247-3
PG-TO247-3
-55°C ~ 175°C
Affichage de
sur 1 593

Types de diodes de redressement

    Diodes de redressement standard
  • Diodes standard (jonction PN en silicium) Les diodes standard sont le type de diode de redressement le plus basique, et elles sont fabriquées en silicium avec une jonction PN. Elles sont couramment utilisées dans les convertisseurs CA/CC, le redressement de puissance et la protection générale des circuits. Ces diodes ont généralement une chute de tension directe d'environ 0,7 V et sont mieux adaptées à la commutation basse fréquence. Leur temps de recouvrement inverse (la rapidité avec laquelle elles cessent de conduire lorsqu'elles sont éteintes) est relativement lent, ce qui limite leur utilisation dans les applications haute vitesse. Elles présentent également un faible courant de fuite inverse, ce qui les rend fiables pour les opérations en régime permanent.

  • Diodes Schottky (SBD)
    Les diodes Schottky (SBD) utilisent une jonction métal-semiconducteur au lieu d'une jonction PN traditionnelle, ce qui entraîne des vitesses de commutation plus rapides et des chutes de tension directe plus faibles, souvent comprises entre 0,2 V et 0,4 V. Cela en fait un choix parfait pour les convertisseurs CC/CC, les alimentations à haut rendement et les circuits où il est essentiel de minimiser les pertes de puissance. Cependant, l’un des inconvénients des SBD est leur courant de fuite inverse plus élevé, en particulier à hautes températures, ce qui peut être un problème dans les dispositifs de précision ou alimentés par batterie.

  • Redresseurs à super barrière (SBR)
    Les redresseurs à super barrière (SBR) associent les meilleures caractéristiques des diodes standard et des diodes Schottky. Ils offrent une faible chute de tension directe comme les SBD, mais avec un courant de fuite inverse nettement inférieur et une meilleure gestion de la tension inverse. Les SBR sont parfaitement adaptés aux convertisseurs de puissance à découpage, aux adaptateurs et à l'électronique automobile, où le rendement énergétique et la stabilité thermique sont importantes. Ils constituent souvent un meilleur choix que les diodes Schottky lorsque l'application implique des températures ambiantes plus élevées ou des transitoires de tension plus importants.

  • Diodes avalanche
    Les diodes avalanche sont conçues pour fonctionner de manière fiable en mode de claquage inverse, où elles conduisent le courant en toute sécurité une fois qu'un seuil de tension inverse spécifique est dépassé. Contrairement aux diodes standard qui peuvent être endommagées par une panne, les diodes à avalanche sont conçues pour gérer cette condition de manière répétée et prévisible.
    • Dans le redressement à commutation rapide, les diodes avalanche sont parfois préférées aux diodes PN standard en raison de leur meilleur comportement de recouvrement inverse, ce qui réduit les pertes de commutation et améliore le rendement global du convertisseur. Leur capacité à résister à de hautes transitoires de tension inverse sans dégradation les rend particulièrement adaptées aux circuits d'amortissement, aux convertisseurs indirects et aux topologies à commutation dure.

  • Diodes en carbure de silicium (SiC)
    Les diodes SiC sont fabriquées à partir de carbure de silicium, un matériau à large bande interdite qui leur permet de gérer des tensions très élevées (600 V et plus) et des températures extrêmes (> 150°C). Elles sont idéales pour les convertisseurs industriels, les chargeurs de véhicules électriques, les onduleurs solaires et les entraînements de moteurs, en particulier dans les circuits nécessitant une commutation rapide et un temps de recouvrement inverse nul. Bien que plus chères que les diodes à base de silicium, leur durabilité et leur rendement à des tensions et fréquences élevées en font souvent le meilleur choix à long terme dans les applications exigeantes.