DO-203AB, DO-5, plot Diodes simples

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Référence fabricant
Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Technologies
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
Courant - Moyen redressé (Io)
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
Vitesse
Temps de recouvrement inverse (trr)
Courant - Fuite inverse à Vr
Capacité à Vr, F
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier
Boîtier fournisseur
Température de fonctionnement - Jonction
143
En stock
1 : 15,23000 $
En vrac
-
En vrac
Actif
Standard, polarité inverse
1200 V
70A
1.35 V @ 220 A
Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)
-
9 mA @ 1200 V
-
-
-
Châssis, montage sur goujon
DO-203AB, DO-5, plot
DO-203AB (DO-5)
-65°C ~ 180°C
365
En stock
1 : 18,78000 $
En vrac
-
En vrac
Actif
Standard
1600 V
40A
1.5 V @ 125 A
Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)
-
4.5 mA @ 1600 V
-
-
-
Châssis, montage sur goujon
DO-203AB, DO-5, plot
DO-203AB (DO-5)
-65°C ~ 160°C
1N1186A
1N1186A
DIODE STANDARD 200V 40A DO5
Navitas Semiconductor, Inc.
471
En stock
1 : 20,02000 $
En vrac
-
En vrac
Actif
Standard
200 V
40A
1.1 V @ 40 A
-
-
10 µA @ 50 V
-
-
-
Châssis, montage sur goujon
DO-203AB, DO-5, plot
DO-5
-65°C ~ 190°C
3 259
En stock
1 : 20,12000 $
En vrac
-
En vrac
Actif
Standard, polarité inverse
600 V
85A
1.2 V @ 267 A
Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)
-
9 mA @ 600 V
-
-
-
Châssis, montage sur goujon
DO-203AB, DO-5, plot
DO-203AB (DO-5)
-65°C ~ 180°C
1N2130AR
1N2130AR
DIODE STANDARD REV 150V 60A DO5
Navitas Semiconductor, Inc.
881
En stock
1 : 22,51000 $
En vrac
-
En vrac
Actif
Standard, polarité inverse
150 V
60A
1.1 V @ 60 A
Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)
-
10 µA @ 50 V
-
-
-
Châssis, montage sur goujon
DO-203AB, DO-5, plot
DO-5
-65°C ~ 200°C
231
En stock
1 : 22,93000 $
En vrac
-
En vrac
Actif
Standard, polarité inverse
600 V
40A
1.3 V @ 125 A
Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)
-
9 mA @ 600 V
-
-
-
Châssis, montage sur goujon
DO-203AB, DO-5, plot
DO-203AB (DO-5)
-65°C ~ 190°C
146
En stock
1 : 22,93000 $
En vrac
-
En vrac
Actif
Standard
600 V
40A
1.3 V @ 125 A
Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)
-
9 mA @ 600 V
-
-
-
Châssis, montage sur goujon
DO-203AB, DO-5, plot
DO-203AB (DO-5)
-65°C ~ 190°C
154
En stock
1 : 25,22000 $
En vrac
-
En vrac
Actif
Standard, polarité inverse
1600 V
70A
1.46 V @ 220 A
Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)
-
4.5 mA @ 1600 V
-
-
-
Châssis, montage sur goujon
DO-203AB, DO-5, plot
DO-203AB (DO-5)
-65°C ~ 150°C
103
En stock
1 : 25,54000 $
En vrac
-
En vrac
Actif
Standard
1200 V
85A
1.2 V @ 267 A
Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)
-
9 mA @ 1200 V
-
-
-
Châssis, montage sur goujon
DO-203AB, DO-5, plot
DO-203AB (DO-5)
-65°C ~ 180°C
454
En stock
1 : 26,78000 $
En vrac
-
En vrac
Actif
Standard
1000 V
35A
1.8 V @ 110 A
Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)
-
2 mA @ 1000 V
-
-
-
Châssis, montage sur goujon
DO-203AB, DO-5, plot
DO-203AB (DO-5)
-65°C ~ 190°C
159
En stock
1 : 28,11000 $
En vrac
-
En vrac
Actif
Standard
1600 V
85A
1.4 V @ 267 A
Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)
-
4.5 mA @ 1600 V
-
-
-
Châssis, montage sur goujon
DO-203AB, DO-5, plot
DO-203AB (DO-5)
-65°C ~ 150°C
180
En stock
1 : 29,44000 $
En vrac
-
En vrac
Actif
Standard
100 V
70A
1.35 V @ 220 A
Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)
-
15 mA @ 100 V
-
-
-
Châssis, montage sur goujon
DO-203AB, DO-5, plot
