SC-79, SOD-523F Diodes simples

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Série
Conditionnement
Statut du produit
Technologies
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
Courant - Moyen redressé (Io)
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
Vitesse
Temps de recouvrement inverse (trr)
Courant - Fuite inverse à Vr
Capacité à Vr, F
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier
Boîtier fournisseur
Température de fonctionnement - Jonction
SOD-523F
1N914BWT
DIODE STANDARD 75V 200MA SOD523F
onsemi
476 295
En stock
1 : 0,14606 $
Bande coupée (CT)
8 000 : 0,02483 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Standard
75 V
200mA
1 V @ 100 mA
Signal faible =< 200mA (Io), toute vitesse
4 ns
5 µA @ 75 V
4pF à 0V, 1MHz
-
-
Montage en surface
SC-79, SOD-523F
SOD-523F
-55°C ~ 150°C
SOD-523F
1N4148WT
DIODE STANDARD 75V 200MA SOD523F
onsemi
277 973
En stock
1 : 0,14606 $
Bande coupée (CT)
8 000 : 0,02483 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Standard
75 V
200mA
1 V @ 10 mA
Signal faible =< 200mA (Io), toute vitesse
4 ns
5 µA @ 75 V
5pF à 0V, 1MHz
-
-
Montage en surface
SC-79, SOD-523F
SOD-523F
-55°C ~ 150°C
SOD-523F
BAT43XV2
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523F
onsemi
46 681
En stock
1 : 0,21909 $
Bande coupée (CT)
8 000 : 0,04236 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Schottky
30 V
200mA
1 V @ 200 mA
Signal faible =< 200mA (Io), toute vitesse
5 ns
500 nA @ 25 V
7pF à 1V, 1MHz
-
-
Montage en surface
SC-79, SOD-523F
SOD-523F
125°C (maxi)
SOD-523F
1N4448WT
DIODE STANDARD 75V 200MA SOD523F
onsemi
53 884
En stock
1 : 0,17000 $
Bande coupée (CT)
8 000 : 0,02921 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Standard
75 V
200mA
1 V @ 100 mA
Signal faible =< 200mA (Io), toute vitesse
4 ns
5 µA @ 75 V
4pF à 0V, 1MHz
-
-
Montage en surface
SC-79, SOD-523F
SOD-523F
-55°C ~ 150°C
DIODE STANDARD 75V 200MA SOD523F
1N914BWT
DIODE STANDARD 75V 200MA SOD523F
Fairchild Semiconductor
159 149
Marketplace
Non disponible
Non disponible dans la devise sélectionnée
-
En vrac
Obsolète
Standard
75 V
200mA
1 V @ 100 mA
Signal faible =< 200mA (Io), toute vitesse
4 ns
5 µA @ 75 V
4pF à 0V, 1MHz
-
-
Montage en surface
SC-79, SOD-523F
SOD-523F
-55°C ~ 150°C
SOD-523F
RB520S30
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523F
onsemi
0
En stock
Obsolète
-
Bande et bobine
Obsolète
Schottky
30 V
200mA
600 mV @ 200 mA
Signal faible =< 200mA (Io), toute vitesse
-
1 µA @ 10 V
-
-
-
Montage en surface
SC-79, SOD-523F
SOD-523F
-55°C ~ 125°C
SOD-523F
RB521S30
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523F
onsemi
0
En stock
Obsolète
-
Bande et bobine
Obsolète
Schottky
30 V
200mA
500 mV @ 200 mA
Signal faible =< 200mA (Io), toute vitesse
-
30 µA @ 10 V
-
-
-
Montage en surface
SC-79, SOD-523F
SOD-523F
-55°C ~ 125°C
SOD-523F
RB751S40
DIODE SCHOTTKY 30V 30MA SOD523F
onsemi
0
En stock
Obsolète
-
Bande et bobine
Obsolète
Schottky
30 V
30mA
370 mV @ 1 mA
Signal faible =< 200mA (Io), toute vitesse
-
500 nA @ 10 V
-
-
-
Montage en surface
SC-79, SOD-523F
SOD-523F
-55°C ~ 125°C
SOD-523F
BAT42XV2
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523F
onsemi
0
En stock
Obsolète
-
Bande et bobine
Obsolète
Schottky
30 V
200mA
1 V @ 200 mA
Signal faible =< 200mA (Io), toute vitesse
5 ns
500 nA @ 25 V
7pF à 1V, 1MHz
-
-
Montage en surface
SC-79, SOD-523F
SOD-523F
125°C (maxi)
SOD-523F
BAT54XV2
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523F
onsemi
0
En stock
Obsolète
-
Bande et bobine
Obsolète
Schottky
30 V
200mA
800 mV @ 100 mA
Signal faible =< 200mA (Io), toute vitesse
5 ns
2 µA @ 25 V
10pF à 1V, 1MHz
-
-
Montage en surface
SC-79, SOD-523F
SOD-523F
125°C (maxi)
CDBURT0230LL-HF
CDBURT0230LL-HF
DIODE SCHOTTKY 20V 200MA 0603
Comchip Technology
0
En stock
Obsolète
-
Bande et bobine
Obsolète
Schottky
20 V
200mA
390 mV @ 200 mA
Signal faible =< 200mA (Io), toute vitesse
-
30 µA @ 10 V
30pF à 1V, 1MHz
-
-
Montage en surface
SC-79, SOD-523F
0603/SOD-523F
-55°C ~ 125°C
Affichage de
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Types de diodes de redressement