DO-203AB (DO-5)
-65°C ~ 180°C
128
En stock
1 : 29,44000 $
En vrac
-
En vrac
Actif
Standard
600 V
70A
1.35 V @ 220 A
Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)
-
9 mA @ 600 V
-
-
-
Châssis, montage sur goujon
DO-203AB, DO-5, plot
DO-203AB (DO-5)
-65°C ~ 150°C
700
En stock
1 : 30,87000 $
En vrac
-
En vrac
Actif
Standard
1000 V
85A
-
Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)
500 ns
100 µA @ 1000 V
-
-
-
Châssis, montage sur goujon
DO-203AB, DO-5, plot
DO-203AB (DO-5)
-40°C ~ 125°C
354
En stock
1 : 34,22000 $
En vrac
-
En vrac
Actif
Standard
1000 V
70A
1.85 V @ 219.8 A
Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)
500 ns
100 µA @ 1000 V
-
-
-
Châssis, montage sur goujon
DO-203AB, DO-5, plot
DO-203AB (DO-5)
-40°C ~ 125°C
1N6098
MBR8045
DIODE SCHOTTKY 45V 80A DO5
Navitas Semiconductor, Inc.
197
En stock
1 : 44,32000 $
En vrac
-
En vrac
Actif
Schottky
45 V
80A
650 mV @ 80 A
Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)
-
1 mA @ 45 V
-
-
-
Châssis, montage sur goujon
DO-203AB, DO-5, plot
DO-5
-55°C ~ 150°C
1N3768R
1N3768R
DIODE STANDARD REV 1000V 35A DO5
Navitas Semiconductor, Inc.
794
En stock
1 : 19,66000 $
En vrac
-
En vrac
Actif
Standard, polarité inverse
1000 V
35A
1.2 V @ 35 A
Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)
-
10 µA @ 50 V
-
-
-
Châssis, montage sur goujon
DO-203AB, DO-5, plot
DO-5
-65°C ~ 190°C
1N1184
1N1184
DIODE STANDARD 100V 35A DO5
Navitas Semiconductor, Inc.
205
En stock
1 : 19,66000 $
En vrac
-
En vrac
Actif
Standard
100 V
35A
1.2 V @ 35 A
Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)
-
10 µA @ 50 V
-
-
-
Châssis, montage sur goujon
DO-203AB, DO-5, plot
DO-5
-65°C ~ 190°C
112
En stock
1 : 22,64000 $
En vrac
-
En vrac
Actif
Standard
1000 V
70A
1.35 V @ 220 A
Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)
-
9 mA @ 1000 V
-
-
-
Châssis, montage sur goujon
DO-203AB, DO-5, plot
DO-203AB (DO-5)
-65°C ~ 180°C
117
En stock
1 : 22,93000 $
En vrac
-
En vrac
Actif
Standard
800 V
40A
1.3 V @ 125 A
Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)
-
9 mA @ 800 V
-
-
-
Châssis, montage sur goujon
DO-203AB, DO-5, plot
DO-203AB (DO-5)
-65°C ~ 190°C
112
En stock
1 : 27,13000 $
En vrac
-
En vrac
Actif
Standard
800 V
80A
1.4 V @ 220 A
Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)
-
-
-
-
-
Châssis, montage sur goujon
DO-203AB, DO-5, plot
DO-203AB (DO-5)
-55°C ~ 180°C
Diode Gen Purp
S85J
DIODE STANDARD 600V 85A DO5
Navitas Semiconductor, Inc.
564
En stock
1 : 28,19000 $
En vrac
-
En vrac
Actif
Standard
600 V
85A
1.1 V @ 85 A
Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)
-
10 µA @ 100 V
-
-
-
Châssis, montage sur goujon
DO-203AB, DO-5, plot
DO-5
-65°C ~ 180°C
S85Q
S85Q
DIODE STANDARD 1200V 85A DO5
Navitas Semiconductor, Inc.
161
En stock
1 : 28,19000 $
En vrac
-
En vrac
Actif
Standard
1200 V
85A
1.1 V @ 85 A
Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)
-
10 µA @ 100 V
-
-
-
Châssis, montage sur goujon
DO-203AB, DO-5, plot
DO-5
-65°C ~ 180°C
263
En stock
1 : 29,44000 $
En vrac
-
En vrac
Actif
Standard, polarité inverse
100 V
70A
1.35 V @ 220 A
Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)
-
15 mA @ 100 V
-
-
-
Châssis, montage sur goujon
DO-203AB, DO-5, plot
DO-203AB (DO-5)
-65°C ~ 180°C
112
En stock
1 : 30,55000 $
En vrac
-
En vrac
Actif
Standard
800 V
80A
1.4 V @ 220 A
Récupération standard >500ns, > 200mA (Io)
-
-
-
-
-
Montage goujon
DO-203AB, DO-5, plot
DO-203AB (DO-5)
-55°C ~ 180°C
Affichage de
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Types de diodes de redressement