    Diodes de redressement standard
  • Diodes standard (jonction PN en silicium) Les diodes standard sont le type de diode de redressement le plus basique, et elles sont fabriquées en silicium avec une jonction PN. Elles sont couramment utilisées dans les convertisseurs CA/CC, le redressement de puissance et la protection générale des circuits. Ces diodes ont généralement une chute de tension directe d'environ 0,7 V et sont mieux adaptées à la commutation basse fréquence. Leur temps de recouvrement inverse (la rapidité avec laquelle elles cessent de conduire lorsqu'elles sont éteintes) est relativement lent, ce qui limite leur utilisation dans les applications haute vitesse. Elles présentent également un faible courant de fuite inverse, ce qui les rend fiables pour les opérations en régime permanent.

  • Diodes Schottky (SBD)
    Les diodes Schottky (SBD) utilisent une jonction métal-semiconducteur au lieu d'une jonction PN traditionnelle, ce qui entraîne des vitesses de commutation plus rapides et des chutes de tension directe plus faibles, souvent comprises entre 0,2 V et 0,4 V. Cela en fait un choix parfait pour les convertisseurs CC/CC, les alimentations à haut rendement et les circuits où il est essentiel de minimiser les pertes de puissance. Cependant, l’un des inconvénients des SBD est leur courant de fuite inverse plus élevé, en particulier à hautes températures, ce qui peut être un problème dans les dispositifs de précision ou alimentés par batterie.

  • Redresseurs à super barrière (SBR)
    Les redresseurs à super barrière (SBR) associent les meilleures caractéristiques des diodes standard et des diodes Schottky. Ils offrent une faible chute de tension directe comme les SBD, mais avec un courant de fuite inverse nettement inférieur et une meilleure gestion de la tension inverse. Les SBR sont parfaitement adaptés aux convertisseurs de puissance à découpage, aux adaptateurs et à l'électronique automobile, où le rendement énergétique et la stabilité thermique sont importantes. Ils constituent souvent un meilleur choix que les diodes Schottky lorsque l'application implique des températures ambiantes plus élevées ou des transitoires de tension plus importants.

  • Diodes avalanche
    Les diodes avalanche sont conçues pour fonctionner de manière fiable en mode de claquage inverse, où elles conduisent le courant en toute sécurité une fois qu'un seuil de tension inverse spécifique est dépassé. Contrairement aux diodes standard qui peuvent être endommagées par une panne, les diodes à avalanche sont conçues pour gérer cette condition de manière répétée et prévisible.
    • Dans le redressement à commutation rapide, les diodes avalanche sont parfois préférées aux diodes PN standard en raison de leur meilleur comportement de recouvrement inverse, ce qui réduit les pertes de commutation et améliore le rendement global du convertisseur. Leur capacité à résister à de hautes transitoires de tension inverse sans dégradation les rend particulièrement adaptées aux circuits d'amortissement, aux convertisseurs indirects et aux topologies à commutation dure.

  • Diodes en carbure de silicium (SiC)
    Les diodes SiC sont fabriquées à partir de carbure de silicium, un matériau à large bande interdite qui leur permet de gérer des tensions très élevées (600 V et plus) et des températures extrêmes (> 150°C). Elles sont idéales pour les convertisseurs industriels, les chargeurs de véhicules électriques, les onduleurs solaires et les entraînements de moteurs, en particulier dans les circuits nécessitant une commutation rapide et un temps de recouvrement inverse nul. Bien que plus chères que les diodes à base de silicium, leur durabilité et leur rendement à des tensions et fréquences élevées en font souvent le meilleur choix à long terme dans les applications exigeantes.