    Diodes de redressement standard
  • Diodes standard (jonction PN en silicium) Les diodes standard sont le type de diode de redressement le plus basique, et elles sont fabriquées en silicium avec une jonction PN. Elles sont couramment utilisées dans les convertisseurs CA/CC, le redressement de puissance et la protection générale des circuits. Ces diodes ont généralement une chute de tension directe d'environ 0,7 V et sont mieux adaptées à la commutation basse fréquence. Leur temps de recouvrement inverse (la rapidité avec laquelle elles cessent de conduire lorsqu'elles sont éteintes) est relativement lent, ce qui limite leur utilisation dans les applications haute vitesse. Elles présentent également un faible courant de fuite inverse, ce qui les rend fiables pour les opérations en régime permanent.

  • Diodes Schottky (SBD)
    Les diodes Schottky (SBD) utilisent une jonction métal-semiconducteur au lieu d'une jonction PN traditionnelle, ce qui entraîne des vitesses de commutation plus rapides et des chutes de tension directe plus faibles, souvent comprises entre 0,2 V et 0,4 V. Cela en fait un choix parfait pour les convertisseurs CC/CC, les alimentations à haut rendement et les circuits où il est essentiel de minimiser les pertes de puissance. Cependant, l’un des inconvénients des SBD est leur courant de fuite inverse plus élevé, en particulier à hautes températures, ce qui peut être un problème dans les dispositifs de précision ou alimentés par batterie.

  • Redresseurs à super barrière (SBR)
    Les redresseurs à super barrière (SBR) associent les meilleures caractéristiques des diodes standard et des diodes Schottky. Ils offrent une faible chute de tension directe comme les SBD, mais avec un courant de fuite inverse nettement inférieur et une meilleure gestion de la tension inverse. Les SBR sont parfaitement adaptés aux convertisseurs de puissance à découpage, aux adaptateurs et à l'électronique automobile, où le rendement énergétique et la stabilité thermique sont importantes. Ils constituent souvent un meilleur choix que les diodes Schottky lorsque l'application implique des températures ambiantes plus élevées ou des transitoires de tension plus importants.

  • Diodes avalanche
    Les diodes avalanche sont conçues pour fonctionner de manière fiable en mode de claquage inverse, où elles conduisent le courant en toute sécurité une fois qu'un seuil de tension inverse spécifique est dépassé. Contrairement aux diodes standard qui peuvent être endommagées par une panne, les diodes à avalanche sont conçues pour gérer cette condition de manière répétée et prévisible.
    • Dans le redressement à commutation rapide, les diodes avalanche sont parfois préférées aux diodes PN standard en raison de leur meilleur comportement de recouvrement inverse, ce qui réduit les pertes de commutation et améliore le rendement global du convertisseur. Leur capacité à résister à de hautes transitoires de tension inverse sans dégradation les rend particulièrement adaptées aux circuits d'amortissement, aux convertisseurs indirects et aux topologies à commutation dure.

  • Diodes en carbure de silicium (SiC)
    Les diodes SiC sont fabriquées à partir de carbure de silicium, un matériau à large bande interdite qui leur permet de gérer des tensions très élevées (600 V et plus) et des températures extrêmes (> 150°C). Elles sont idéales pour les convertisseurs industriels, les chargeurs de véhicules électriques, les onduleurs solaires et les entraînements de moteurs, en particulier dans les circuits nécessitant une commutation rapide et un temps de recouvrement inverse nul. Bien que plus chères que les diodes à base de silicium, leur durabilité et leur rendement à des tensions et fréquences élevées en font souvent le meilleur choix à long terme dans les applications exigeantes.
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